AI驱动存储涨价行情延续长存长鑫本土产能扩张带动国产链机机遇

AI驱动存储涨价行情延续，评级：强大于市摘要：核心观点l存储芯片：AI服务器需求驱动，预计26Q2DRAM/NAND价格持续环比提升26Q1存储芯片价格速递：据Trendforce数据，26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，估算一般型DRAM合约价环比提升93%~98%；估算NANDFlash合约价环比提升85%~90%。26Q2存储芯片价格展望：据Trendforce数据，AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，预估一般型DRAM(ConventionalDRAM)合约价格仍将季增58-63%，预计NANDFlash合约价格将季增70-75%。分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态随机存取存储器研发，预计2026年现有三厂产能全部达产。摘要：投资建议l存储扩产+国产替代双轮驱动，设备材料迎来高景气兑现期。风险提示：（1）下游需求不足风险：若宏观环境变化，下游需求不足，将影响公司产品需求。（2）地缘政治风险：若美国对中国政策变化，可能会导致公司稳定经营受到冲击。（3）核心竞争力风险：半导体行业技术的发展和迭代速度较快，若产品无法满足客户需求，将可能对公司经营业绩造成不利影响。（4）估值风险：公司可能存图5：重点公司财务指标及估值情况图5：重点公司财务指标及估值情况润预计增速先进封装通富微电先进封装刻蚀设备北方华创半导体设备龙头大容量存储澜起科技存储接口芯片存储芯片价格存储供给未来周期图国内存储制造端进展行业研判与投资建议存储芯片：AI服务器需求驱动，预计26Q2DRAM/NAND价格持续环比提升l26Q1存储芯片价格速递：据Trendforce数据，26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全l从存储合约价看—据Trendforce数据1）DRAM：估算26Q1季度一般型DRAM合约价环比提升93%~98%2）NAND：估算26Q1季度NANDFlash合约价环比提升85%~90%。l从存储大厂看—（1）SK海力士：26Q1季度，DRAMASP环比提升65%(mid-60%)，NANDASP环比提升75%(mid-70%)2）美光：FY26Q2季度，DRAMASP环l26Q2存储芯片价格展望：据Trendforce数据，AI服务器l（1）DRAM：2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Convention图1：26Q1季度图1：26Q1季度AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，一般型DRAM合约价环比提升93%~98%；NANDFlash合约价环比提升85%~90%076543210全球半导体产品平均单价指数(3MMA，1991年3月=1，右轴)库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升美光：FY26Q2美光存货天数121天，环比-3天库存下降2000年8月存储芯片价格领先半导体芯片平均价格4个月下跌存储芯片价格领先半导体芯片平均价格2个月下跌2007年1月2018年12月2019年11月存储芯片价格领先半导体存储芯片价格领先半导体存储芯片价格领先半导体均价格6个月上升芯片平均价格2个月下跌芯片平均价格5个月上涨芯片平均价格2个月上涨存储芯片库存下降库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升库存至阶段性低点后，存储芯片价格开始回升率先调整企稳半导体产品平均单价下跌半导体产品平均单价回升存储芯片价格领先半导体芯片平主动去库存2009年1月存储芯片(美元/颗，左轴)半导体行业库存上升半导体行业库存下降存储芯片价格下跌存储芯片价格企稳2001年12月存储芯片2000年12月2018年10月2006年11月2009年6月2019年9月2002年6月完成调整存储供给未来周期图(中国的机会及产业链的机会)DRAM/NANDFlash存储市场呈现DRAM/NANDFlash存储市场呈现$206亿他其他$10亿兆易创新NANDFlash:CR5达95%Solidigm)$140亿WDC$72亿NANDFlash:CR5达95%Solidigm)$140亿WDC$72亿$95亿$85亿28亿美元(2024年) NORFlash(占比1.7%)EEPROM等 行业概况产业链及产业周期供需格局公司分类2026财年（2026年4月-2027年3月），预计铠2026年预期资本支出约400亿美元，半导体支重点是HBM和LPDDR5/LPDDR6厂扩建，预计到2026年底出货量增加15上游-原材料+设备中游-存储器模组制造 (原厂)性能分类原理示意图关键制程节点路径NANDFlash通过电子隧穿进浮栅276L3DNANDDRAM通过电容存储电荷10nm(1β)HBM(高带宽存储)0全球存储芯片市场规模(亿美元，3MMA)86420存储芯片平均单价(美元/颗，3MMA)AI手机/AIPCAI手机/AIPC对存储需求升级→单机平均容量翻2/4倍+移动终端出货量稳定→总存储容量需求数倍增长0全球智能手机出货量(亿部)全球PC出货量(亿台）3.23.12.82.62.62.62.73.03.52.92.522013201420152016201720182019202020212022下游-应用领域境外(含港澳台)LamTELAMAT中国大陆北方华创中微公司境外(含港澳台)TEL应用材料中国大陆拓荆科技北方华创境外(含港澳台)Kingston中国大陆江波龙佰维存储德明利朗科科技境外(含港澳台)Marvell慧荣科技中国大陆联芸科技得一微境外(含港澳台)中国大陆深科技华天科技长电科技通富微电行业规律：每投资1美金算力→对应投资0.5美金存储Yole预计26年全球HBM市场规模将达460亿美元，占DRAM市场比重达35%，CAGR(24~30)将达33%0 2%34.0202220232024202520262027202820中国大陆华卓精科中国大陆华卓精科ASML尼康佳能境外(含港澳台)美光三星SK海力士中国大陆长江存储长鑫存储境外(含港澳台)三星铠侠SK海力士中国大陆兆易创新北京君正东芯股份普冉股份国内存储制造端进展：长存长鑫开启IPO进度条，未来产能计划持续扩张长江存储：开启上市辅导备案，产能持续提升长江存储：开启上市辅导备案，产能持续提升5月19日，长江存储控股股份有限公司（长控集团）已在湖北证监局完成辅导业第三个千亿级项目，原计划2027年量产，现提前至2026年下半年量产，新增月产能10万片12英寸晶圆，达产后总月产能将提升至30万片。公司还规划再建两座全新晶圆厂，项目全部落地后晶圆总产能将较当前水平提升超100%。图3：长江存储不同阶段技术突破进度图3：长江存储不同阶段技术突破进度2014年10月2015年6月2016年7月2017年11月2019年9月2021年2023年项目正式启动芯片通过电气性能验证NAND测试芯片T/O(设计完成)成首次验证量产基于64层第三代TLC/QLC第四代TLC/QLC第五代TLC发成功并量产12个月15个月2025年2025年2月，长江存储宣布全球首款速度突破7000MB/s，良率超90%，性能全面比肩三星顶级产品。同年，长江长鑫存储：长鑫存储：IPO恢复审核，指引单季利润环比持续高增长鑫科技现有合肥一期、合肥二期及北京三条12英寸生产线，长鑫拟募资295亿元，其中75/130/90亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态图4：长鑫存储不同阶段技术突破进度图4：长鑫存储不同阶段技术突破进度2017年102018年底2019年Q32019年9月动成功实现DDR5内存芯片量产20192019年世界制造业大会与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8GbDDR4首度亮相。2024年12月24日，据ZDNetKorea报道，CXMT已成功实现DDR5内存芯片资料来源：wind，长江存储，长鑫存储，合肥产投集团官微，ICinsights，TechInsights，芯光社，新华社，Deeptech，闪存市场，半导体行业观察，芯智讯，硬件世界投资建议与风险提示l长鑫2025年底拟募资295亿元，其中75/130/90亿元分别投向量产线技术升级改造/DRAM技术升级/动态随机存取存储器研发，预计2026年现有三厂产能全部达产；长存三期项目提速，2026年初已安装洁净厂房设备，年内有望实现量产，结合考虑两存IPO或有序推进，两存未来扩产确定性较强，中长期产能规模有望大幅提升，预计将带动国产半导体设备、半导体材料以及封测环节订单的持续提升，进而增厚相关产业链公司收入司包括①设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、微导纳米、芯源微、精测电子、中科飞测、矽电股份、金海通、精智达、长川科技等；②材料：江丰电子、鼎龙股份、神工股份、艾森股份、兴福电子、上海新阳、安集科技等；③封测：长电科技、通富微电、华天科技、汇成股份、深科高增。相关公司