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  • 1993-02-06 颁布
  • 1993-10-01 实施
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GB/T 14144-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法_第1页
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文档简介

UDC669.782H26中华人民共和国国家标准GB/T14144-93硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialloxygenvariationinsilicon1993-02-06发布1993-10-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准硅晶体中间隙氧含量径向变化GB/T14144-93测量方：法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon1主题内容与适用范围本标准规定了硅晶体中间踪氧含量径向变化的测量方法。本标准适用于室温电阻率大于0.12·cm的硅品体中间隙氧含城径向变化的测量。测量范围为3.5×10"alt·cm-3至间隙氧在硅中的最大固溶度。2引用标准GB1557硅品体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T14143300～900pm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法3方法提要根据待测硅品体的生长工艺特点，在四种测量点选取方案中选择一种适用的方案。在规定的测量位置，按（B1557或GB/T14143规定的方法测定硅中间隙氧含量，并将其值代入计算公式，求出间隙氧含量径向百分变化。4测量仪器4.1红外光谱仪。仪器分辩率小于5℃m1。4.2样品架。具备按选点方案要求作测量位置调整的功能，其光栏孔径为5～8mm。“.3厚度测量仪。精度优于21m。4.4标准平面平品。4.578K低温测量装置5试样要求5.1试样厚度约为2mm或0.3~0.9mm。3当间隙氧含量低于1×10at·cm-3时可选用厚度约为5mm或10mm的硅片。5.2试样经双面机械抛光或化学抛光（仅适用于单品)，表面呈镜面,，无桔皮状皱纹和凹坑。厚度为0.3~0.9mm的试样表面皮符合GB/T14143中5.1-5.2条的规定。5.3试样在测量光栏孔径范围内，平整度应不大于2.2Pm。5.4作差别法测量的试样，其测量位置的厚度与参比样品的厚度差小于0.5%5.5仲裁测量的试样需经双面机械抛光。

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