GB/T 4937.13-2018半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第13部分盐雾

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part13Saltatmoshere

:p

(IEC60749-13:2002,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493713。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-13:2002《13:

盐雾

》。

与本部分中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件为

:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢

———GB/T4937.14—201814:(

固性

)(IEC60749-14:2003,IDT);

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验盐雾

———GB/T2423.17—20082:Ka:

(IEC60068-2-11:1981,IDT)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所北京大学微电子研究院无锡必创传感科

:、、

技有限公司

。

本部分主要起草人张艳杰彭浩李树杰岳振鹏崔波高金环裴选张天福迟雷张威陈得民

:、、、、、、、、、、、

周刚

。

Ⅱ

GB/T493713—2018/IEC60749-132002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第13部分盐雾

:

1范围

的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法以确定半导体器件耐腐蚀的能力本试

GB/T4937,。

验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验适用于工作在海上和沿海地区的器件

。。

本试验是破坏性试验

。

本试验总体上符合但鉴于半导体器件的特殊要求采用本部分的条款

IEC60068-2-11,,。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

IEC60749-1414:()[Semi-

conductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part14:Robustnessofterminations(Iead

integrity)]

环境试验第部分试验方法试验盐雾

IEC60068-2-112:Ka:(Environmentaltesting—Part

2:Tests—TestKa:Saltmist)

3试验设备

盐雾试验所用设备应包括

:

带有耐腐蚀的支撑器件夹具的温控试验箱

a);

盐溶液槽所用的盐应为无水氯化钠其碘化钠的质量分数不超过且总杂质的含量不超

b):,0.1%,

过蒸馏水或使用的其他水的杂质含量不超过-6应通过过滤以控制溶液的

0.3%,()200×10,

杂质含量为了达到第章所要求的沉降率去离子水或蒸馏水盐溶液的盐浓度应为

,4,

质量百分比

0.5%~3%();

使盐液雾化的装置包括合适的喷嘴和压缩空气源

c),;

高于箱内温度的某温度下保持空气潮湿的装置

d),;

倍倍倍倍的放大镜

e)1~3、10~20