移相全桥参数计算

在大功率服务器件中，为满足高效和绿色标准，一些供电设计师们发现使用移相全桥转换器更容易。这是个应用程序的目的是设计报告审查的600W移相全桥表1设计规范描描述最小值典型值最大值输入电压370V390V410V输出电压V600mV输出电压600W满负荷效率93%电感器切换频率200kHz4、原边变压器计算T1变压器匹比(a1):电压降(VRDSON):基于平均输入电压计算典型工作周期(DTYP)计算T1次级均方根电流(ISRMS):ISRMS递到副边:ISRMS负电流在对方绕组随心所欲的时期,请参阅图2。MS计算T1原边均方根电流(IPRMS):T方根电流(IPRMS1当能量被传递到次边T流(IPRMS2)当转换器总T1原边均方根电流(IPRMS)此设计一个Vitec变压器被选中，型号75PR8107有一下规范漏原边漏感:变压器原边直流电阻:变压器副边直流电阻:估计转换损失(PT1)是铜损的两倍。(注意：这只是一个估计,基于磁设计总损失可能会有所不同。)计算剩余功率预算:场效应晶体管输出电容指定:电压drain-to-source(VdsQA),输出电容测量,数据表参数:QA场效应晶体管栅极电荷:计算Qa损失基于Rds和门QAg计算(计算(LS)是基于实现零电压所需的能量切换。这个电感需要能够消耗的能量开关的寄生电容节点。以下方程选择LS实现零电压在100%负荷降至50%负荷的基础上初级场效应晶体管的平均总输出电容开关节点。为此设计一个26-μHVitec感应器被选为60PR964零件号码。有以下规格。LS直流电阻:LS直流电阻:LS(PLS)和调整剩余功率预算:方根电流(ILOUT_RMS):输出电感的直流电阻:电容也是前计算输出电容器均方根电流(ICOUT_RMS)。满足我们的设计要求5个1500-μf,铝电解电容器的选择从曼联Chemi-Con设计,零件号输输出电容的数量:容为设计选择FETs总是尝试和错误。我们以满足电力需求的设计选择75v,120A-FETs,从Fairchild,型号dsQEQEQF体管的电压:测试数据表上从场效应晶体管输出电容上指定的电压:从场效应晶体管数据表上制定的输出电容:QEQF平均输出电容QEQF均方根电流为了估计场效应晶体管开关损耗场效应，晶体管的Vg和Qg曲线数据表需要研究。首先是millerplateau开始时的gatecharge需要确定(QEMILLER_MIN)结束时的gatecharge(QEMILLER_MAX)为了给定的VDS。这个FETs设计是为了驱动UCC27324的4-A(IP)门限驱动电流Vds上升和下降时间:QEQF损失预算电容(CIN)零电压所需的延迟时间可以作为一种责任周期夹(DCLAMP)。计计算槽频率:预预计延迟时间:DCLAMP:VDROP最低输入电压当转换器仍然可以保持输出调节。转换器的输入电压只会拉低电压不足或line-dropatorCIN一种稳态周期循环器均方根电流(ICINRMS)。为满足该设计的输入电容和均方根电流要求，我们选择330-μf电容器从松下EETHC2W331EASRCINmQHzHzIN重新计算剩余功率预算:11、设置电流传感网络CT,RS,RRE,DA的CT的100:1比率(a2)VINMIN般峰值电流(IP1):原边电流峰值:值电流达到上限时的电压电阻(RS)并且预留200mV斜坡补偿:对RS估计功率损耗:DA大反向电压(VDA)RSRREFCLFfLFP许适合个体的布局调整和EMI的设计。VvRB算电阻RA值。设置电压放大器参考电压:RCRI择，设置直流输出电压(电压输出)引脚3(EA)。选择一个标准电阻器RC:然后选择一个标准的电阻:补偿反馈回路可以通过适当选择反馈组件RLOAD):10%传递函数近似(GCO(f))作为频率的函数:GCO(f):GCf参阅图1为组件的位置。馈电阻器(RF)基于交叉电压(fC)循环在第10个双极频率(fPP)。RF。在2被FC的地方放置一个极点UCC序设置软启动时间15ms(tSS)。本应用本应用笔记提供了一个固定延迟方法实现零电压从100%负荷降至50%负载。当转换器操作低于50%加载转换山谷切换操作。为了实现零电压切换开关节点上QBd的FETsQA的开机(tABSET)延迟，初步制定和QB将LS设置输出电容的两倍计计算槽频率:A注意：tABSET之间可以编程30ns-1000ns。RDA如果tABSET>155ns设置VADEL=0.2V,tABSET155ns和1000ns之间可以编程:如果tABSET≤155ns设置VADEL=1.8V,tABSET可以编程29ns-155ns:VADEL算RDA2:准RDA2电阻值:VADEL器的选择:电阻器RDELAB由tABSET决定选择一个标准电阻的值设计:你微调tABSET光负荷的峰谷之间的共振LS和开关节点电容。在这个设计延载。请参考图5。QCQD迟(tCDSET)，通过适当选择电阻RDELCD(引脚7)。如图6所示。在轻负载获得零电压开关节点QDd由于容易多了反映了输出电流出现在主变压器的场效应晶体QDQC有更多的峰值电流激励LS在此之前过渡,而QA和QB岔道/。延迟岔道的场效应晶体管场效应晶体管QA岔道后QF(tAFSET)的岔道场效应晶体管QEQF后,场QB道(tBESET)。好地方设置这些延误tABSET的50%。这将确保适当的同步整流器之前关闭ABQE注意：tEFSETtBESET可以在32ns-1100ns之间设置。电压的ADELEF引脚UCC28950(VADELEF)需要设置RCA2基于以下条件。如果tAFSET<170ns设置VADEL=0.2V,tABSET可以编程32ns-170ns:如果tABSET>或=170ns设置VADEL=1.7V,tABSET170ns和1100ns之间可以编程:基于VADELEF选择、计算RCA2:准RCA2电阻值:VADELEF于电阻分tAFSETtBESET适当选择电阻RDELEF。RTMINtMINUCC在进入破裂模式。如果UCC28950控制00ns。置变换器开关频率(引脚10)。频率可以选择通过调整定时电阻RT。。UCC50还提供了斜坡补偿峰值电流模式控制(引脚12)。这个可以设置通过设置RSUM用下面的方程。下面VSLOPEV)在一个感应开关。如果VSLOPE2<VSLOPE1设置VSLOPE=VSLOPE1如果VSLOPE2≥VSLOPE1设置VSLOPE=VSLOPE2器RSUM。UCC0编程(DCM)引脚12，在轻负载关闭同步FETs条件的二次侧变换器(QE和QF)。这阈值设定电阻分压器由再保险和RG。这DCM阈值需要设置水平在电感电流不再生产。以下方