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  • 1988-02-25 颁布
  • 1989-02-01 实施
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GB/T 8756-1988锗晶体缺陷图谱_第1页
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文档简介

UDC.669.783：620.18订24中华人民共和国国家标准GB8756-88绪晶体缺陷图谱Collectionofmetallographsondefectsofcrystallinegermanium1988-02-25发布1989-02-01实施家标准国发布

中华人民共和国国家标准UDC669.783·620.18图体缺GB8756-88Collectionofmetallographsondefectsofcrystaliinegermanium本标准规定了错多晶、错单晶制备和机械加工工艺过程中所产生的各类缺陷的形魏。本标准适用于错多品、错单品、错研磨片和地光镜片的生产和研究。错二极管、品体管和红外窗口的制造亦可参照使用。1错多品缺陷1.1氧化物1.1.1特征晶体表面失去银灰色金属光泽，呈现不同颜色的表面膜(图1)。1.1.2产生原因氧化物是由于品体生长时或长期暴露在空气中，氧或水与错反应以及在操作过程中引进的有机物在高温下分解，而后与错反应生成。1.2.浮渣1.2.1特征在晶体表面呈现无金属光泽的灰色薄层(图2)。11.2.2产生原因浮渣是由氧与错和错中的硅相互作用的生成物以及碳等漂浮在错熔体表面，熔体凝固后形成。1.3孔洞和空洞1.3.1晶体表面孔洞1.3.1.1特征在区熔、还原以及熔铸后，铺晶体与容器相接触的表面可见到大小不等的坑(图3和图4)。1.3.1.2产生原因在定向结品、区熔提纯和熔铸过程中，熔体凝固时，熔体中的气体不能及时排出，致使与石墨容器（特别是沉碳容器)接触的品体表面产生大小不等的坑。1.3.2晶体体内空洞1.3.2.1特征在区熔错和熔铸错键中有空洞时，在其切断面上可见到大小不等、形状各异的坑(图5)1.3.2.2产生原因榕体凝固时，溶于其中的气体呈过饱知状态，冷却速度过快，气体不能及时排出，聚集于晶体内而形成空洞。13.2.3消除方法采取降低冷却速度、定向结品或抽真空等方法可消除品体内的空洞。1.3.3空洞夹层1

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