• 现行
  • 正在执行有效
  • 1992-12-18 颁布
  • 1993-08-01 实施
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GB/T 14030-1992半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理_第1页
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UDC621.382：681.11L55中华人民共和国国家标准GB/T14030－92半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18发布1993-08-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理GB/T14030-92Generalprinciplesofmeasuringmethodsoftimercircuitsforsemiconductorintegratedcircuits本标准规定了半导体集成电路时基电路(以下简称器件或时基电路)电参数测试方法的基本原理时基电路与CMOS电路相同的静态参数和动态参数测试可参照GB3834《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》。总的要求若无特殊说明，测试期间，环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定12测试期间，施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定。1.3测试期间，应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。1.4被测器件与测试系统连接或断开时，不应超过器件的使用极限条件。1.5若有要求时，应按器件详细规范规定的顺序接通电源，1.6测试期间，被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络。17若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时，这些测试的时间间隔应尽可能短。1.8本标准的参数定义按如下规定的真值表给出，如被测器件与本规定不符合时，可对测试电路进行相应的调整。复位路引出端名称闵值端触发端输出端引出端符号RESTHTROUT规范+HH表中：L为低电平,H为高电平,X为任意电平。2参数测试2.1复位电压Va2.1.1目的在器件输出电压为低电平时,测试复位端施加的临界输入电压2.1.2测试原理

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