• 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 13539.4-2005
  • 1992-07-01 颁布
  • 1993-03-01 实施
©正版授权
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第1页
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第2页
GB 13539.4-1992 低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要求_第3页
免费预览已结束，剩余17页可下载查看

下载本文档

文档简介

UDC621.316.923.027.2K31中华人民共和国国家标准GB13539.4-92低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices1992-07-01发布1993-03-01实施国家技术监督局发布中华人民共和国国家标准低压熔断器半导体器件保护用熔断体的补充要求GB13539.4-92中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：100045电话：63787337、637874471993年3月第一版2005年11月电子版制作书号：1550661-26327版权专有侵权必究举报电话：010)68533533中华人民共和国国家标准低压熔断器GB13539.4-92半导体器件保护用熔断体的补充要求Low-voltagefusesSupplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices本标准参照采用国际标准IEC269-4(1986)低压熔断器华导体器件保护用熔断体的补充要术本标准应与GB13539.1一92低压熔断器本要求一起使用。除非本标准另有说明，半导体器件保护用熔断体，还应符合GB13539.1的规定。1主题内客与适用范围本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、7特性、电弧电压特性、试验和标志。本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。注：在多数情况下，以组合设备的一部分作为塔断体的底座。由于设备种类繁多，难以作出一般的规定。组合设备是否通合用作熔断体的底座，应由用户与制造厂协商。但是，当采用独立的婚断器底座或支持件时,则它们应符合GB13539.1的有关规定。这种熔断体通常称为“半导体熔断体”2引用标准GB321优先数和优先数系GB13539.11低压熔断器基本要求3术语、符号、代号3.1术语3.1.1半导体器件基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的-j一种器件、3.1.2半导体熔断体semiconductorfuse-link在规定条件下，能够分断7.2范围内的任何电流值的-一种限流熔断体。注：GB13539.1中术语;“(熔断体的)使用类别”本标准不适用.3.
人人文库> 全部分类> 行业资料 > 各类标准

温馨提示

  • 1. 本站所提供的标准文本仅供个人学习、研究之用，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或网络传播等，侵权必究。
  • 2. 本站所提供的标准均为PDF格式电子版文本（可阅读打印），因数字商品的特殊性，一经售出，不提供退换货服务。
  • 3. 标准文档要求电子版与印刷版保持一致，所以下载的文档中可能包含空白页，非文档质量问题。

最新文档

评论

0/150

提交评论