T∕CASAS 005-2025 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法 多脉冲硬开关法

Dynamicon-resistancetestmethodforGaNtransistor(HEMT):multi-pulsehard-switchingtechI 2 3 3 3 3 5 6 6 7 8前言第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定硬开关法”——引言补充了“本标准测试所涉及的硬开关电路，在原理上与现有国际标准IEC63373:2022、JEP173:2019保持一致。但鉴于现有国际标准缺乏具体测试方案，本标准重点明确了测试并推荐采用多脉冲预应力技术，以实现GaN功率器件动态导通电阻的精准、稳定测量。”——测试原理补充了“本标准测试电路也适用于电阻负载测0。”相关说明文本。主要针对目前行业有普遍采用硬开关电阻负载模式进行GaN功率器件动态导通电（1）第一版中“针对连续脉冲测试，连续脉冲单次测试时间（tcp_s）宜在100μs～1s，电压反偏应力时间应在50ms以上，连续脉冲累计测试时间宜在1s～1min，以取得稳定测试结果；”调整为：“针对连续脉冲测试，室温测试条件下，推荐连续脉冲单次测试时间（tcp_s）宜在100μs～1s，电压反偏应力时间应在50ms以上，连续脉冲累计测试时间宜在1s～1min，以取得稳定测试结果；”。（2）第一版中“针对双脉冲测试，电压反偏应力时间应在20ms以上，双脉冲累计测试次数不低于在20ms以上，双脉冲累计测试次数不低于20次，以取得稳定测试结果；”。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。在电力电子系统中，GaNHEMT功率器件的开通和关断过程存在漏源电压和漏极电流都不为零的工同时承受高压应力及热电子冲击，器件中二维电子气的一些电荷可能会被束缚在晶体管结构的特定区上与现有国际标准IEC63373:2022、JEP173:2019保持一致。但鉴于现有国际标准缺乏具体测试方案，本标准重点明确了测试方法与流程，并推荐采用多脉冲预应力技术，以实现GaN功率器件动态导通电阻l氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）动态导通电阻测试方法多脉冲硬开关法本文件描述了用于硬开关切换电路的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体3.13.2RDS(dyn)3.3VDS(off)3.4toff3.5ton3.6延迟时间measurementtimeaftertm(on)23.7tstress被测器件在开启脉冲之前的经受电压反偏应3.8连续脉冲单次测试时间singletesttimeduringcontinuousplutcp_s在连续脉冲测试模式下，被测器件的单次测试3.9连续脉冲累计测试时间cumulativetesttimeduringcontinuousptcp_c在连续脉冲测试模式下，被测器件的累计测试3.10双脉冲累计测试次数tolalnumberofdoNDP4测试原理路中未耗散的电流直接流向被测器件。连续脉冲条件下需要调节本标准测试电路也适用于电阻负载测试模式，此时可以认为负载电VdcVdcCdcRLLDUTRshDRonRoff3动态导通电阻测试模块计算机控制及数据采集系统DUT注2：电源系统。用于为测试过程中提供漏极（VDS）的高压电源及栅极（VGS4将器件安装在测试装置上将器件安装在测试装置上设置测试参数（VDS电压、负载电感量、负载电阻值、开启/关断切换速度、开/关脉冲宽度、首个脉冲电流、延迟时间、电压反偏应力时间、双脉冲累计测试次数等）在第二个脉冲时，当漏极导通电流ID电流上升到设定值后，同时测量VDS(ON)与ID，并计算得到RDS,dyn根据测试结果，判断RDS,dyn值是否稳定输出最终测试结果将器件安装在测试装置上设置测试参数（VDS电压、负载电感量、负载电阻值、开启/关断切换速度、开/关脉冲宽度、连续脉冲单次测试时间、延迟时间、电压反偏应力时间、连续脉冲累计测试时间等）在连续脉冲阶段，当漏极导通电流D电流上升到设定值后，同时测量VDS(ON)与ID，并计算得到RDS,dyn根据多次重复测量结果，判断RDS,dyn值是否稳定输出最终测试结果a)连续脉冲测试模式IIID/I=/IID=/I5ID7.2测试流程a）根据GaN功率器件的芯片或封装形式，选择比较电流值（ID.com）、栅极工作电压（VGS(ON)）、栅极关态电压（VGS(OFF)）、开态脉冲宽度电压反偏应力时间（tsrtess）、重复次数、延迟时间（tm.on）等参数；具体测试要求如下：2)设定电流（ID.com）应达到器件额定连续工作电流的10%以上，源漏极压降（VDS(off)）工3)器件的开启/关断、关断/开启的切换速度dVDS/dt应大于10V/ns；5)针对连续脉冲测试，室温测试条件下，推荐连续脉冲单次测试时间（tcp_s）宜在100μs~注：tcp_s小于1ms时，应保证测试电路系统运行时不处于欠压状态；tcp_s时间超过100μs时，应考虑测c）当被测器件处于导通状态且漏极导通电流ID达到设定值ID.com时，在tm.on后同时测试被测器件的漏极导通电流ID以及漏源极导通压降VDS，计算得到动态导通电阻值RDS.dyn；d）根据多次重复测试结果，判断所测试的动态导通电阻RDS.dyn值是否稳定（变化率小于3%6a)被测试器件漏极导通电流ID；b)被测试器件源漏极导通压降VDS；c)动态导通电阻值RDS.dyn=VDS/ID。7选源漏极压降(VDS(0FF))：电流设定值(ID.com)：电压反偏应力时间（tsrtess开态脉冲宽