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文档简介

1、ZnO纳米阵列的水热合成,班级材料工程801某王恒艺指导老师云斯宁,氧化锌是重要的直接带隙宽禁带半导体材料,室温下带隙宽3.37 eV,激子键合能达60 meV,具有蓝光至紫外带的发光性能,这是氧化锌的光伏可用于ZnO纳米阵列的水热合成、研究背景、透明导电膜、声表面波器件、真空荧光显示器、光激发激光器、气体传感器、紫外光检测器等。 在化学工业、电子、生物、医药等多个领域显示了很多功能和用途。 用途、ZnO纳米阵列的水热合成、选择意义、近年来水热合成对物理气相沉积法、化学气相沉积法、溶胶凝胶法、分子束外延法、热蒸发法、阳极氧化铝模板法等方法能耗低、适用性广、可控性强、生产率高,因此这次、ZnO纳

2、米阵列的水热合成、实验内容,我们用ZnCl2溶液和浓氨水在铜和硅等不同衬底上制备了不同特征的ZnO纳米阵列。 对得到的物质SEM和XRD图有可能出现的状况和某个图案表示的生成物的结构形态进行了研究。 ZnO纳米阵列的水热合成、实验方法、ZnO纳米阵列的水热合成,首先在300的条件下,在Si(100 )片上磁控溅射厚度约300nm的ZnO缓冲层,作为ZnO纳米棒的生长基板。 向浓度为0. 05mol/L的ZnCl2(上海新宝精细化工工厂)溶液70ml中加入质量浓度为25%的浓氨水(焦作信赖化学工业) 2ml,向其中加入适量的去离子水调整溶液的pH值10. 0,作为反应溶液。 将基板垂直浸入反应溶

3、液中,放入反应釜中密封后,放入温度95的恒温水槽中。 反应时间分别为2、3、4、5h,以下分别称为14号样品,制备ZnO纳米管,将纯度99. 99%的铜箔垂直浸渍在反应溶液中(配置方法与ZnO纳米棒的制备实验相同),放入反应釜中密封,放入温度95设定的恒温水槽中。 2. 5h加热后取出反应釜,放入温度设定为45的恒温水槽中冷却。 取冷却时间为1. 5、2. 5、3. 5h的样品,分别研究57号样品、ZnO纳米阵列的水热合成、ZnO纳米棒的结果,对于14号样品,SEM在ZnO缓冲层牢固地致密分布在Si片上,如果显示XRD图,则为2 SEM图表明,随着反应时间的增加,当ZnO纳米阵列的长度和直径增

4、大时,有反应的温度、pH等条件是适合ZnO纳米阵列生长的环境。 ZnO纳米阵列的水热合成表明,SEM图随着冷却时间的增加,越来越多的ZnO纳米棒以中间溶解方式形成ZnO纳米管,溶解深度也逐渐增加。 纳米棒阵列在冷却时逐渐变为纳米管阵列,在铜基板上生长的ZnO纳米棒比溅射缓冲层的Si上生长的ZnO纳米棒排列、有序,ZnO纳米棒之间的相互挤出也影响ZnO纳米管的形态,ZnO纳米阵列的水热合成、 光学特性研究室温下用325nm的激光激发7号样品,如果样品有两个发光区,其中紫外区的发光峰强度强,半峰宽窄,可见光区也存在明显的发光峰,只是强度相对弱。 得到的ZnO纳米管具有优良的光致发光特性,说明了ZnO纳米阵列的水热合成,结合ZnO纳米阵列的水热合成,通过此

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