1-太阳能电池片生产工艺流程

1、多晶电池消费工艺流程牛文富.目录 一、 太阳电池简介 二、 太阳电池消费工艺 .一、太阳电池简介1、太阳电池简介 太阳电池是一种对光有呼应并能将光能转换成电力的器件。 太阳能电池，又叫光生伏打电池，它是以半导体资料为根底的一种具有能量转换功能的半导体器件，是太阳能光伏发电的最中心的器件。.一、太阳电池简介2、太阳电池分类.一、太阳电池简介晶体硅电池单晶硅.一、太阳电池简介晶体硅电池多晶硅电池.一、太阳电池简介3、硅太阳能电池任务原理一、硅的掺杂半导体硅原子外层有4个电子，按固定轨道绕原子核转动。当遭到外来能量作用时，这些电子会脱离轨道成为自在电子，并在原来位置构成一个“空穴。假设硅中掺入硼，镓

2、等元素，由于这些元素可捕获电子，就构成空穴半导体，用P表示。假设掺入可以释放电子的磷，砷元素，就构成电子型半导体，用N表示。.一、太阳电池简介3、硅太阳能电池任务原理二、P-N结P型半导体和N型半导体结合，交界面会构成一个P-N结，构成P-N结内电场，妨碍着电子和空穴的挪动。.一、太阳电池简介首先是P-N结附近的电子和空穴发生分散运动：N型区域的电子向P型区域分散，相对于P型区域的空穴向N型区域分散。.一、太阳电池简介在界面层附近，由于电子和空穴的迁移，就会使N区域呈现正电性，而P区域呈现负电性。于是构成一个由N区域指向P区域的内电场。.一、太阳电池简介3、硅太阳能电池任务原理三、光生伏特效应

3、太阳光照在半导体P-N结界面层上，会激发出新的空穴-电子对，在P-N结电场的作用下，在P-N结内部空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就构成电流。我们把这种效应叫做“光生伏特效应，也就是太阳能电池的任务原理，因此，太阳电池又称为“光伏电池。.二、太阳电池消费工艺太阳电池消费工艺流程 .二、太阳电池消费工艺工序一，硅片清洗制绒: 目的HNO3 对硅外表氧化, 突破了硅外表的Si2H 键, 使Si 氧化为SiO2 ,然后HF溶解SiO2 , 并生成络合物H2SiF6 。从而导致硅外表发生各向同性非均匀性腐蚀, 构成的半球状的绒面, 有利于减少光反射, 加强光吸收。原理：利用硝酸的强氧

4、化性和氢氟酸的络合性，对硅进展氧化和络合剥离，导致硅外表发生各向同性非均匀性腐蚀，从而构成 类似“凹陷坑状的绒面。 Si + HNO3 SiO2 + NOx + H2O SiO2 + 6HF H2SiF6 + 2H2O .二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺工序二，分散/制结： 硅片的单/双面液态源磷分散，制造N型发射极区，以构成光电转换的根本构造：PN结。 POCl3 液态分子在N2 载气的携带下进入炉管，在高温下经过一系列化学反响磷原子被置换，并分散进入硅片外表，激活构成N型掺杂，与P型衬底构成PN结。主要的化学反响式如下： POCl3 + O2 P2O5 + Cl2；P2O5 +

5、Si SiO2 + P .二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺工序三，等离子刻边： 去除分散后硅片周边构成的短路环； .二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺工序四，去除磷硅玻璃： 去除硅片外表氧化层及分散时构成的磷硅玻璃磷硅玻璃是指掺有P2O5的SiO2层。 .二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺 工序五，PECVD： 目的渡减反射膜+钝化： PECVD即等离子体加强化学气相淀积设备，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition； 制造减少硅片外表反射的SiN 薄膜80nm； 反响气体为SIH4和NH3.二、太阳电池

6、消费工艺.二、太阳电池消费工艺工序六，丝网印刷： 用丝网印刷的方法，完成背场、背电极、正栅线电极的制造，以便引出产生的光生电流； 工艺原理： 给硅片外表印刷一定图形的银浆或铝浆，经过烧结后构成欧姆接触，使电流有效输出； 正面电极用Ag金属浆料，通常印成栅线状，在实现良好接触的同时使光线有较高的透过率；反面通常用Al金属浆料印满整个反面，一是为了抑制由于电池串联而引起的电阻，二是减少反面的复合； .背电极印刷及烘干银浆或铝浆；背电场印刷及烘干铝浆；正面电极印刷银浆。二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺.二、太阳电池消费工艺工序七，烘干和烧结:目的及任务原理： 烘干金属浆料，并将其中的添加料

7、挥发前3个区；在反面构成铝硅合金和银铝合金，以制造良好的背接触中间3个区；铝硅合金过程实践上是一个对硅进展P掺杂的过程，需加热到铝硅共熔点577以上。经过合金化后，随着温度的下降，液相中的硅将重新凝固出来，构成含有少量铝的结晶层，它补偿了N层中的施主杂质，从而得到以铝为受主杂质的P层，到达了消除背结的目的。 在正面构成银硅合金，构成良好的接触和遮光率；Ag浆料中的玻璃添加料在高温700度下烧穿SiN膜，使得Ag金属接触硅片外表，在银硅共熔点760度以上进展合金化。.二、太阳电池消费工艺.分类检测任务原理： 本系统经过模拟AMAir Mass1.5 1000W/m2太阳光脉冲照射PV电池外表产生光电流，光电流流过可编程模拟负载，在负载两端产生电压，负载安装将采样到的电流、电压传送给SCLoad计算,得到IV曲线及其它目的，并根据实践光强和温度对它们进展修正。SCLoad 根据测试结果，按照给定的分类规那么分类，将分类结果传送给分检系统，分检系统将已分类的电池放到相应的电池盒里。 太阳电池的电性能参数： Isc (短路电流) Uoc (开路电压) Impp (最大电流) Umpp (最大