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精品文档-下载后可编辑LTC4444-5:MOSFET驱动器-基础电子描述
LTC4444-5是一款高频高电压栅极驱动器,可利用一个同步DC/DC转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。
LTC4444-5针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源,此电源可以在高出地电位达114V的电压条件下运行。
LTC4444-5包含欠压闭锁电路,用于在器件启动时停用外部MOSFET。LTC4444-5还内置了自适应贯通保护功能,用于阻止两个MOSFET同时传导。
特点
●自举电源电压至114V
●宽VCC电压:4.5V至13.5V
●自适应贯通保护功能
●1.4A峰值顶端栅极上拉电流
●1.75A峰值底端栅极上拉电流
●1.5Ω顶端栅极驱动器下拉电阻
●0.75Ω底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns顶端栅极下降时间驱动1nF负载
●8ns顶端栅极上升时间驱动1nF负载
●3ns底端栅极下降时间驱动1nF负载
●6ns底端栅极上升时间驱动1nF负载
●可驱动高压侧和低压侧N沟道MOSFET
●欠压闭锁功能
●耐热增强型8引脚MSOP封装
封装
典型应用
应用
●分布式电源架构
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