局放仪地使用培训资料

1、局放仪的使用培训资料上海松宝科技发展有限公司上海电动工具研究所一、局部放电的定义及产生原因二、局部放电的原理、过程及危害三、局部放电的表征参数四、局部放电测量原理五、测量中的干扰及抗干扰方法六、局部放电试验的电路主要接法及优缺点七、各种试品的测试接线及加压方法八、测试步骤九、图谱简介上海松宝科技发展有限公司7上海电动工具研究所一、局部放电的定义及产生原因在电场作用下，绝缘系统中只有部分区域发生放电， 而没有击穿施加电压的导体 之间，既尚未击穿，这种现象称之为局部放电。对于被气体包围的导体附近发生 的局部放电称之为电晕。局部放电可能发生在导体边上，也可能发生在绝缘体的 表面上和内部，发生在表面的

2、称为表面局部放电， 发生在内部的称为内部局部放 电，由此，总结一下局部放电的定义，指部分的桥接在导体间绝缘的一种电气放 电，局部放电产生原因主要有以下几种：1、电场不均匀。2、电介质不均匀。3、制造过程的气泡或杂质最经常发生放电的原因是绝缘体内部或表面存在气泡， 其次是有些设备的运行过程中会发生热胀冷缩，不同材料特别是导体与介质的膨 胀系数不同，也会逐渐出现裂缝，再有一些是在运行过程中有机高分子的老化， 分解出各种挥发物，在高场强的作用下，电荷不断的由导体进入介质中，在注入 点上就会使介质气化。二、局部放电的原理、过程及危害1、局部放电的原理电子碰撞电离理论，在电场被加速的自由电子与气体中性分

3、子碰撞， 当电子的 动能足够高时，就会使中性分子激发出电子，形成新的自由电子和正离子，由此 循环形成电子雪崩。2、局放电的过程Gema nt最早对模拟实际气隙与人工气隙作了大量研究，用电容器与火花间隙的 各种组合来模拟，whitehead等人提出了气隙放电的等值电路，后来 mason用这 个电路对放电的过程作了较好的描述，下面就对交流电压下局部放电的 abc等值 模拟电路予以介绍。介质内部含有气泡，在交流电压下产生的内部放电特性可由 图1-1的模拟电路（abc等值电路）予以表示；其中Cc是模拟介质中产生放电间 隙（如气泡）的电容；Cb代表与Cc串连部分介质的合成电容；Ca表示其余部 分介质的电

4、容。电极(a实际介质(b)模拟电路i介质有缺陷(气泡)的部分(虚线表示) u-介质无缺陷部分图1-1表示具有内部放电的模拟电路图1-1中以并联一对火花间隙的电容 c来模拟产生局部放电的内部气泡 图1-2表示了在交流电压下局部放电的发生过程。0丿I食 _扌图1-2介质内单气泡对交流电压下的局部放电过程u (t)外施交流电压uc (t)气泡不击穿时在气泡上的电压uc (t)有局部放电时气泡上的实际电压VC气泡的击穿电压vr气泡的残余电压us局部放电起始电压(瞬时值)ur与气泡残余电压vr对应的外施电压ir 气泡中的放电电流电极间总电容cx= ca+ (cbx cc) / (cb+cc) =ca电极

5、间施加交流电压 u (t) 时，气泡电容Cc上对应的电压为Uc (t)。如图2-1所示，此时的uc (t)所代 表的是气泡被击穿时的电压的曲线。Uc (t)= U (t)x Cb/Cc+Cb外施电压u (t) 上升时，气泡上电压 Uc (t)也上升，当U (t)上升到Us时， 气泡上电压Uc达到气泡击穿电压，气泡击穿，产生大量的正、负离子，在电场 作用下各自迁移到气泡上下壁，形成空间电荷，建立反电场，削弱了气泡内的总 电场强度，使放电熄灭，气泡又恢复绝缘性能，这样的一次放电持续时间是极短 暂的，对一般的空气气泡来说，大约只有几个毫微秒(10的负8次方到10的负 9次方秒)，所以电压Uc (t)

6、几乎瞬间从Vc降到Vr，Vr是残余电压，而气泡上 电压Uc （t）将随U （t）的增大继续由Vr再次升高到Vc时，气泡再一次击穿， 发生又一次局部放电，但此时相应的外施电压比 Us 小,为（Us-Ur）,这是因为 气泡上有残余电压 Vr 的内电场作用的结果。 Ur 是与气泡残余电压 Vr 相应的外 施电压，如此反复上述过程，即外施电压每增加（Us-Ur），就产生一次局部放电， 直到前一次放电熄灭后，Uc（t）上升到峰值时共增加量不足以达 Vc （相当于 外施电压的增量比（Us-Ur）小）为止。此后，随着外施电压U （t）经过峰值Um后减小，外施电压在气泡中建立 反方向电场， 由于气泡中原存的残

7、余电压内电场与外电场方向相反， 故外施电压 须经（Us+Ur）的电压变化，才能使用气泡上的电压达到击穿电压Vc。假定正、负方向击穿电压Vc相等，产生一次局部放电，放电很快熄灭，气泡中电压瞬时 降到残余电压V（也假定正、负方向相同），外施电压连续下降，当再下降（Us-Ur） 时，气泡电压就又达到 Vc从而又产生一次局部放电，如此重复上述过程，直到 外施电压升到反向峰值一Um的增量不足以达到（Us-Ur）为止，外施电压经 过一 Um 峰值后，气泡上的外电场方向又变为正方向， 与气泡残余电压方向相反， 故外施电压又须上升（Us+Ur ）产生第一次放电，熄灭后每经过（Us-Ur）的电 压上升就产生一次

8、放电，重复前面所介绍的过程，如图 1-2 所示。产生局放时，局部地区空间电荷密度变大，电流集中，可以发出光、热、音 响和电磁发射， 在放电能量作用下， 使绝缘高分子有机物质产生一系列的物理化 学变化，造成表面侵蚀和局部过热，使绝缘性能劣化，随着局部放电的发展，放 电点向前发展，放电通道渐渐增长，分枝增多，形成树枝状放电，最后形成贯穿 性通道，即导致击穿。在油纸绝缘中的局部放电，会在油中形成不同的 X 腊， 散热能力降低，易导致热击穿，局部放电也易使纸纤维断裂、碳化，因此，局部 放电对于加速绝缘老化、缩短绝缘寿命所造成的危害是不可低估的。三、局部放电的表征参数局部放电是比较复杂的物理现象， 必须

9、通过多种表征参数才能全面的描绘其 状态，同时局部放电对绝缘破坏的机理也是很复杂的， 也需要通过不同的参数来 评定它对绝缘的损害，目前我们只关心两个基本参数：1、视在放电电荷在绝缘中发生局部放电时，绝缘体上施加电压的两端出现的脉动电荷称之为视在放电电荷，单位用皮库（ PC）表示，通常以稳定出现的最 大视在放电电荷作为该试品的放电量。2、放电重复率在测量时间内每秒中出现的放电次数的平均值称为放电重复率， 单位为次 /秒，放电重复率越高，对绝缘的损害越大。四、局部放电的测量原理：局放仪运用的原理是脉冲电流法原理，即产生一次局部放电时，试品 Cx 两 端产生一个瞬时电压变化 u,此时若经过电容Ck耦合

10、到一检测阻抗Zd上，回 路就会产生一脉冲电流I，将脉冲电流流经检测阻抗产生的脉冲电压信息予以检 测、放大和显示等处理，就可以测定局部放电的一些基本参数（主要是电量q）。在这里需要指出的是， 试品内部实际的局部放电量是无法测量的， 因为试品内部 的局部放电脉冲的传输路径和方向是极其复杂的， 因此我们只有通过对比法来检 测试品的视在放电电荷， 即在测试之前先在试品两端注入一定的电量， 调节放大 倍数来建立标尺， 然后在实际电压下将收到的试品内部的局部放电脉冲和标尺进 行对比，以此来得到试品的视在放电电荷。五、测量中的干扰及抗干扰方法1、测量中的干扰分类干扰有来自电网的和来自空间的，按表现形式又分为

11、固定的和移动的， 主要的 干扰有以下一些： 悬浮电位物体放电，通过对地杂散电容耦合。 外部尖端电晕。 可控硅元件在邻近运行。 继电器、接触器、辉光管等动作。 接触不良。 无线电干扰 荧光灯干扰 电动机干扰 中高频工业设备2、抗干扰方法 采用带调压器、隔离变压器和滤波器的控制电源。 设置屏蔽室，可只屏蔽试验回路部分。 可靠的单点接地，将试验回路系统设计成单点接地结构，接地电阻要小，接 地点要与一般试验室的地网及电力网中线分开。 米用高压滤波器。 用平衡法或桥式。 利用时间窗。 用干扰判别装置。 采用较窄频带。 在高压端加高压屏蔽罩或半导体橡胶帽防电晕干扰。六、局放试验电路的主要接法及优缺点1、标

12、准试验电路，又称并联法，适用于必须接地的试品。其缺点是高压引线对 地杂散电容并联在Cx上，会降低测试灵敏度。2、接法的串连法，其要求试品低压端对地浮置。其优点是变压器入口电容、高 压线对地杂散电容与耦合电容 Ck并联，有利于提高试验灵敏度，缺点是试品损 坏时会损坏输入单元。3、平衡法试验电路：要求两个试品相接近，至少电容量为同一数量级，其优点 是外干扰强烈的情况下，可取得较好抑制干扰的效果，并可消除变压器杂散电容 的影响，而且可做大电容试验，缺点是须要两个相似的试品，且当产生放电时， 需设法判别哪个试品放电。七、各种试品的测试接线及加压方法1、发电机的局部放电测试方法A、接线图如下：INDUC

13、L?LR4隔离!I波器T?检检测阻抗抗O.luF上海松宝科技发展有限公司8上海电动工具研究所12BB、试验电压及允许局放量如下表:整相绕组（或分支）的局部放电量不大于下列值定子电压等级（KV）6 KV10 KV最咼试验电压（KV）6 KV10 KV局部放电试验电压（KV ）4 KV6 KV最大放电量（PC）15000PC2、变压器的局部放电测试方法:A、接线图如下:ybzcNa、单相励磁基本接线2b、三相励磁基本接线B、试验电压及允许局放量如下表：试验电压允许局放量TitleUm1.5Um/1.732SizeNumberQ 500PCA41.3Um/1.732C VDate:27-Aug-20

14、0Q 300PCFile:C:My Doci23SheetDraw3、互感器的局部放电测试方法A、接线图如下：HVL1L2Ck上海松宝科技发展有限公司10上海电动工具研究所a、电流互感器接线b、电压互感器接线B、试验电压及允许局放量如下表:接地形式互感器形式预加电压10S测量电压1min绝缘形式允许局部放电水平PC电网中性点 绝缘或经消 弧线圈接地电流互感器 和相对地电 压互感器1.3Um1.1 Um液体浸渍 固体视放电量10022501.1 Um/1.732液体浸渍 固体1050相对相电压 互感器1.3Um1.1 Um液体浸渍 固体1050电网中性点 有效接地电流互感器 和相对地电 压互感器

15、0.8X 1.3Um1.1 Um/1.732液体浸渍 固体1050相对相电压 互感器1.3Um1.1 Um液体浸渍 固体10504、高压套管的局部放电测试方法: A、接线图如下：HVCk局放仪仪B、试验电压及允许局放量如下表:套管绝缘类型允许放电量（pC）1.05U n/1.7321.5U n/1.732油浸纸和胶浸纸1010胶粘纸100250浇铸绝缘10气体1010注：1.5Un/1.732的试验电压仅用于变压器和电抗器套管八、测试步骤简介21、按照系统连接原理图连接好系统。2、 利用校正脉冲发生器进行系统放电量校正，例如用校正脉冲发生器（ JZF-9） 在试品两端（即Cx两端）注入50pC

16、,调节放大器增益粗调（22）及细调（23） 和PC设定按钮（21）使数字表显示50.0PC，至此校正完毕，关掉方波并取下。3、利用升压装置进行升压，升至试验电压时，调节放大器粗调，使局部放电脉 冲显示在示波器上，大小适中。4、打开判别开关（16），调节阈电平粗调（17）和阈电平细调（15），使有效指 示灯（19）闪亮，记下此时的数字表值即为放电量值，将 PD-KV开关（2）拨至 KV，即可读取电压值，记下试验结果。5、将电压调至零，测试完毕。叙述当中括号内数字代表开关编号，参照说明书前、后面板图。九、图谱简介放电类型和干扰的初步辨认先介绍一下示波屏上的椭圆扫描，它是顺时针方向旋转，正零标脉冲表

17、示验 电压开始由负变向正极性；负零标脉冲则与之相反。两零标间的中点为试验电压 的正、负峰值部位。所以，根据放电的原理，可以知道放电应出现在正零标脉冲 和负零标脉冲顺时针转到峰值处，即椭圆上的第一和第三象限。一 典型的内部气泡放电的波形特点：（图801）1放电主要显示在试验电压由零升到峰值的两个椭圆象限内。2在起始电压Ui时，放电通常发生在峰值附近，试验电压超过 Ui时，放 电向零相位延伸。3两个相反半周上放电次数和幅值大致相同（最大相差至3 : 1）。4放电波形可辩。5 q与试验电压关系不大，但放电重复率 n随试验电压上升而加大。6局部放电起始电压Ui和熄灭电压Ue基本相等。7放电量q与时间关

18、系不大。如果放电量随试验电压上升而增大，并且放电波形变得模糊不可分辨，（|则往往是介质内含有多种大小气泡，或斗- 是介质表面放电。如果除了上述情况，而且放电幅值随加压时间而迅速增长（可达 100倍 或更多），则往往是绝缘液体中的气泡放 电，典型例子是油浸纸电容器的放电。二金属与介质间气泡的放电波形特占：八、正半周有许多幅值小的放电，负半 周有很少幅值大的放电。幅值相差可达 10 : 1,其他同上。典型例子：绝缘与导体粘附不良的 聚乙烯电缆的放电。q与试验电压关系不 大。（图 8 02）（图 801）如果随试验电压升高，放电幅值也 增大，而且放电波形变得模糊，则往往 是含有不同大小多个气泡，或是

19、外露的 金属与介质表面之间出现的表面放电。上海松宝科技发展有限公司11（图 803）下面介绍一些主要视为干扰或非 正常放电的情况：（1）悬浮电位物体放电波形特点： 在电压峰值前的正负半周两个象 限里出现幅值。脉冲数和位置均相同, 成对出现。放电可移动，但它们间的 相互间隔不变，电压升高时，根数增 加，间隔缩小，但幅值不变。有时电 压升到一定值时会消失，但降至此值 又重新出现。原因：金属间的间隙产生的放电，间 隙可能是地面上两个独立的金属体间（通过杂散电容耦合）也可能在样品 内，例如屏蔽松散。（图8 04）（图 804）（2）外部尖端电晕放电波形特点： 起始放电仅出现在试验电压的一 个半周上，并

20、对称地分布在峰值两侧 试验电压升高时，放电脉冲数急剧增 加，但幅值不变，并向两侧伸展。原因：空气中高压尖端或边缘放 电。如果放电出现在负半周，表示尖 端处于高压，如果放电出现在正半周 则尖端处于地电位。（图8 05）上海松宝科技发展有限公司17上海电动工具研究所（3）液体介质中的尖端电晕放电波形特点:（图 8 06）放电出现在两个半周上，对称地分 布在峰值两侧。每一组放电均为等间隔， 但一组幅值较大的放电先出现，随试验 电压升高而幅值增大，不一定等幅值； 一组幅值小的放电幅值相等，并且不随 电压变化。原因：绝缘液体中尖端或边缘放电。 如一组大的放电出现在正半周，贝U尖端 处于高压；如出现在负半

21、周，贝U尖端地 电位。（4）接触不良的干扰图形（图 807） 波形特点：对称地分布在实验电压零点两侧，幅值大致不变，但在实验电 压峰值附近下降为零。波形粗糙不清晰, 低电压下即出现。电压升高时，幅值缓 慢增加，有时在电压达到一定值后会完 全消失。原因：实验回路中金属与金属不良 接触的连接点；塑料电缆屏蔽层半导体 粒子的不良接触；电容器铝箔的插接片 等（可将电容器充电然后短路来消除）（图 807）（5）可控硅元件的干扰图形（图 808） 波形特点：位置固定，每只元件产 生一个独立讯号。电路接通，电磁耦合 效应增强时讯号幅值增加，试验调压时， 该脉冲讯号会发生高频波形展宽，从而 占位增加。原因：邻近有可控硅元件在运行。（6）继电器、接触器、辉光管等动作的 干扰。图形（图809）波形特点：分布不规则或间断出现, 同试验电压无关。原因：热继电器、接触器和各种火 花试验器及有火花放电的记录器动作时 产生。（7）异步电机的干扰图形（图 810） 波形特点：正负半周出现对称的两 簇讯号，沿椭圆时基逆向以不变的速度 旋转。原因：异步电机运行讯号耦合到检 测回路中来。（图 808）（图 8 09）（图 810）（图 815）（8）荧光灯的干扰图形（图 811） 波形特点：栏栅状，幅值大致相同 的脉冲，伴有正负半波对称出现的两簇 脉冲组。原