洁净室尘土来源分析以及究极除尘手法介绍 004.ppt

1、第四章：発塵原因対策（） 4.1 注入工程 4.2 工程 4.3 工程 4.4 真空装置 4.5 搬送 4.5.1 搬送 4.5.2 人手搬送,在离子注入工程中，将晶圆呈同心圆状排列旋转，照射离子束。大电流的离子注入设备，此时由于高速旋转，會产生强大的离心力，由于震动和摩擦，渐渐的树脂表面开始裂化，很容易产生dust。 再有，离子注入设备中，wafer disk的旋转和dust的产生有着相当密切的关系。 上页图表是表示通过离子注入设备的pump down，离子注入，vent等工程测定到的外部的dust。通过此表，我们可以看出disk一开始旋转，dust就会扬起，停止旋转后dust又会落下来。,

2、在photo工程中，用于蚀刻胶涂布，显像的coater developer，会使多余的蚀刻胶剥落变成dust。蚀刻胶是从wafer表面流下，通过使wafer高速旋转而微薄均匀地延展开。从wafer上面溢出来的蚀刻胶就流到了wafer外侧的cup里被排出。附着到cup上面的蚀刻胶干燥后，就会剥落扬起成为dust，附着到wafer上面。为了防止这种现象，有必要定期的清洗或者更换cup，不能有残留的蚀刻胶。,在CMP工程中，将半导体devise表面的凹凸除去，使其变得平坦。一边添加一种叫做slurry的研磨液体，一边旋转晶圆，进行机械式研磨。slurry里面含有一种成分，通过和研磨剂粒子的化学反应而

3、蚀刻薄膜的成分。晶圆研磨后，因为晶圆表面可能附着slurry的研磨剂粒子，所以要清洗将其除去。这样slurry需要易于清洗。一般说来，光是用纯水是不能将dust完全除去的，因此还可以采取使用刷子机械性地除去的方法或者添加界面活性剂来除去的方法。,在真空设备中由于排气和vent时压力的变化也可能产生dust。上面的表格显示了chamber内的压力变化的时定数和晶圆表面dust量的关系。时定数越小，也就是说越是激烈地进行排气的话，dust的量就会变得越多。在真空chamber中，从大气压急速地排气的话，大气中的水分就会凝固，可能产生dust。或者由于急速的压力变化会扬起chamber内的dust。

4、为了防止dust的产生和扬起，要控制急速的压力变化，慢慢地排气。在、离子注入工程中，通过slow vent和slow排气来抑制chamber内dust的产生。,将晶圆从carrier取出来放到chamber中，或者从一个chamber移到另一个chamber的时候，机器手、真空chuck，胶皮传送带等都会直接接触到晶圆的里面和蚀刻部分。如图所示，晶圆里面有明显被真空chuck或者胶皮传送带接触后的划痕。 因此，传送方法、接触部分的材质、接触压力等等也就成为了决定dust发生量的重要参数。我们要采用一种尽可能减小接触面积而且不和晶圆摩擦的方法。,在生产设备之间，工程之间的传送，一般将晶圆放入树脂

5、的carrier中进行传送，即使是使用这种晶圆carrier进行传送有时也会产生dust。由于carrier的槽的尺寸比较宽裕，放入晶圆后，在传送过程中晶圆可以前后移动，这样顶部就会和前后的晶圆发生冲突可能造成划伤。如果将carrier向一个方向倾斜，晶圆在传送过程中就不会移动，從而抑制dust的产生。此时为了不造成wafer device面的划伤，倾斜时要注意device面和carrier的槽要分开。,使用真空镊子，手动移动wafer的时候，从作业员自身产生的dust会附着到晶圆上面。有时误操作真空镊子会划伤晶圆表面，也会产生dust。上页中的图表显示了使用镊子手动操作和自动化相比附着到晶圆

6、表面的dust要多得多。如果反复操作130次移动晶圆，产生的0.2以上的dust是自动化的5倍。通过这次调查我们可以知道通过自动化使作业员和晶圆分离是多么的重要。,问题1 在离子注入工程中，由于注入中的（ ）会逃到外部，所以要在晶圆里面贴一层树脂sheet，但是这有时也会造成dust的产生。 ：電子 ：离子 ；熱 ：等离子,问题2 在photo工程中使用的，用于蚀刻胶涂布，显像的设备叫做（ ）。 ：etcher ：spinner ；coater developer ：scrubber,问题3 在工程中，加工晶圆表面变得平坦的研磨液叫做（ ）。 ；slurry ：純水 ：界面活性剤 ：懸濁液,问题4 为了防止真空chamber内的dust被扬起，在减压状态下慢慢地恢复到大气压状态的方法叫做（ ）。 ：slow排气 ；slow vent ：matching ：rapport,问题5 放入到carrier中的晶圆，为了防止d