半导体物理实验室建设立项申请报告.doc

新 余 高 专实验室建设立项申请报告申请 单 位: 太阳能科学与工程系实验室名称: 半导体物理实验室项目负责人: 刘波申请 日 期: 2009年2月新余高专教务处制一、实验室建设的论证报告及筹建规划1.实验室设置的必要性和可行性论证半导体器件物理课程是光伏产业技术、光伏器件设备制造技术等专业（本）专科生的专业基础课。要求学生掌握半导体材料的结构和主要特性。为学习后续课程以及今后从事对光伏器件的设计和性能改进打下基础。本实验室的功能主要是验证和反映半导体材料的微观结构和物理特性，通过实验可使学生巩固所学的知识，了解和掌握半导体材料的主要物理特性，锻炼实际动手能力。光伏技术专业是我校的重点特色专业，半导体器件物理课程的许多内容涉及物质的微观领域，抽象难懂，因此为提高教学质量，达到教学目标，应通过直观实际的实验帮助学生学习本课程。！因此半导体物理实验室的建设既可满足太阳能科学与工程系各专业的教学需要也可满足一定的科研实验的要求。，同时也可为教师的科研工作提供支持。因此，建设一个规范的、设施先进、良好的半导体基础实验室二也是十分必要的。本实验室和半导体器件实验室相互配合，各有所侧重，共同完成半导体器件物理课程的教学。本实验室共需建设经费约101.3万元。二、各课程实验内容与实验学时安排表序号课程名称实验项目名称学时应配仪器套数实验要求（必修或选修）时间1半导体器件物理半导体晶面的定向21选修第2学期2半导体器件物理Pn结物理特性220必修第2学期3半导体器件物理“四探针法”测量半导体的电阻率及薄层电阻220必修第2学期4半导体器件物理半导体霍尔系数及电阻率测量220必修第2学期5半导体器件物理半导体的热敏特性和禁带宽度220选修第2学期6“半导体器件物理光电导法”测量半导体少子寿命21必修第2学期7半导体器件物理MOS结构高频电容-电压特性测量220选修第2学期低值易耗品及材料消耗品计划单填报单位：太阳能科学与工程系 日期：2009年4月品 名型号规格单位数量单价(元)总额(元)用 途注：与半导体器件实验室共用 系领导签字： 盖章：三、仪器设备配置情况明细表 仪器名称型号规格承担实验项目(填序号)需购台件预计单价（万元）预计总价（万元）拟购置时间备注激光晶轴定向仪项目参数晶锭直径 38英寸 晶锭最大长度500 测定晶面（硅）111，100 定向精度30 最小读数1 科研1552009年需要厂家免费在使用单位专业培训PN结物理特性测定仪直流电源两组:量程分别为20V和1.5V连续可调数字电压表两组:四位半数字电压表,量程:2V,20V2200.275.42009年需要厂家免费在使用单位专业培训四探针电阻率测试仪数字电压表量程：0-199.99mv 灵敏度：10V 输入阻抗：1000M09999mV 灵敏度：1V 输入阻抗：10 M可测电阻率范围：0.0016000.cm3201.1222009年需要厂家免费在使用单位专业培训霍尔效应测试仪主要技术参数：1、励磁恒流源00.5A，调节细度1mA，稳定度10-5，3位半LED数显；2、样品工作电流源03.5mA，调节细度10A，稳定度10-5，3位半LED数显；3、直流数字毫伏表020mV，分辨率10V，3位半LED数显。4200.4659.32009年需要厂家免费在使用单位专业培训半导体热电特性综合实验仪电源: 恒流源：20.0A,温度范围: 0.0100.0 温度变化范围：0.0100.0，恒流源：20.0A，电压精度：0.01V 。5200.9819.62009年需要厂家免费在使用单位专业培训少子寿命测定仪专门测试Si Ge, 电阻率范围：0.11000.cm激光波长：904nm, 测试点大小：10mm2, 微波源：10GHZ少子寿命检测范围：100ns20ns 检测分辨率：0.16120202009年需要厂家免费在使用单位专业培训PDA紫外分光光度计。技术参数光源：钨灯&氘灯检测器：1024管光电二极管阵列波长范围： 1901100nm波长重复率：0.02nm光度测量范围：-3.0+3.0Au教研120202009年需要厂家免费在使用单位专业培训合计101.3四、实验室配套设施及环境改造情况表楼体名称房间号面积备注现有实验场所拟增实验场所一区(实验楼A座) 三层240平米2*120m22间实验室家具及配套设施名称规格型号预算单价（万元）数量预算金额（万元）实施时间安装地点实验台仪器柜预算金额合计 万元环境改造项目名称及内容工程用主要材料预算金额（万元）实施时间具体实施地点预算金额合计万元备注实验台