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文档简介

1、,组会遗留问题解答,问题1： 一般认为 ,非对称的 ( 102) 摇摆曲线展宽是由于穿透位错引起 , 而对称的 ( 002) 摇摆曲线展宽则是由于螺旋位错和混合位错引起 。,色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响,从图中可以清楚看到 (002) 面摇摆曲线峰型不对称 ,左边有很大的拖尾 , FWHM 为398 . (102) 摇摆曲线比较对称 , FWHM为 336 , 比 (002)小62 . GaN的(002) 摇摆曲线仅由螺位错和混合位错展宽 ,而 (102) 摇摆曲线被所有位错展宽,并且由于GaN外延膜中刃位错占大部分 。,博格斯矢量,位错尺寸的量度。当位错在晶体内滑动时，原子沿着

2、某一特定的方向相对于其邻近原子切变了某一特定的距离，表示这种原子位移的矢量定义为位错的伯格斯矢量。对螺型位错，位错线平行于伯格斯矢量；对刃型位错，位错线垂直于伯格斯矢量；对于混合型位错，位错线斜交于伯格斯矢量,问题2： 随着 AlN 厚度的进一步增加，界面的悬挂键增加 , 使得异质结界面的缺陷增加,所谓悬挂键，就是形成表面的过程中，相当于把一个无限大晶体劈成两半，那中间必然伴随着键的断裂。那么这些断了的键就是以单个电子的形式存在，比如说硅，是硅原子轨道sp3杂化后互相成键，现在断了一根，表面硅原子另外三根还是成键的，这表面的一根断了，就以sp3轨道电子的形式存在，当然是不稳定的，这就是所谓悬挂键。,小木虫论坛 ,悬挂键还有两种可能的带电状态：释放未成键的电子成为正电中心，这是施主态；接受第二个电子成为负电中心，这是受主态。它们对应的能级在禁带之中，分别称为施主和受主能级。在一般情况下，悬挂键保持只有一个电子占据的中性状态，在实验中观察到悬挂键上

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