结型场效应管(JFET)的结构和工作原理_第1页
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文档简介

1、.结型场效应管(jfet)的结构和工作原理1. jfet的结构和符号 n沟道jfet p沟道jfet2.工作原理（以n沟道jfet为例）n沟道jfet工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压vgs0.栅极沟道间的pn结反偏，栅极电流ig0，栅极输入电阻很高（高达107w以上）。n沟道中的多子（电子）由s向d运动，形成漏极电流id。id的大小取决于vds的大小和沟道电阻。改变vgs可改变沟道电阻，从而改变id。精品.主要讨论vgs对id的控制作用以及vds对id的影响。栅源电压vgs对id的控制作用当vgs0时，pn结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，id减小；vgs更负时，沟道更窄，i

2、d更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，id0。这时所对应的栅源电压vgs称为夹断电压vp。漏源电压vds对id的影响在栅源间加电压vgs0，漏源间加正电压vds 0。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为vgd=vgs-vds，比源端耗尽层所受的反偏电压vgs大,(如:vgs=-2v,vds=3v,vp=-9v,则漏端耗尽层受反偏电压为vgd=-5v，源端耗尽层受反偏电压为-2v),使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故vds对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。当vds增加到使vgd=vgs-vds=vp时，耗尽层在漏端靠拢,称为预夹断。当vds继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方

3、向延伸。由于夹断处电阻很大，使vds主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流id。预夹断后id基本不随vds增大而变化。精品.vgs对沟道的控制作用当vgs0时，pn结反偏耗尽层加厚沟道变窄。vgs继续减小，沟道继续变窄。当沟道夹断时，对应的栅源电压vgs称为夹断电压vp（或vgs(off)）。对于n沟道的jfet，vp0。vds对沟道的控制作用当vgs=0时，vdsid, g、d间pn结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vds增加到使vgd=vp时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vds夹断区延长沟道电阻id基本不变。vgs和vds同时作用时当vpvgs0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的vds，id的值比vgs=0时的值要小。在预夹断处,vgd=vgs-vds=vp(或vds=vgs-vp).精品.综上分析可知l沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。ljfet栅极与沟道间的pn结是反向偏置的，因此ig0，输入电阻很高。ljfet是电压控制电流器件，id受vg

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