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模拟电子技术第1章半导体基础知识第2章基本放大电路第3章多级放大电路第4章放大电路中反馈的基本知识第5章放大电路的频率响应第6章信号的运算和处理第7章信号的产生和转换电路第8章直流电源全套可编辑PPT课件第1章半导体基础知识1.1半导体的基础知识 1.2半导体二极管 1.3半导体二极管应用电路1.4晶体三极管 1.5场效应管 1.6其他类型晶体管简介

1.1.1本征半导体导

体：容易导电绝缘体：不容易导电半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间

常用：硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs

核外有4个电子

半导体本征半导体杂质半导体

1.1.1本征半导体本征半导体：纯净的单晶半导体称为本征半导体。

在绝对零度且无光照射时，价电子不能摆脱共价键的束缚，这时本征半导体是不导电的。硅原子

锗原子

1.1.1本征半导体硅(锗)的晶格结构示意图共价键本征激发：成对产生自由电子和空穴有两种载流子导电：空穴带正电，电子带负电复合动态平衡温度一定时，自由电子—空穴对的浓度一定。温度升高或受光照时，载流子浓度增大常温下导电性能差

1.1.2杂质半导体杂质半导体：掺入其他物质。掺入五价杂质元素（如磷、砷、锑）

N型半导体

掺入三价杂质元素（如硼、铝、铟）

P型半导体

1.1.2杂质半导体N型半导体：自由电子多，整个半导体呈电中性。

杂质正离子不是载流子。晶格结构晶格结构P型半导体：空穴多，整个半导体呈电中性。

杂质负离子不是载流子。

1.1.2杂质半导体

导电性能主要取决于多子浓度。多子浓度主要由掺杂浓度决定，其值较大且稳定，故杂质半导体导电性能得到显著改善。 少子对杂质半导体导电性能也有影响，少子由本征激发产生，其大小随温度升高和光照而增大，故半导体器件对温度、光照敏感，在应用中要注意温度、光照对半导体器件及其电路性能的影响。

1.1.2杂质半导体

1.1.3

PN结及其特性扩散运动空间电荷区内电场阻碍扩散

动态平衡，形成PN结一、PN结的形成

1.1.3

PN结及其特性二、PN结的单向导电性Ｐ区接电源正极

Ｎ区接电源负极正偏导通Ｐ区接电源负极，

Ｎ区接电源正极反偏截止单向导电性正向电流IF

I扩散大反向饱和电流IR=I少子漂移很小

0

1.1.3

PN结及其特性PN结的伏安特性反向饱和电流常温下（T=300K）:UT=26mV三、PN结的反向击穿特性

1.1.3

PN结及其特性PN结未损坏，可逆。电击穿：热击穿：PN结烧毁，不可逆。

当加于PN结两端的反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增加而急剧增大，这种现象称为反向击穿。解决击穿问题：串接限流电阻

1.2半导体二极管1.2.1半导体二极管的结构与类型1.2.2半导体二极管的伏安特性1.2.3半导体二极管的电阻

1.2.1半导体二极管的结构与类型P区---正极（或阳极）N区---负极（或阴极）箭头表示二极管导通时电流的方向。

1.2.1半导体二极管的结构与类型

平面型主要用于集成电路点接触型适用高频、小电流面接触型适用低频、大电流

1.2.1半导体二极管的结构与类型（a）

（b）

（c）

（d）

（e）

（f）图1.2.2二极管结构和符号（a）普通二极管

（b）稳压二极管

（c）发光二极管

（d）光电二极管

（e）变容二极管

（f）贴片二极管

1.2.1半导体二极管的结构与类型

二极管正负极的识别

（1）箭头和靠近色环的一端为负极，有色点的一端为正极。（2）长脚为正极，短脚为负极。（3）万用表的二极管档，将两红、黑表笔接二极管两只引脚，显示0.2V~0.7V，则红表笔连接的是二极管正极。0.2V左右的是锗管，0.7V左右的是硅管。

1.2.1半导体二极管的结构与类型贴片二极管一般有缺口、横杠、白色双杠等，这些标记通常表示负极

1.2.2半导体二极管的伏安特性IS—反向饱和电流UT—温度电压当量常温下:

UT=26mV死区电压Uth导通电压U

D(on)(硅0.7V,锗0.2V)反偏截止反向击穿，反向击穿电压U(BR)单向导电，可作开关导通后具有恒压特性温度升高，正向特性左移，反向特性下移

1.2.3半导体二极管的电阻1.二极管静态电阻（也称直流电阻）

如二极管工作于直流电路中，所呈现的电阻称为直流电阻，常用RD表示：

二极管工作在正偏状态下呈现较小的直流电阻，且Q点越高，呈现的直流电阻越小；工作在反偏状态时其直流电阻很大，近似于开路。2.二极管动态电阻（也称交流电阻）

1.2.3半导体二极管的电阻

在同一工作点，二极管直流电阻比交流电阻大得多，且工作点越高，其直流电阻和交流电阻都越小。通常都很小，在近似工程估算中可以忽略。处的直流电阻和交流电阻。

图1.2.6例1.2.2

1.2.3半导体二极管的电阻【例1.2.2】二极管特性曲线如图1.2.6所示，试求：（1）工作点（2）工作点

处的直流电阻和交流电阻；【例1.2.2】解：（1）在

处直流电阻交流电阻（2）在

处直流电阻交流电阻【例1.2.2】

在同一工作点，二极管直流电阻比交流电阻大得多，且工作点越高，其直流电阻和交流电阻都越小。根据二极管伏安特性方程（1.2.1）可求得

（1.2.4）与静态工作点有关，越大，越小。通常都很小，在近似工程估算中可以忽略。

1.3半导体二极管应用电路1.3.1半导体二极管直流电路分析1.3.2

半导体二极管交流电路分析及仿真1.3.3

含二极管电路既有直流信号源也有交流信

号源1.3.4二极管稳压电路1.3.5其他类型二极管简介

1.3.1半导体二极管直流电路分析工程中常采用近似的分析方法

正偏导通相当于一个电源（电压为二极管导通电压，硅管约为

0.7V，锗管约0.2V）。发光二极管的导通电压与所用的材料有关，不同颜色导通电压不同。

理想情况下，二极管正偏导通相当于开关闭合，其两端电压近似为

0，反偏时相当于开关断开，电流为零，反向击穿电压为无穷大。

1.3.1半导体二极管直流电路分析

在分析计算时，应先判断二极管是否导通，然后再选择合适的模型进行计算。

断开二极管，观察或计算加在二极管正负极的电压，如正偏电压大于或等于导通电压，则二极管导通；若反偏或正偏电压小于导通电压，则二极管截止。

【例1.3.1】如图1.3.2（a）所示硅二极管和电阻组成的串联电路，（1）计算UD、UR和ID？；（2）U=0.3V，请问二极管是否导通？这时UD、UR和ID又等于多少？（3）如果将二极管正负极反着接，UD、UR和ID又等于多少？

1.3.1半导体二极管直流电路分析（1）计算UD、UR和ID？断开二极管

大于硅二极管的导通电压0.7V，二极管导通后等效为0.7V的恒压源UD=0.7V

【例1.3.1】（2）如果U=0.3V，移除二极管后其两端电压小于硅二极管的导通电压，二极管截止。（3）如果将二极管正负极反着接，电流方向与二极管箭头符号方向相反，二极管反偏截止，二极管等效于开路。

1.3.1【例1.3.2】【例1.3.2】如图1.3.4（a）所示硅二极管和红色发光二极管串联电路，红色二极管的导通电压为1.8V.试求UO和ID。

解：由于电流方向与二极管箭头的方向一致，两个二极管都是正偏，且U=10V（>0.7V+1.8V），两个二极管均导通，【例1.3.3】如图1.3.5（a）所示硅二极管和绿色发光二极管并联，绿色发光二极管的导通电压为2V，试求电阻R=2kΩ两端电压UO。

1.3.1【例1.3.3】解：硅二极管导通，两端电压0.7V，无法达到绿色发光二极管的导通电压，所以发光二极管截止。

蓝色发光二极管正偏导通，红色发光二极管反偏，两端电压大于它的反向击穿电压3V，红色发光二极管两端电压锁定在3V，3V电压加在蓝色发光二极管两端不足以使其导通，所以实际上两个发光二极管都处于截止状态，都不发光。但红色发光二极管中有反向击穿电流，蓝色发光二极管中也有很小的正向电流。

1.3.1【例1.3.3】【例1.3.4】图1.3.7所示的二极管电路中，设VD1和VD2均为理想二极管，当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压6V的不同组合时，求输出电压UO的值。

1.3.1【例1.3.4】输入电压二极管工作状态输出电压UAUBVD1VD2UO00正偏导通正偏导通006V正偏导通反偏截止06V0反偏截止正偏导通06V6V正偏导通正偏导通6V“与门”电路，当输入有低电压（0V），输出就是低电压（0V），只有当输入均为高电压（6V）时，输出才为高电压（6V）。1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真1.整流电路（1）半波整流电路

常用于开关电源、直流升压电路的设计，也常用于阻性负载的功率调节，比如电烙铁、电饭煲、电热毯、电吹风等电器两个档位的调节。1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真（2）桥式整流电路二极管不同引脚相连接输入电压，相同引脚相连接负载1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真（2）桥式整流电路正半周，VD1和VD3导通，VD2和VD4截止负半周，VD2和VD4导通，VD1和VD3截止1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真减小输出脉动，提高整流效率。1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真+uo

RL~

两个二极管不同引脚连在一起的接头接输入电压，相同引脚连在一起的接头接负载，不要接错。1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真2.

削波电路（1）二极管与负载串联，负载输出1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真（2）二极管与负载串联，含二极管支路输出【例1.3.6】图1.3.20所示电路，设二极管是理想二极管，输入是幅度为20V的三角波，画出输出电压uO的波形。解：当uI≤4V时，二极管导通，uO=4V;

当uI>4V时，二极管截止，uO=uI。1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真【例1.3.7】分析如图1.3.22（a）所示的硅二极管电路，导通压降为0.7V。（1）画出电压传输特性曲线；（2）已知uI=20sinωt，画出uI和uO的波形。解：①当uI≥12.7V时，VD1管导通，VD2管截止，uO=12.7V②当-5.7V<uI<12.7V，VD1管和VD2管均截止，uO=uI③uI<-5.7V，VD1管截止，VD2管导通，uO=-5.7V1.3.2半导体二极管交流电路分析及仿真3.钳位电路（ClamperCircuit）由电容C、二极管VD及电阻R构成的电路正半周时，二极管导通，uO=0；负半周，二极管截止，uO=-2U1.3.3有直流信号源也有交流信号源

【例1.3.8】如图1.3.24（a）所示含硅二极管电路，设输入信号为uI=5sinωt，试画出输出电压uO波形。解：（1）恒压源单独作用

(a)

(b)

(c)

(d)

(a)电路图

(b)直流电源单独作用电路图

(c)直流电源单独作用二极管导通(d)交流电源单独作用二极管交流电阻为（2）交流信号源ui单独作用时1.3.2【例1.3.8】（3）根据叠加原理可得输出电压1.3.4二极管稳压电路正常情况下稳压管工作在反向击穿区【例1.3.9】如图1.3.27所示稳压电路中，已知稳压管参数为UZ=12V，IZ=5mA，允许通过的最大电流IZM=50mA。（1）试分析稳压管稳压原理；（2）若UI=5V，RL=R=1kΩ，求UO；（3）若UI=30V，其允许变化量为±5V，IO的变化范围为0～20mA，试选择限流电阻R的阻值与功率。1.3.4二极管稳压电路【例1.3.9】解：（1）对任何稳压电路，应该从两个方面考虑其稳压特性，一是输入电压UI波动，另一方面是负载RL变化。UI增大，RL不变时UI不变，RL增大（2）当UI=5V

时，稳压管反偏截止【例1.3.9】（3）当UI=30V时，只要R值合适，电路可稳压工作。R值应使IDZ≤IZMR值应使IDZ≥IZ

应根据460Ω<R<520

Ω选取电阻R的值，取R=500

Ω，R上的最大功耗为【例1.3.9】考虑一定的安全裕量，可选用500Ω、2W的电阻。1.3.5其他类型二极管简介1.发光二极管

当正偏导通时，光亮度随电流增大而增强，电源可以是直流、交流或脉冲信号。1.3.5其他类型二极管简介2.光电二极管

使用时应注意光电二极管PN结反偏，在光信号照射下，反向电流随光照强度的增加而上升（这时的反向电流称为光电流），由发光二极管和光电二极管可构成具有三只引脚或四只引脚的光电耦合器。

光电耦合器是把发光元件与受光元件都封闭在一个不透光的管壳内，多用于抗干扰电路、逻辑电路、模/数转换、长线传输、过流保护及高压控制，可实现远距离非直接控制。3.变容二极管1.3.5其他类型二极管简介

当在二极管两端加上反向偏压时，会产生电容效应，通常变容二极管的电容量随反向偏压增大而减小。

除了上面讲的这几种二极管之外，还有隧道二极管、磁敏二极管、温度效应二极管、双向击穿二极管、交流开关二极管、体效应二极管、肖特基二极管等。小小元件用途广一、基础与核心应用（基于单向导电性）1.整

流功能：将交流电转换为直流电。原理：利用单向导电性，只保留交流电的正半周（或负半周），截掉另一半，得到脉动的直流电。实例：各种电源适配器内都有整流桥将来自插座的交流电变成直流电。2.反向保护/防反接功能：防止因电源正负极接反而烧毁电路。原理：将二极管正向串联在电路中。电源正确连接，二极管导通，电路正常工作；当电源反接时，二极管截止，电路中没有电流，保护了后级的精密元件。实例：汽车电子产品、电池供电的设备中很常见。3.检

波功能：从高频信号中提取有用的低频信号（如音频信号）原理：与整流类似实例：调幅收音机利用二极管检波从接收的无线电波中还原出声音信号4.续流/飞轮

功能：保护电路中的开关元件免受感应电动势冲击

原理：当流过继电器、电机、电感等的电流突然被切断时，会产生一个很高的反向感应电动势。并联在负载两端的续流二极管为其提供一个放电回路，吸收这个尖峰电压，防止击穿开关管

实例：驱动继电器、电机、电磁阀的电路中必不可少5.隔

离功能：实现电路之间的电气隔离，防止相互干扰原理：利用反向截止特性实例：在电源电路中，当有多个电源供电时，可以用二极

管来防止电流从一个电源倒流到另一个电源

1.4

晶体三极管1.4.1晶体管的结构及类型 1.4.2晶体管的伏安特性曲线

1.4.3晶体管的极限参数

1.4.1晶体管的结构及类型NPN型管子的结构和符号

PNP型管子的结构和符号

三个掺杂区：发射区（掺杂浓度很高）、基区（薄且掺杂浓度很低）、

集电区（掺杂浓度低面积大）。三个电极：发射极E、基极B、集电极C。两个PN结：发射结、集电结。三种工作状态：放大状态（发射结正偏导通，集电结反偏）、饱和状态（发射结正偏导通，集电结正偏）、截止状态（发射结零偏或反偏、集电结反偏）。1.4.1晶体管的结构及类型1.4.1晶体管的结构及类型1.放大状态（发射结正偏导通，集电结反偏）几个重要的关系式1.4.1晶体管的结构及类型2.饱和状态（发射结正偏导通，集电结正偏）

在饱和状态时，晶体管失去IB对IC的控制能力，IC主要受UCE控制，C、E之间压降很小，等效为

C、E间开关合上，对硅管，锗管UCES称为集电极与发射极之间的饱和压降。1.4.1晶体管的结构及类型3.截止状态（发射结零偏或反偏、集电结反偏）

当发射结电压小于开启电压，集电结反偏，晶体管处于截止状态，

IB、IC、和

IE近似为零，等效为

C、E间开关断开。

放大和饱和都属于导通状态，当UCE=UBE时，管子工作于临界饱和状态；当UCE>UBE时，NPN型管工作于放大状态；UCE<UBE时，NPN型管工作于饱和状态。放大和临界饱和时管子有电流放大作用，饱和和截止时晶体管没有电流放大作用。1.4.2晶体管的伏安特性曲线1.输入特性曲线输入特性描述当为某一常数时，输入电流

与

间的关系

增大，曲线右移，而时，输入特性曲线基本重合。1.4.2晶体管的伏安特性曲线2.输出特性曲线为某一常数时，与之间的关系（1）放大区：且，具有电流放大作用。（2）饱和区：且，不具有电流放大作用。但临界饱和时，，仍具有电流放大作用。（3）截止区：，1.4.2晶体管的伏安特性曲线

PNP型管工作电压极性的接法和电流流向均与NPN型管相反。

当温度升高时，导通电压减小，输入特性曲线左移，输出特性曲线上移。

温度每升高1oC，导通电压减小2~2.5mV，电流放大倍数增大0.5%~1%。1.4.3晶体管的极限参数

当晶体管工作点位于

的区域时，管子能正常工作，该区域成为安全工作区。

【例1.4.1】已知某放大器中晶体管电极电位分别为U1=3.5V，U2=2.8V，U3=12V，试确定B、E、C极，并判断是NPN型管还是PNP型管，是硅管还是锗管。解：电位值位于中间的必为基极B，故3.5V对应基极。由

可知2.8V对应发射极E，则12V对应集电极C，所以为NPN型硅管。

1.5场效应管1.5.1场效应管分类 1.5.2场效应管结构、符号、特性曲线及

各电极电流

1.5.1场效应管分类

不管哪种类型的场效应管，都有三个电极，即栅极G（Gate）、源极S（Source）和漏极D（Drain）。

场效应管输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强，制造工艺简单，占用面积小，便于控制，功耗小，因此在集成电路中得到了广泛应用。1.5.2结构、符号、特性曲线及各电极电流1.结型场效应管（简称JFET)

结型场效应管中间存在导电沟道，只有一种载流子参与导电，属于耗尽型。利用栅极和源极间电压

控制输出电流

漏极电流和源极电流相等，即

。各种场效应管结构、符号、特性曲线及各电极电流各种场效应管电压极性及工作于放大区的偏置条件（1）转移特性曲线结型场效应管（转移特性曲线）

N沟道FETP沟道FET沟道全部夹断所需的栅源间电压（2）转移特性曲线N沟道结型场效应管（输出特性曲线）①

可变电阻区一定时，与呈线性关系，漏源间等效受

控制的电阻②

放大区近似为

控制的电流源，也称恒流区③

截止区管子截止（3）电流关系N沟道结型场效应管（输出特性曲线）（4）工作在放大区的偏置条件N沟道结型P沟道结型绝缘栅型场效应管（MOSFET）MOSFET根据结构不同分为增强型和耗尽型。增强型MOSFET漏极和源极之间开始没有原始导电沟道开启电压耗尽型MOSFET漏极和源极之间存在原始导电沟道夹断电压各种场效应管电压极性及工作于放大区的偏置条件不同

1.6其他类型晶体管简介1.光电晶体管

光电晶体管可看成一个用光敏表面取代了基极引脚的晶体管，当置于黑暗环境时，管子截止；当置于光线中时，管子通过其光电窗口使光敏表面产生一个极小的基极电流，经放大后得到大得多的集电极电流，产生的电流与光照强度有关，也有NPN和PNP两大类。

1.6其他类型晶体管简介2.晶闸管

晶闸管也称可控硅，在自控系统中，实现用小功率控件控制大功率设备。有三个电极：控制极G，阴极K和阳极A。单向可控硅阳极A和阴极K之间加上正向电压且控制极也加上正向电压时，晶闸管导通，晶闸管一旦导通，控制极就失去控制作用。双向可控硅的控制极及阴极和阳极可以加上任意极性的电压，晶闸管都能导通。

1.6其他类型晶体管简介3.MESFETMESFET是一种由GaAs材料制造的N沟道结型场效应管，广泛应用于微波电路、高频放大电路和高速数字电路中，其电路符号与JFET相同。

1.6其他类型晶体管简介4.绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的半导体器件,适应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等，在轨道交通、智能电网、航空航天及新能源装备等领域应用极广。

脑瓜是不是嗡嗡的？模拟电子技术第二章基本放大电路2.1放大电路组成 2.2放大电路的主要性能指标2.3基本组态放大电路2.4差分放大电路 2.5复合管（也称达林顿管）放大电路2.1放大电路组成放大电路：由晶体管、场效应管、集成运放等有源器件构成。直流电源：提供能量。偏置电路：提供适合的静态工作点，保证放大电路正常工作。

2.2放大电路的主要性能指标1.放大倍数（2）电流放大倍数（1）电压放大倍数（3）互阻放大倍数（4）互导放大倍数（5）功率放大倍数工程上常用增益来表示放大倍数，他们的定义分别为电压增益电流增益功率增益电压放大倍数1(0dB)10(20dB)102(40dB)103(60dB)104(80dB)电流放大倍数1(0dB)10(20dB)102(40dB)103(60dB)104(80dB)功率放大倍数1(0dB)10(10dB)102(20dB)103(30dB)104(40dB)

2.2放大电路的主要性能指标

2.2放大电路的主要性能指标2.输入电阻反映了放大电路对信号源的影响。对信号源而言，

就是其等效负载，，，恒压输入。时，，恒流输入时，输入功率最大，阻抗匹配。测量输入电阻常用方法

2.2放大电路的主要性能指标3.输出电阻由分压原理可得这是一种测量输出电阻的方法越小，输出电压

受负载

的影响就越小。若，几乎不受负载影响，称之为带负载的能力很强。

则和与电路参数有关，而且还与有关，与

有关，它们是在线性运用情况下的动态电阻。

2.2放大电路的主要性能指标3.通频带

放大电路对不同频率的信号放大能力不同，且产生不同的相移，放大电路的放大倍数是信号频率的函数。频率响应特性：幅频特性和相频特性通频带（也称为带宽）

通频带范围以内的信号才能被有效放大3dB

2.2放大电路的主要性能指标5.效率PDC：直流电源提供的功率Po：

放大电路的输出功率越大，放大电路的效率越高，电源的利用率就越高。

2.3基本组态放大电路2.3.1共发射极放大电路2.3.2共集电极放大电路2.3.3共基极放大电路2.3.4共源放大电路

2.3.5共漏放大电路2.3.6

共栅极放大电路2.3.7共发射极放大电路（CE）的仿真2.3.8基本组态放大电路的应用

2.3基本组态放大电路共发射极CE

共基极

CB

共集电极CC共源极CS

共栅极CG

共漏极CD六种基本组态放大电路

2.3.1共发射极放大电路1.基本共射放大电路

共射放大电路，输入信号加在基极，输出信号从集电极取出，发射极是公共端。要使晶体管具有放大作用，必须保证发射结正偏，集电结反偏，NPN管基极和集电极需要加上正电压。直接耦合（能放大变化缓慢的信号，集成电路常用）阻容耦合（不能放大变化缓慢的信号，适合放大高频信号，不便于集成化。

1.基本共射放大电路（1）直流分析（静态分析

）

直流通路：直流信号流经的路径对于直流分析，频率f=0Hz,电容的容抗很大，电容相当于开路；电感的感抗很小，电感相当于短路。（1）直流分析（静态分析

）

可利用上面这三个式子计算静态工作点。基本共射放大电路电路简单，

基本固定，但与温度和管子有关，稳定性差。

1.基本共射放大电路当

和

取值合适时，才能保证晶体管可靠地工作在放大区。（2）交流分析（动态分析

）

交流通路：交流信号流经的路径由于耦合电容C1和C2的容量均较大，对交流信号可视为短路，直流电源VCC的内阻很小，对交流信号也可视为短路。

1.基本共射放大电路（a）交流通路

（b）小信号等效电路①

输入电阻注意：求输入电阻

时不考虑信号源内阻。

1.基本共射放大电路②

输出电阻

任何系统的输出电阻

定义为断开负载

，全部独立电源等于零时输出端的等效电阻。断开负载

输出电阻

1.基本共射放大电路③

电压放大倍数负号表示

与

反相。

1.基本共射放大电路

Q点不合适或信号幅度过大会造成信号失真。（a）截止失真

（b）饱和失真

（c）输入信号大截止失真和饱和失真

1.基本共射放大电路【例2.3.1】图2.3.4（a）所示硅晶体管电路中，β=80，输入电压为一矩形波波，如图2.3.4（b）所示，画出输出电压波形。

1.基本共射放大电路解：时，晶体管发射结零偏截止，

,

故时，晶体管导通设晶体管饱和，

，此时

称为集电极饱和电流

1.基本共射放大电路显然

，晶体管确实可靠饱和，与

呈反相关系，所以该电路称为反相电路，在数字电路中又称“非门”。晶体管放大电路的作用不仅限于放大信号，只要设计合理，它们可以用作计算机和自动控制电路的开关。

放大和临界饱和时管子有电流放大作用，饱和和截止时晶体管没有电流放大作用。

1.基本共射放大电路

2.射极偏置共射放大电路（1）直流分析（静态分析

）达到了稳定静态工作点的作用（2）交流分析（动态分析

）①

输入电阻②

输出电阻注意：求输出电阻时不包括负载

2.射极偏置共射放大电路③

电压放大倍数负号表示

与

反相

虽然工作点要比基本共射放大电路稳定，但电压放大倍数有所下降。

2.射极偏置共射放大电路

3.共射集电极反馈放大电路3.共射集电极反馈放大电路（1）直流分析（静态分析

）（2）交流分析（动态分析

）①

输入电阻式中

3.共射集电极反馈放大电路②

输出电阻

3.共射集电极反馈放大电路③

电压放大倍数此电路所用元件少，工作点稳定负号表示

与

反相。

3.共射集电极反馈放大电路4.典型的静态工作点稳定共射放大电路4.典型的静态工作点稳定共射放大电路（1）直流分析（静态分析

）①利用戴维南定理①利用戴维南定理4.典型的静态工作点稳定共射放大电路①利用戴维南定理4.典型的静态工作点稳定共射放大电路其中4.典型的静态工作点稳定共射放大电路②

近似分析

由于

，从而可以得到

串联，利用分压原理可得基极电位由于

很小，在近似分析中可忽略，即

，

和4.典型的静态工作点稳定共射放大电路

当电路满足

，可采用近似方法

计算该电路的静态工作点。基本不随温度变化当温度上升时，

从而使得

基本不随温度变化，所以这种电路在共射放大电路中应用广泛。4.典型的静态工作点稳定共射放大电路（2）交流分析（动态分析

）①

输入电阻断开负载，让

，从而

，受控源开路

注意：求输出电阻时不包括负载。②

输出电阻4.典型的静态工作点稳定共射放大电路③电压放大倍数式中4.典型的静态工作点稳定共射放大电路【例2.3.2】如图2.3.15所示电路中，已知晶体管的

，

，

，

，

，，各电容的容量，，，足够大。求：（1）静态工作点；（2）求输入电阻、输出电阻、电压放大倍数和源电压放大倍数；（3）如果发射极旁路电容开路，画出此时放大电路的交流通路和小信号等效电路，并再次求放大电路的输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。4.典型的静态工作点稳定共射放大电路解：（1）计算静态工作点满足（2）计算动态参数4.典型的静态工作点稳定共射放大电路不接负载，电路的电压放大倍数

不考虑信号源内阻，不接负载时电压放大倍数最大；考虑信号源内阻，接入负载时电压放大倍数最小。源电压放大倍数4.典型的静态工作点稳定共射放大电路（3）断开

后去掉旁路电容后，电压放大倍数下降很多。4.典型的静态工作点稳定共射放大电路5.共射放大电路的特点

共射放大电路输入电阻和输出电阻大小适中，输出电压与输入电压反相。由于共射放大电路的电压、电流和功率增益都比较大，因而应用广泛，适用于一般放大电路或用作多级放大电路的中间级。

2.3.2共集电极放大电路1.直流分析

2.3.2共集电极放大电路2.交流分析（1）输入电阻其中

2.3.2共集电极放大电路（2）输出电阻

将独立电源用短路代替，断开负载，信号源短路，在输出端口加电压源

2.3.2共集电极放大电路（3）电压放大倍数一般，因此共集电极电压放大倍数约等于1，共集电极放大电路的输出电压与输入电压不但大小近似相等，而且相位相同，故又称为“射极跟随器”。

2.3.2共集电极放大电路3.共集电极放大电路的特点

共集电极放大电路具有电压放大倍数小于1而接近1，输出电压与输入电压同相，输入电阻大，输出电阻小等特点。

对信号源的影响小，常用作多级放大电路的输入级，比如用于交流毫伏表、示波器等测量仪器的输入级。

共集电极放大电路输出电阻很小，因而具有较强的带负载能力，因此，它常用作多级放大电路的输出级，比如构成集成运放的输出级。

在级间起到隔离和阻抗变换的作用，这时候又称其为缓冲器。

2.3.2共集电极放大电路4.其他形式的共集电极放大电路（1）直流分析：与典型的静态工作点稳定共射放大电路相同。

4.其他形式的共集电极放大电路（2）交流分析：

4.其他形式的共集电极放大电路

4.其他形式的共集电极放大电路解：静态工作点

4.其他形式的共集电极放大电路

2.3.3共基极放大电路

输入信号

由发射极输入，输出信号

由集电极引出，基极是公共端，所以称之为共基极放大电路。（1）

直流分析2.交流分析

2.3.3共基极放大电路

2.3.3共基极放大电路3.共基放大电路的特点

共基放大电路具有输出电压与输入电压同相，电压放大倍数高，输入电阻小，输出电阻适中等特点。由于共基放大电路具有较好的高频特性，所以广泛应用于高频或宽带放大电路中。

2.3.3共基极放大电路【例2.3.4】图2.3.21（a）所示共基放大电路中，已知晶体管的，求：（1）静态工作点；（2）求输入电阻、输出电阻、电压放大倍数和源电压放大倍数。，，，，，，，，电容的容量足够大。2.3.4共源放大电路1.固定偏置电路（1）直流分析1.固定偏置共源放大电路（2）交流分析增强型场效应管工作于放大区耗尽型场效应管工作于放大区1.固定偏置共源放大电路（

，则受控源

，相当于受控源开路）

（2）交流分析2.自给偏压共源放大电路（1）直流分析2.自给偏压共源放大电路（2）交流分析去掉旁路电容后放大倍数会降低3.分压式自偏压共源放大电路（1）直流分析将

代入得：3.分压式自偏压共源放大电路（2）交流分析接入负载

，则电压放大倍数为3.分压式自偏压共源放大电路3.共源放大电路的特点

共源极放大电路输入电阻高，根据实际情况，输出电阻可以在几百Ω～十几kΩ之间，具有一定的电压放大能力，输出电压与输入电压反相。3.分压式自偏压共源放大电路【例2.3.5】由N沟道增强型场效应管组成的共源放大电路如图2.3.29所示，已知场效应管的开启电压，电源

，试求其静态工作点和放大电路的性能参数输入电阻、输出电阻和电压放大倍数。，3.分压式自偏压共源放大电路解：增强型N沟道场效应管放大区偏置条件3.分压式自偏压共源放大电路2.3.5共漏放大电路

输入信号从栅极G输入，输出信号从源极S输出，称之为共漏极放大电路，也称源极输出器。

直流通路与【例2.3.5】相同，静态工作点的计算也可用前面的方法完成。2.3.5共漏放大电路Ri高，Ro低，Au<1，输出电压uo与输入电压ui同相。2.3.6共栅极放大电路

输入信号由源极S输入，输出信号由漏极D输出，它们以栅极G为公共端，所以称为共栅极放大电路。2.3.6共栅极放大电路1.直流分析2.3.6共栅极放大电路2.交流分析(,,相当于受控源断开）2.3.6共栅极放大电路3.共栅极放大电路的特点

共栅极放大电路与晶体管共基极放大电路的特点类似，输入电阻小，输出电阻大，具有较大的电压放大倍数，输出电压与输入电压同相，多用于高频和宽带放大电路中。组态输出电压与输入电压的相位关系CE>100反相几百Ω

～

几kΩ几百Ω

～

十几kΩCC≈1，<1同相几十kΩ～几百kΩ小至十几ΩCB>100同相小至十几Ω几百Ω

～

十几kΩCS几

～

几十反相>1MΩ几百Ω

～

十几kΩCD<1同相>1MΩ几百Ω

～

几kΩCG>100同相很小较大，带负载能力不强2.3.7

共射放大电路（CE）的Multisim仿真

静态工作点测量2.3.7

共射放大电路（CE）的Multisim仿真

动态参数测量输入信号幅度100mV信号失真输入信号幅度10mV输出信号与输入信号反相输入信号幅度过大、静态工作点不合适工作点，输出信号会失真。2.3.7

共射放大电路（CE）的Multisim仿真2.3.8

基本组态放大电路的应用2.3.8

基本组态放大电路的应用简易遥控风扇

2.4差分放大电路2.4.1基本差分放大电路2.4.2电流源电路2.4.3电流源差分放大电路2.4.4差分放大电路的差模传输特性

2.4.1基本差分放大电路

特点：1.结构对称2.双电源供电3.抑制由于温度引起的零点漂移。

零点漂移：没有输入信号时，用灵敏的直流表测量输出端，也会

有变化缓慢的输出电压。

输入信号

和

从两个晶体管的基极加入，输出信号从两个集电极之间取出。RE为差分放大电路的公共发射极电阻，用来抑制零点漂移并决定晶体管的静态工作电流。

2.4.1基本差分放大电路

1.直流分析（静态分析

）输入信号为零时，输出也为零。具有稳定的静态工作点以及很小的温度漂移。

2.4.1基本差分放大电路

实际电路很难做到完全对称，实用中常在晶体管发射极加一个调零电阻

2.4.1基本差分放大电路

2.交流分析几个基本概念（1）差模输入电压（2）共模输入电压

（3）差模输出电压

（4）共模输出电压（5）输出电压

（6）共模抑制比

2.4.1基本差分放大电路

任意信号可以分解成共模信号和差模信号的组合

两种特殊情况：差模输入电压共模输入电压输出电压②①

2.4.1基本差分放大电路

差分放大电路的输入信号可以是直流信号，也可以是交流信号，但是需注意，输入信号幅度很小，不然放大电路容易进入非线性区，输出波形会失真。差模和共模电压放大倍数的测量（1）测量差模电压放大倍数假设差分放大电路两个输入端的信号差模输入电压共模输入电压输出电压差模增益

2.4.1基本差分放大电路

（2）测量共模电压放大倍数假设差分放大电路两个输入端的信号差模输入电压共模输入电压输出电压共模增益

2.4.1基本差分放大电路

当开关S1切换到左边时，测量的是差模电压放大倍数当开关S1切换到右边时，测量的是共模电压放大倍数

2.4.1基本差分放大电路

输入交流信号时的差分放大电路电压放大倍数仿真开关S1与左边相连测量差模电压放大倍数开关拨到右边测量共模电压放大倍数输入信号幅值为10mV，1、2结点电压有效值为14.142mV

2.4.1基本差分放大电路

【例2.4.1】已知差分放大电路输入信号，，（1）试求差模输入电压和共模输入电压。，，求该输出电压和（2）如解：（1）差模输入电压共模输入电压（2）输出电压共模抑制比

2.4.1基本差分放大电路四种工作方式：单入单出、单入双出双入单出、双入双出

两输入端有一个端口直接接地的，称为单端输入。当信号从一只晶体管的集电极输出，负载电阻一端接地，称为单端输出。

2.4.1基本差分放大电路（单入单出）

差分放大电路动态参数的计算（1）单端输入单端输出

2.4.1基本差分放大电路（单入单出）

①电压放大倍数

由于结构的对称性，由差模部分产生的动态电流在流过时互相抵消。（a）差模输入

2.4.1基本差分放大电路（单入单出）

如果信号是从第二个晶体管的集电极输出，则差模电压放大倍数为（b）共模输入

2.4.1基本差分放大电路（单入单出）

越大，共模电压放大倍数就越小，共模抑制能力越强，各种干扰信号大多属于共模信号，所以差分放大电路的抗干扰能力强。②输入电阻

差模输入电阻加有调零电阻

2.4.1基本差分放大电路（单入单出）

共模输入电阻加有调零电阻③输出电阻令时，

差模和共模输出电阻都等于

2.4.1基本差分放大电路（双入单出）

（2）双端输入单端输出

电压放大倍数，输入电阻和输出电阻的计算公式与单端输入单端输出是一样的。

2.4.1基本差分放大电路（双入双出）

（3）双端输入双端输出

2.4.1基本差分放大电路（双入双出）

差模输入部分等效电路差模输入电压

两管集电极之间接的负载电阻RL，两管集电极电位一增一减，且变化量相等，负载电阻RL的中点电位为信号零电位，因此，每边电路的等效负载电阻为

2.4.1基本差分放大电路（双入双出）

①电压放大倍数差模电压放大倍数共模电压放大倍数电路完全对称，对于共模信号，有

2.4.1基本差分放大电路（双入双出）

②输入电阻差模输入电阻

2.4.1基本差分放大电路（双入双出）

③输出电阻断开负载，接上电压源

2.4.1基本差分放大电路（单入双出）

（4）单端输入双端输出

与双端输入双端输出相同

2.4.1基本差分放大电路

解：（1）单端输出静态工作点根据基尔霍夫电流定理，可得由于输出回路不对称，使得（2）双端输出静态工作点（3）单端输出差模和共模电压放大倍数、差模和共模输入电阻、输出电阻、共模抑制比（4）双端输出差模和共模电压放大倍数、差模和共模输入电阻、输出电阻、共模抑制比2.4.2电流源电路提供恒定电流，交流等效电阻很大，而直流电阻较小。在差分电路中代替

，在模拟集成电路中常用作偏置电路和有源负载。1）比例电流源与成比例多路比例电流源2.4.2电流源电路2）镜像电流源2.4.2电流源电路2.4.2电流源电路

镜像电流源不适合设计微小电流。2.4.2电流源电路3）微电流源（Widlarcurrentsource）图2.4.18微电流源微电流源适合设计微小电流。电流源电路为放大电路提供合适的静态工作电流2.4.2电流源电路电流源电路具有很大的动态电阻空载时提高了电压放大倍数2.4.2电流源差分放大电路电流源具有很大的动态电阻，采用电流源的差分放大电路抑制共模的能力更强，在集成电路中应用广泛2.4.2电流源差分放大电路解：（1）求静态工作点2.4.2电流源差分放大电路思考：差分放大电路如何实现单端输出方式具有双端输出效果2.4.2电流源差分放大电路图2.4.21单端输出具有双端输出效果（a）差模输入

（b）共模输入2.4.3差分放大电路的差模传输特性差分放大电路应用非常广泛：1.多级放大电路的输入级，有效抑制温度对电路的影响。2.用作构成自动增益控制电路和模拟乘法器。3.用作构成大信号限幅电路和开关电路，可有效提高

开关速度。4.用作构成波形变换电路。差分放大电路*讨论1.差分放大电路的结构和性能有何特点？

2.差分放大电路中，公共发射极电阻RE对共模信号有何影响，为什么？对差模信号有何影响，为什么？为何要用电流源代替公共发射极电阻RE

？*3.差分放大电路中，单端输出与双端输出在性能上有何异同？单端输入与双端输入在性能上有何异同？

答案答案答案4.简述差分放大电路抑制零漂与共模干扰的原理。

答案讨论小结答：电路结构左右对称，具有两个输入端，可以双端输出。对差模输入电压具有放大作用，对共模信号和零点漂移具有很强的抑制作用。1.差分放大电路的结构和性能有何特点？返回答：RE对共模信号有很强的抑制作用。因为当加上共模输入信号时，两管电流均流过RE，RE通常又比较大，因此会产生很强的负反馈，迫使共模输出很小。理想情况下，RE对差模信号不产生影响。因为输入差模信号时，一管电流增大，另一管电流减小，当电路理想对称时，一管电流的增加量与另一管的减小量相等，流过RE的电流保持不变，即RE对差模信号不产生负反馈作用，故差模输出大小不受RE影响。从提高对共模信号抑制能力的角度讲，公共发射极电阻RE越大越好，但RE过大时，为保证三极管有合适的静态工作电流，必须加大负电源VEE值，这是不合适的。用电流源代替RE，则不但能提供合适、稳定的静态电流，而且由于电流源对信号而言等效为非常大的动态电阻，因此能大大提高共模抑制能力。2.差分放大电路中，公共发射极电阻RE对共模信号有何影响，为什么？对差模信号有何影响，为什么？为何要用电流源代替公共发射极电阻RE

？返回答：单端输出与双端输出相比，差模输出电压减小，共模输出电压增大，共模抑制比下降，输出电阻减小，但差模输入电阻相同。单端输入与双端输入在性能上基本没有差别。*3.单端输出与双端输出在性能上有何异同？单端输入与双端输入在性能上有何异同？讨论小结返回讨论小结4.简述差分放大电路抑制零漂与共模干扰的原理。

答：双端输出时，电路结构的对称性使共模输出电压相互抵消，同时共模电阻很强的电流负反馈作用使共模输出信号进一步减小。

单端输出时，靠共模电阻很强的电流负反馈作用抑制共模信号。

零漂可等效为共模信号，因此两者的抑制原理相同。

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路复合管:由两个或多个晶体管组合而成作用：增强电流放大能力、提高输入阻抗或优化开关性能。典型应用场景功率放大：音频放大器、电源稳压器。开关控制：继电器驱动、LED照明控制。传感器接口：光电传感器、微弱信号放大

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路两只管型相同，等效为组成它们的晶体管相同管型的管子不同管型，等效成与VT1管相同的管子场效应管与晶体管也可以组成复合管，但场效应管必须在前，晶体管在后1.复合管电流放大系数

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路2.复合管输入电阻同种类型管子组成的复合管，其输入电阻不同类型管子组成的复合管，其输入电阻

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路复合管构成原则（1）需保证前一个管子的输出电流与后一个管子的输入电流的实际方向相同。（2）外加偏置电压需保证每个管子都工作在放大区。（3）为实现电流放大，应将第一只管子的集电极（漏极）或发射极（源极）电流作为第二只管子的基极电流。

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路3.复合管放大电路1）复合管共射放大电路解：

复合管共射放大电路与单管的电压放大倍数相当，Ri明显变大

复合管共集放大电路

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路

2.5复合管（也称达林顿管）放大电路

与单管共集放大电路相比，输入电阻大大提高，而输出电阻大大减小。

脑瓜是不是嗡嗡的？模拟电子技术第3章多级放大电路3.1多级放大电路概述 3.2功率放大电路 3.3集成运算放大器简介3.1多级放大电路概述3.1.1耦合方式 3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算

3.1.1耦合方式

多级放大电路两级或两级以上的基本单元电路连接起来与信号源相连，常采用差分放大电路（抑制零漂）输入级与输出级之间，常采用共射放大电路（放大倍数比较大）与负载相连，常采用功率放大电路（提供足够大的功率驱动负载）

3.1.1耦合方式耦合方式直接耦合电容耦合变压器耦合光电耦合目的：有效传输信号；直流工作状态不受影响。直接耦合A1A2电容耦合A1A2光电耦合A1A2变压器耦合A1A2常用耦合方式的优缺点及适用场合QQQ常用耦合方式的优缺点及适用场合

3.1.1耦合方式

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算1.电压放大倍数分贝表示注意：在计算各级电压放大倍数时，后一级输入电阻应作为上一级的负载。2.输入阻抗3.输出阻抗等于第一级的输入电阻等于最后一级的输出电阻

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算【例3.1.1】图3.1.3所示两级共射放大电路，已知晶体管V的电流放大系数β1

=100，rbe1=5kΩ，V2管的电流放大系数β2

=100，rbe2=5kΩ，试求放大电路的电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro

。

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算解：第二级的输入电阻为第一级的负载

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算两级放大电路的输入电阻等于第一级的输入电阻，即输出电阻等于第二级的输出电阻，即

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算【例3.1.2】电子助晶体管V1的电流放大系数β1

=60，rbe1=2kΩ，V2管的电流放大系数β2

=100，rbe2=2kΩ，V3管的电流放大系数β3

=100，rbe3=2kΩ，UBE1=

UBE2=

UBE3=

0.7V。试估算电路的静态工作点和动态参数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算解：1.求静态工作点

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算第三级为共集放大电路

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算2.求动态参数

3.1.2多级放大电路动态性能指标及估算（2）输入电阻等于第一级的输入电阻（3）输出电阻等于最后一级的输出电阻令输入信号为零，输出端口加电压源u第3章多级放大电路3.1多级放大电路概述 3.2功率放大电路 3.3集成运算放大器简介

3.2.1功率放大电路的分类功率放大电路的主要目的是获得较大的不失真的输出功率，一般在大信号状态下工作，功率放大电路要求输出功率大、效率高、功放管散热好、信号非线性失真小。甲类功放乙类功放甲乙类功放分类：

3.2.1功率放大电路的分类甲类功放

工作在放大区，静态功耗大，失真小，效率低，用于小信号放大甲类(

=2

)

tiCO

Icm

2ICQ

乙类功放乙类(

=

)

tiCO

Icm

2ICQ

工作在截止区，半个周期导通，失真很大，推挽结构减小失真。甲乙类功放甲乙类(

<

<2

)

tiCO

Icm

ICQ2

工作点靠近截止区，大半个周期工作，效率高，消除了交越失真。3.4.2乙类双电源互补对称功率放大电路乙类功放推挽结构ui=0时，V1、V2截止,uO=0。假设晶体管死区电压为零，则iOui<0V2导通

V1截止iO=-iC2,uO

uiiO=iC1,uO

uiiOui>0V1导通

V2截止两管特性应一致理想工作波形uO

uiOtUomiC1OtIcmiC2OtIcmiOOtIom=Icmui=0时，V1、V2截止,uO=0。假设晶体管死区电压为零，则iOui<0V2导通

V1截止iO=-iC2,uO

uiiO=iC1,uO

uiiOui>0V1导通

V2截止3.4.2乙类双电源互补对称功率放大电路

3.2.1功率放大电路的分类

当输入信号小于死区电压（硅管约为0.5V，锗管约为0.1V）时，管子仍处于截止状态，所以输出信号在过零点附近区域会出现失真，这种失真称为“交越失真”。

3.2.1功率放大电路的分类常见的几种甲乙类功率放大电路，图中VT1管为推动极，驱使VT2管和VT3管组成的互补推挽甲乙类功率放大电路工作。UB2B3略大于2UBE，VT2和VT3微导通且交替工作，导通时间都略大于输入信号的半个周期，不会出现交越失真。

3.2.2功率放大电路输出极功放输出级采用电路OTL(OutputTransformerLess)OCL(OutputCapacitorLess)BTL(BalancedTransformerLess)

3.2.1功率放大电路的分类单电源供电，输出端接有一个大容量的电解电容1.OTL(OutputTransformerLess)

3.2.1功率放大电路的分类（1）

输出功率和最大不失真输出功率设输入电压u1=Uimsinωt

，则输出电压为输出功率最大不失真输出电压幅值最大输出功率

3.2.2功率放大电路输出极因为每个管子轮流工作半个周期，所以电源提供的平均功率为（2）

直流电源的供给功率当最大输出电压幅度时

3.2.2功率放大电路输出极效率指负载获得的功率与电源提供的功率之比，即（3）

效率当最大输出电压幅度时，可得乙类互补对称功放电路的最高效率等于

3.2.2功率放大电路输出极（4）

管耗每个晶体管的管耗为令，可得每个管子的最大功耗

3.2.1功率放大电路的分类OCL乙类功放电路，电压大小相等、极性相反的正负双电源供电，输出端没有电容。2.OCL(OutputCapacitorLess)

3.2.2功率放大电路输出极最大不失真输出电压幅值（1）

输出功率和最大不失真输出功率最大输出功率：

3.2.2功率放大电路输出极由于两个管子轮流工作半个周期，而每个电源只提供半个周期的电流，所以两个电源提供的总平均功率为：（2）

直流电源的供给功率当时：直流电源供给的最大功率：

3.2.2功率放大电路输出极效率指负载获得的功率与电源提供的功率之比，即（3）

效率乙类互补功放电路的最高效率：当时：

3.2.2功率放大电路输出极（4）

管耗每个晶体管的管耗为令，可得每个管子的最大功耗，当时，即，晶体管的功耗达到最大值，管耗最大时输入电压的振幅：为保证输出波形不失真，输入电压的最大幅度：

3.2.1功率放大电路的分类

为了在较低的电源电压作用下获得较大的输出功率，可采用BTL电路。3