GB/T 15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

UDC621.382L40中华人民共和国国家标准GB/T.15651-1995IEC747-5—1992半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratedcircuitsPart5：0ptoelectronicdevices1995-07-24发布1996-04-01实施国家技术监督局发布

次第I章总则引言1（1）范围（1）第I章术语和文字符号物理概念21.1、（电磁)辐射(IEV845-01-01）1.22光学辐射(IEV845-01-02）21.3可见光辐射(IEV845-01-03)21.4外辐射(IEV845-01-04）1.5外辐射(IEV845-01-05）1.6光（IEV845-01-06）··….…·1.7光电效应(根据IEV845-05-33:光电探测器)2器件类型2.1半导体光电子器件2.2华华导体光发射器件2.3半导体光电子显示器件2.4半导体激光器2.5发光二极管(LED)2.6红外发射二极管(IRED)2.7半半导体光敏器件2.8华导体光电探测器2.9半导体光敏电阻,光导元件(IEV845-05-37)2.10光电元件,光伏电池(IEV845-05-38)2.11光电二极管(IEV845-05-39)2.12雪崩光电二极管(IEV845-05-40)2.13光电品体管·……2.14光敏闸流管·……2.153-般术语3.1光轴3.22（半导体光电子器件)光学窗口3.33（光学)涂层(IEV-731-02-05）4与额定值和特性有关的术语4.1一般术语4.22光发射器件

4.3光电探测器件·4.4光榴合器……（16）5文字符号………（17）第Ⅱ章基本额定值和特性第1节发光二极管（用于光纤系统或子系统的器件在第7节叙述）路通···········（17）华导体材料…2（17)颜色···············3（17)外形与封装细节(17）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）(18）光电特性……6（18）补充资料……·7（18）第2节红外发射二极管（用于光纤系统或子系统的红外发射二极管将在第7节叙述）（18）华导体材料·2（19）外形与封装细节…3(19）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）（19）光光电特性……5（19)补充资料………·（19）第3节光电二极管（用于光纤系统或子系统的除外)类型……（20）华导体材料…22（20）外形与封装细节…（20）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）（20）5(20）补充资料……6（21）第4节光电品体管（用于光纤系统或子系统的除外)（21）半导体材料………（21）极极性……3(21）外形与封装细节….4(21）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）55（21）光电特茶：·····································66（21）补充资料…(22）

第5节光帮合器(品体管输出）（22)半导体材料·2（22）输出晶体管的极性……(23）外形与封装细节…（23）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）5（23)光电特性…6（24）补充资料……（25）第6节激光二极管类型……（25）半导体………·2（25）外形与封装细节…3（25）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值》除非另有规定》…(25)光光电特性………5（26）66补充资料·(27）第7节用于光纤系统或子系统的发光二极管和红外发射二极管类型…·…···（27）半导体材料···········2外形与封装细节·3（27）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定》…（28)光电特性……5（28）补充资料……6（29）第8节带尾纤的激光器组件（30）半导体………2（30)3外形与封装细节·（30）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）（30）光国带阁：············································5（31）6补充资料………（33）危害性………（33)第9节用于光纤系统或子系统的PIN光电二极管（33）2半导体材料·（33)外形与封装细节·3（34）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定）4(345光电特性·（34）补充资料·…6（35）

第10节带或不带尾纤的雪崩光电二极管（APD.)（35）半导体…………2（35）外形与封装细节·(35）在整个工作温度范围内的极限值(绝对最大值）除非另有规定)(35）光电特性…536补充资料……………（36)第N章测试方法半导体发射器件测试方法….C371.1发光二极管发光强度（7）………（37）1.2红红外发射二极管的辐射强度（.）……(38)1.3带或不带尾纤的发光二极管LED、红外发射二极管(IRED)和激光二极管辐射功率或正向电流·（39）1.4峰值发射波长(a。）,光谱辐射带宽（AA)和纵模数(u)（39)1.5带或不带尾纤的红外发射二极管和发光二极管的开关时间………（42）1.6带或不带尾纤的发光二极管(LED）、红外发射二极管(IRED)和激光二极管的小信号截止（43）1.7带或不带尾纤的激光二极管的闽值电流……（44）1.8带或不带尾纤的发光二极管（I.ED))红外发射“极管(IREI)和激光一极臀的机对噪声强皮··115)1.9不带尾纤的激光二极管发射源的高度、宽度和像散（46)1.10带或不带尾纤的激光二极管的开关时间·(47）1.11光发射器件的半强度角和角偏差·………（49）1.12带或不带尾纤的发光二极管、红外发射二极管、激光二极管和激光器组件的载流子与噪声H············(51）1.13带或不带尾纤的发光二极管、红外发射二极管、激光二极管和激光器组件的S，参数…(53)1.14带尾纤、带或不带致冷器的激光器组件的跟踪误差…………(54）1.15带或不带尾纤激光二极管的光谱线宽·(55）2光电探测器件的测试方法……(57）2.1带或不带尾纤的光电二极管，光照下的反向电流（Trm,）或7k和光电晶体管光照下的集电被发新（7商M2m6kh）·oo0ooooooooooooooooo0oooooooooooooooooeoooo（57）2.2光电二极管的暗电流/mm,和光电品体管的暗电流lceo,1eoa.lew(59）光电品体管的集电极-发射极他和电压Voe"2.3(60）2.4PIN光电二极管的噪声………（61）2.5带或不带尾纤的雪崩光电二极管的过剩噪声因子……………(62）2.6带或不带尾纤的光电二极管的小信号截止频率……(64)2.7带或不带尾纤的雪崩光电二极管倍增因子…(65）2.8带或不带尾纤的PIN光电二极管或雪崩光电二极管(APD)的开关时间（66)3光帮合器测试方法…………….….….…·…·…·（68）3.1电流传输比(hrer,）（68）3.2输入-输出电容(Cuo）………（69）

3.3输入和输出之间的隔离电阻(Ro）（69)隔离试验……（70)光合器的局部放电……（71)光帮合器的集电极-发射极饱和电压V。（75)3：1光帮合器的开关时间……（76)

中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件和集成电路CB/T15651-1995第5部分:光电子器件IEC747-5-1992SemiconductordevicesDiscretedevicesandintegratcdcircuitsPart5：0ptoelectronicdevices分立器件和集成电路本标准等同采用IEC747-5一1992《半导体器件第5部分：光电子器件》第I章总1引分立器件和集成电路通常.本标准需要与IEC747-1—1983《半导体器件第1部分：总则》一起使用。在IEC747-1中，可找到下列的全部基础资料：一术语；文字符号；-基木额定值和特性：-测试方法；接收和可算性.2范围本标淮给出了下列类型和分类型器件的标准：·半导体光发射器件，包括：发光二极管（LEDs）：红外发射二极管