新建年产250MW晶体硅太阳能电池片生产线建设项目节能评估报告书.doc

新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线节能评估报告 78前 言第一节 评估目的和意义 一、评估的目的为贯彻落实国务院关于加强节能工作的决定和国家发改委固定资产投资项目节能评估审查暂行办法（中华人们共和国国家发展和改革委员会第6号令）精神，做好固定资产投资项目（含规划、新、改、扩建）的节能评估工作，为落实科学发展观，从源头上把住能源、资源节约关，促进经济可持续发展，依据中华人民共和国节约能源法、国务院关于加强节能工作的决定及关于在全省发改系统先行开展固定年投资项目节能评估和审查工作的请示，xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司“新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线”需要进行节能评估。节能评估是根据国家有关法律、法规、标准及规定的要求，针对工程项目的具体情况，对项目工艺、技术、设备、综合能耗、材料的下一级资源的综合利用情况等进行评估，避免盲目投资和低水平重复建设，并针对存在问题提出相应的整改措施。第二节 评估过程根据建设单位xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司的要求，我公司组织相关人员于2011年3月21日与建设单位的领导和技术人员进行广泛交流，开始对项目节能评估报告的编制所需的基础资料进行系统收集，并组织专家和工程几乎人员对项目进行节能评估工作，着手编制项目节能评估报告。第一章 评估依据第一节 评估范围和内容根据建设单位xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司（后面简称“xxxxxx光伏公司”）委托要求，本项目节能评估报告的主要咨询研究范围为：xxxxxx光伏公司“新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线”项目可行性研究报告节能相关的章节及项目投产运行用能状况进行节能评估，通过项目用能情况分析、建设方案节能评估、项目能源消耗及能效水平评估以及节能措施评估和效果评估等方面进行分析评估项目的节能情况，并根据国家有关规定，编制完成本项目节能评估报告。第二节 评估依据一、合理用能法规、标准、节能设计规范1、国家现行的有关法律、法规、政策及国家标准（1）中华人民共和国节约能源法（中华人民共和国主席令2007第77号）；（2）中华人民共和国环境保护法；（3）中华人民共和国清洁生产促进法；（4）中华人民共和国循环经济促进法；（5）重点用能单位节能管理办法（原国家经贸委令1999第7号）；（6）国家发改委关于加强固定资产投资项目节能评估和审查工作的通知（发改投资20062787号）；（7）国务院关于加强节能工作的决定（国发200628号）；（8）国务院关于印发节能减排综合性工作方案的通知（国发2007第15号）；（9） 建设项目环境保护管理条例（国务院1998第253号）；（10）节能中长期专项规划（发改环资20042505号）；（11）中国节能技术政策大纲（2006）；（12）国家发展改革委项目申请报告通用文本；（13）关于加强能源计量工作的意见；（14）清洁生产审核暂行办法（原国家环境保护总局令第16号）；（15）节约用电管理办法（原国家经贸为 原国家发展计划委20001256号）；（16）建设部关于贯彻国务院关于加强节能工作的决定的实施意见（建科2006231号）；（17）建设工程勘察设计管理条例（国务院令293号）；（18）中华人民共和国进口计量器具监督管理办法（1989年10月11日国务院批准）；（19）能源效率标识管理办法（国家发改委、国家质检总局2004年17号令）；（20）中华人民共和国强制检定的工作计量器具检定管理办法（1987年4月15日国务院颁布）。2、xxxxxx省有关规定（1）xxxxxx省人民政府关于加强节能工作的实施意见（赣府发200624号）；（2）xxxxxx省关于加强固定资产投资项目节能评估和审查工作的通知（赣发改投资字200744号；（3）xxxxxx省节能监察办法（试行）（赣工信办发200944号）；（4）xxxxxx省实施“节约能源法”办法；（5）xxxxxx省资源综合利用条例；（6）xxxxxx省建设项目环境保护条例；（7）中共xxxxxx省委关于制定全省国民经济和社会发展第十二个五年规划的建议。3、产业政策和准入条件（1）国务院关于发布促进产业结构调整暂行规定的通知（国发2005 40号）；（2）中国节能技术政策大纲（计交能1996905号）；（3）国务院办公厅关于开展资源节约活动的通知；4、行业标准、规范、技术规定和技术导则（1）管理及设计方面的国家标准和规范工业企业能源管理导则（gb/t15587-1995）；用能单位能源计量器具配备和管理通则（gb17167-2006）；工业设备及管道绝热工程设计规范（gb50264-1997）；工业设备及管道绝热工程质量检验评定标准（gb50185-1993）；10kv及以下变电所设计规范（gb50053-94）；供配电系统设计规范（gb50052-2009）；低压配电设计规范（gb50054-95）；电力工程电缆设计规范（gb50217-94）；通用用电设备配电设计规范（gb5055-93）；节能技术监督导则（dl/t1052-2007）。（2）合理用能法规、标准及节能设计规范评价企业合理用电技术导则（gb/t3485-1998）；评价企业合理用热技术导则（gb/t3486-1993）；评价企业合理用水技术导则（gb/t7119-1993）；节电措施经济效益计算与评价（gb/t13741-1992）；设备及管道保温保冷技术通则（gb/t11790-1996）；设备及管道保温效果的测试与评价（gb/t8174-1987）；节电措施经济效益计算与评价（gb/t13741-1992）。（3）工业设备能效方面的标准清水离心泵能效限定值及节能评价值（gb19762-2005）；中小型三相异步电动机能效限定值及能效等级（gb18613-2009）；容积式空气压缩机能效限定值及节能评价值（gb19153-2003）；三相配电变压器能效限定值及节能评价值（gb20052-2006）；通风机能效限定值及节能评价值（gb19761-2005）；工业燃料加热装置能耗限值（jc569-1994）。（4）能源评估计算依据的国家标准企业能源审计技术通则（gb/t7166-1997）；节能监测技术通则（gb/t15316-1994）；设备热效率计算通则（gb/t2588-2000）；综合能耗计算通则（gb/t2589-2008）；企业节约能源计算方法（gb/t13234-1991）；企业能耗计量与测试导则（gb/t6422-1986）；工业企业能源管理导则（gb/t15587-1996）；企业能量平衡统计方法（gb/t16614-1996）；企业能量平衡表编制方法（gb/t16615-1996）；企业能源网络图绘制方法（gb/t16616-1996）；企业能流图绘制方法（gb6421-86）。（5）建筑类相关标准和规范公共建筑节能设计标准（gb50189-2005）；建筑照明设计标准（gb50034-2004）；绿色建筑评价标准（gb/t50378-2006）；建筑采光设计标准（gb/t5033-2001）；采暖通风与空气调节设计规范（gb50019-2003）；外墙外保温工程技术规程（jgj144-2004）；建筑给水及采暖工程质量验收规范（gb50242-2002）；工业企业照明设计标准（gb50034-92）。二、相关工程资料和技术合同1、xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司提供的新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线可行性研究报告；2、xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线节能评估报告书编制委托合同；3、xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司提供的设备技术参数及其项目的相关技术资料。第三节 评估原则和注意事项一、评估严格按照国家法律、法规规定和国家技术标准的内容要求进行评定。二、节能评估工作坚持科学性、公正性、针对性和合法性的原则。三、严格遵守保密制度，评估过程中的情况任何人不得以任何形式透露给与评估无关的单位和个人。第二章 项目概况介绍第一节 项目建设单位概况 1、项目建设单位：xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司2、法人代表：王建昌3、所有制形式：民营企业4、单位地点：xxxxxx省xxxxxx县工业园区5、注册资本：3000万元6、成立时间：2011年1月20日7、项目联系人：吴挺8、联系方式xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司由王建昌、陆文贤、钱公浩、吴挺四位自然人投资兴建的工业项目，项目位于xxxxxx县工业园，本项目总投资62350.99万元，公司的产品主要是6英寸单晶硅圆棒、8英寸多晶硅锭、125125太阳能电池单晶硅片、156156太阳能电池多晶硅片。项目建成达产后，年产1000吨6英寸单晶硅圆棒，8英寸多晶硅锭833吨，125125太阳能电池单晶硅片6600万片，156156太阳能电池多晶硅片3700万片，项目年均销售收入将达到198018.46万元，年均利税25626.26万元，是一个见效快、受国家相关产业政策的支持、具有良好社会经济效益的项目。第二节 项目建设方案1、项目名称：新建年产250mw晶体硅太阳能电池片生产线。2、建设地点：位于xxxxxx县工业园区广源路南侧、园区九路东侧3、项目性质：新建。4、投资规模：项目总投资62350.99万元，建设静态投资51425.2万元，建设期利息2592万元，铺底流动资金8333.79万元。5、建设内容：本项目总占地面积168795平方米（250亩），建筑面积159298.4m2，容积率为94.4%，建筑基底占地面积91032.4 m2，建筑密度53.9%，污水池面积632 m2，道路广场面积43432.6 m2，绿地面积33700 m2，采用国内外先进的单晶炉、铸锭炉、切片机、切方机、硅片线切割机、滚圆机、清洗机、硅片检测设备、硅棒检测设备及相关辅助设备等共计各类设备1306台（套），形成年产1000吨6英寸单晶硅圆棒，8英寸多晶硅锭833吨，125125太阳能电池单晶硅片6600万片，156156太阳能电池多晶硅片3700万片。6、项目工艺方案本项目选择的设备技术成熟可靠、性价比高、结构先进合理、性能稳定和生产能力配套，形成高质高效具有先进性能的生产线，可实现产品的大规格、多品种要求，达到产品生产灵活、操作便利，产品质量控制方便，可确保产品质量，提高成品率，同时能减少占地。（1）硅料酸洗腐蚀工艺1）工艺流程见图2-1：图2-1 硅料酸洗腐蚀生产工艺流程图2）工艺流程说明： 硅料：主要为多晶硅料或者头尾料和锅底料等不可直接利用的原料； 分选、打磨/喷砂：即根据硅料的电阻率（利用电阻仪进行测试）不同进行分类（以电阻率0.1cm为界限，即0.1cm以上的硅料方可利用），同时去除表面肉眼可见的杂质，并将分类的硅料进入下一道工序生产；若硅料表面较脏且人工无法去除，则采用打磨或喷砂的方式进行去除；部分硅料需利用无水乙醇进行擦拭，以去除其表面的少量油污； 装篮、浸泡腐蚀、超声波清洗、冲洗：将需要酸洗的硅料放入塑料防腐蚀篮内，装入质量约3kg/个；若硅料表面杂质较多，则需要进入氢氟酸（浓度为55%）腐蚀槽进行浸泡腐蚀，硅料放入后立即关闭腐蚀槽，操作条件为常温，时间约24h48h/批，主要去除硅料表面的sio2杂质及金属杂质；若硅料表面较清洁，则可将装篮的硅料直接放入超声波清洗机内进行清洗去除硅料表面的少量油脂，主要加入一些洗涤剂（如无磷洗衣粉等），时间约1015min；经超声波清洗后将硅料用自来水进行冲洗（2遍）； 酸洗、清洗、冲洗：将经氢氟酸浸泡或冲洗后的部分硅料放入酸洗槽内进行酸洗，硅料放入后浸泡23min后即酸洗完毕，主要去除硅料表面的sio2杂质及金属杂质；少量硅料由于表面酸洗不彻底需对其利用1号清洗液（由双氧水33%、氨水30%及自来水按1:1:7的体积比进行配比）进行清洗处理；酸洗或清洗完毕后利用高纯水进行冲洗（共6道）以去除硅料表面残留的酸液； 超声波清洗、高纯水浸泡：将冲洗后的硅料放入超声波清洗机内进行清洗，进一步去除硅料表面附着的残留酸液，使其表面无酸液附着；之后将清洗完毕的硅料放入高纯水中浸泡5min，用以去除硅料表面痕量的酸液，直至确定无酸液附着（主要测试高纯水电导率来确定，要求在0.8s/cm以下）；甩干、烘干、包装入库：经高纯水浸泡后的硅料放入甩干机内进行甩干以去除硅料表面残留的水分，之后送入烘箱（采用电加热）内进行烘干处理对硅料进行彻底干燥（烘干温度为115，时间约0.55h不等）；经烘干后的硅料即可包装入库，以便进行后道加工。（2）硅料碱腐蚀+酸洗工艺 1） 工艺流程见图2-2： 图2-2 硅料碱腐蚀+酸洗生产工艺流程图 2）工艺流程说明： 硅料、分选、装篮、浸泡腐蚀、超声波清洗、冲洗。其工序与前述酸洗腐蚀工艺一起完成，除酸洗腐蚀外的部分硅料，采用碱腐蚀+酸洗工艺； 腐蚀、清洗、超声波清洗。将冲洗后的硅料放入碱腐蚀槽（1个，规格为1m1m）内进行腐蚀，硅料放入后腐蚀时间在30s10min不等，腐蚀温度约80，主要去除硅料表面的sio2等非金属杂质；另外，腐蚀槽上方设置集气抽风装置，进出料时开启抽风装置，产生的碱雾进入废气处理设施处理；腐蚀完毕后的硅料利用高纯水进行清洗（共3道），以去除硅料表面残留的碱液；之后利用超声波清洗进一步去除硅料表面残留的痕量碱液； 酸洗、浸泡。将超声波清洗完毕的硅料送入酸洗槽（0.20m2，1个）内进行酸洗，硅料放入后浸泡23min后即酸洗完毕，进一步去除硅料表面的sio2杂质及金属杂质；酸洗完毕后将硅料放入氢氟酸（浓度为5%）浸泡槽（1个，面积为1.0m1.0m）内进行浸泡35min使硅料表面的金属非金属杂质基本上清除完毕（运作时间约为8h/d）； 冲洗、超声波清洗、高纯水浸泡、甩干、烘干、包装入库。上述工序说明具体见前述酸洗腐蚀工艺流程说明。 （3）单晶硅生产工艺 1）工艺流程见图2-3：图2-3 单晶硅生产工艺流程图 2）工艺流程说明： 硅料。单晶硅生产过程中使用的硅料，均为成品（无需再进行腐蚀、酸洗等处理；其中部分硅料由企业自身腐蚀、酸洗得到，其余均由外单位进行腐蚀加工）即可投炉加工。 配比装炉、拉晶、冷炉拆炉。即将成品硅料根据要求与相应的母合金（主要是p、be等元素含量多一点的硅片，加入量约为硅料加入量的百万分之一）进行混合装入单晶炉内拉晶（控制温度约为1420，时间约为3040h/批，每批生产量约为20kg/炉；拉晶过程中单晶炉内采用液氩作为保护气体；该过程主要是利用高温使高纯硅在单晶炉内熔融并使原子进行有序排列，待有序排列完毕后由单晶炉上方拉晶成柱状硅棒）；硅棒生长完毕后对单晶炉进行冷却，之后将硅棒从单晶炉内卸下，以便后道加工处理。测试、分段。利用各类检测设备对成规则柱状硅棒进行电阻率、氧、碳等成分进行测试，经测试合格后（测试不合格的硅棒则送单晶炉或结晶炉作回炉重新拉晶处理）送入切断机内进行分段处理（一般直径为125mm，长度以3040cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能够顺利进入切片机内进行切片处理；分段过程采用自来水对设备进行冷却，经冷却后排入厂区内污水处理设施。 （4）多晶硅锭生产工艺图2-4 多晶硅铸锭工艺流程图多晶硅铸锭炉采用的生长方法主要为热交换法与布里曼法结合的方式。在加热过程中保温层和底部的隔热层闭合严密，保证加热时内部热量不会大量外泄，保证了加热的有效性及加热的均温性。开始结晶时，充入保护气，装有熔融硅料的坩埚不动，将保温层缓慢向上移动，坩埚底部的热量通过保温层与隔热层之间的空隙发散出去，通过气体与炉壁的热量置换，逐渐降低坩埚底托的温度。在此过程中，结晶好的晶体逐步离开加热区，而熔融的硅液仍然处在加热区内。这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度，有利于晶体的生长。所获得的多晶硅可直接获得方形材料，并能制出大型硅锭，利用各类检测设备对成规则柱状硅棒进行电阻率、氧、碳等成分进行测试，经测试合格后（测试不合格的硅棒则送单晶炉或结晶炉作回炉重新拉晶处理）送入切断机内进行分段处理（一般长度以3040cm不等）便得到成品硅棒，分段的目的主要是使硅棒能够顺利进入切片机内进行切片处理；分段过程采用自来水对设备进行冷却，经冷却后排入厂区内污水处理设施处理后循环使用。 （5）硅片切割生产工艺 1）工艺流程见图2-5：图2-5 硅片切割工艺流程图 切片后的清洗过程包括以下步骤：硅片自来水洗纯水洗（2道）清洗剂清洗（3道）纯水洗（2道）离心甩干 2）工艺流程说明： 硅棒。去头尾、切方，即利用切断机对硅棒进行去头尾处理，之后利用切方机对其进行切方处理使其成为规则柱状；然后进行分段。其头尾切料及废硅料回炉利用。该过程采用自来水对设备进行冷却，经冷却后排入厂区内污水处理设施； 切片。将分段的成品硅棒送入切片机内进行切片处理（每台切片机需加入250kg切割液及250kgsic粉末作为冷却液，其在使用过程中经设备自带的过滤装置过滤后循环使用、定期排放；更换量约8.0t/d）；切片得到的硅片厚度约为200m； 清洗、离心甩干。对切好的硅片须进行清洗处理，主要包括自来水洗（时间约6min，控制温度为3040）、纯水洗（2道，每道控制条件为：时间约6min，温度为3040）、清洗剂清洗（共3道，其中前两道清洗剂浓度为5%，后道为12%，每道控制条件为：时间约6min，温度为65）、纯水洗（2道，每道控制条件为：时间约6min，温度为3040），经清洗后的硅片送入离心机内进行甩干处理以去除硅片表面残留的少量水分；检测、包装。对成品硅片进行检测（主要对其电阻率、氧、碳等成分及外观），经检测合格后即可包装出厂。 （6）研磨硅片生产工艺 1）工艺流程见图2-6：图2-6 研磨硅片生产工艺流程图 2）工艺流程说明：将硅片依次放入硅片研磨机内（每次加工量为15片，该过程需加入磨液避免硅片在研磨过程中发生破裂并达到相应的研磨效果主要为硅片厚度及表面亮度）；之后将研磨完毕的硅片放入超声波清洗机内进行清洗（共3道，采用高纯水，每道时间约6min，控制温度为3040）；清洗完毕后在自然条件下风干即为成品，经包装后即可出厂。（7）生产总流程图图2-7 项目总体生产工艺流程图7、总平面布置：根据xxxxxxxxxxxx光伏科技有限公司的要求，规划设计将厂区分为二个区域，即生产区，生活区。根据厂区在xxxxxx县工业园区的位置情况及地形条件，厂区各功能区域的要求，规划设计将生产区布置在厂区北面，生活区布置在厂区西南面。（1）生产区规划在厂区北面，占地面积134295.9719m2 。主要设有拉晶（铸锭）车间、切片车间、碾磨清洗车间、原料仓库、五金仓库、成品仓库、污水处理场等建筑物。厂房内需配有通风、恒温恒湿及吸尘等设备，以满足洁净车间的需要。主厂房呈长方形东西向布置。厂房内拟放置单晶炉，铸锭炉，切片机，切方机，硅片线切割机，滚圆机，清洗机及生产配套设备。 拉晶（铸锭）车间采用钢筋混凝土框架结构，共五个车间，平行设置在厂区东部，每个车间东西方向长108米，南北方向宽40米，内设行车，椽高8米，五个车间的总建筑面积为43200m2，车间生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。切片车间采用钢筋混凝土框架结构，共五个车间，平行设置在厂区东部，与拉晶车间相邻并排，每个车间东西方向长108米，南北方向宽40米，内设行车，椽高8米，五个车间的总建筑面积为43200m2，车间生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。碾磨清洗检验车间采用钢筋混凝土框架结构，共四个车间，平行设置并与切片车间平行，其中，从北往南数第一个车间，东西方向长60米，南北方向宽40米，内设行车，椽高8米；后三个车间形状大小与切片车间相同，每个车间东西方向长108米，南北方向宽40米，内设行车，椽高8米，四个车间的总建筑面积为30720m2，车间因使用酸碱等腐蚀类化学试剂，故需做防腐处理。车间生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。原材料仓库土建参数为40108m，共两个车间，采用钢筋混凝土框架型式，位于厂区西北面，两个车间的总建筑面积为8640m2，生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。成品仓库土建参数为40108m，采用钢筋混凝土框架型式，位于生产区的西南面，共两个车间，总建筑面积为8640m2，生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。五金仓库土建参数为40108m，采用钢筋混凝土框架型式，位于生产区的南面，共两个车间，总建筑面积为8640m2，生产火灾类别为丁戊类，耐火等级为二级。（2）生活区布置在厂区南面，生活区内规划办公楼、科技中心、食堂宿舍等建筑及其它附属房，有运动场和一片绿地。科技中心楼：高四层，以简洁的外露结构梁柱为主，面积3168 m2，采用现浇钢筋混凝土框架结构，楼、屋面采用现浇钢筋混凝土梁板式结构，楼梯采用现浇钢筋混凝土梁板式楼梯。外墙及内隔墙采用砌体墙。办公楼建筑面积1692m2，采用现浇钢筋混凝土框架结构，楼、屋面采用现浇钢筋混凝土梁板式结构，楼梯采用现浇钢筋混凝土梁板式楼梯，外墙及内隔墙采用砌体墙。本项目总占地面积168795平方米（250亩），建筑面积159298.4m2，容积率为94.4%，建筑基底占地面积91032.4 m2，建筑密度53.9%，污水池面积632 m2，道路广场面积43432.6 m2，绿地面积33700 m2，详见平面规划图。8、主要经济技术指标：本项目主要技术经济指标见表2-1：表2-1 主要数据及技术经济指标序号项 目 名 称单 位数 量备 注一生产规模1单晶硅棒吨/年100062单晶硅切片万片/年6600125125太阳能级3多晶硅锭吨/年83384多晶硅片万片/年3700156156太阳能级二产品方案1单晶硅棒吨/年100062单晶硅切片万片/年6600125125太阳能级3多晶硅锭吨/年83384多晶硅片万片/年3700156156太阳能级三年工作时间h7600四主要原材料用量1多晶硅料t/a2077.42液氩m3/a60003铸锭辅助材料万元/a10000420石英坩埚只/a25000520石墨加热器套/a50060.12线切割钢线卷/a215207线切割液t/a43048线切割专用砂t/a43049其它辅助材料万元/a300010包装万元/a1500五供 水最大用水量万m3a79.85六供电年耗电量万kwh21927.14七项目定员人6001生产工人人5162管理技术人员人84八总占地面积168795250亩1厂区占地面积1687952全厂建筑占地面积159298.4九项目综合能耗1单位产品能耗tce/t产品44.272项目总能耗万tce/a8.1143十工程项目总投资万元62350.991建设投资万元51425.22建设期利息万元25923铺底流动资金万元8333.79十一年均销售收入万元198018.46十二年均总成本万元165816.59十三年均经营成本万元160695.70十四年均利润总额万元24544.38年均税金万元7657.49财务评价指标十五总投资收益率32.93十六投资利税率41.10十七投资回收期（含建设期）年5.09税前年5.70税后十八项目财务内部收益率31.17税前25.39税后十九项目财务净现值万元111061.34税前（i=10%）万元75231.31税后（i=10%）二十盈亏平衡点%23.299、项目进度计划 工程建设自2011 年1月开始组织实施，可行性研究报告批复、土建及配套工作实施、设备安装、试生产等工作，整个项目的建成，将于2012年12月建成并投入试生产，整个建设期约为二年。具体实施进度安排详见表2-2：表2-2 具体实施进度安排表 年份项目规划建设期（月）1-23-45-67-89-1011-1213-1415-1617-1819-2021-2223-24项目可研报告初步设计施工图设计设备招标订货、到货非标设备加工土建施工设备安装、调试生产准备试车投产第三节 项目用能情况1、主要用能设备本项目耗能设备包括主要生产、辅助生产、附属生产，其中主要生产是指1000吨单晶硅圆棒及6600万片单晶硅切片；833吨多晶硅锭及3700万片多晶硅切片生产线；辅助生产设备是指空压机、冷冻机、冷却塔、纯水设备等；附属生产主要包括办公楼，实验检验、员工食堂、宿舍澡堂及其他。（1）设备选择原则技术先进：在满足工艺技术要求下，优先选择设备性能先进、具有较高的性能费用比、功能完善、运行维护费用低、单位产品物耗、能耗低、加工程度和加工能力较高。 可靠性高：设备成熟度高。采用已充分验证并经过使用的设备；生产稳定性高。自动化水平高：关键设备实现自动化控制，要求连续化、机械化和自动化程度较高，具有较高的安全性和卫生要求。国内设备无法满足工艺要求得情况下，引进国外设备。（2）项目用能设备一览表表2-3 项目用能设备一览表序号设备名称型号及规格数量设备功率总功率功率单位一生产设备 1切片机mwm442dm101041040kw2切方机mbs10005525kw3烘箱gds-500f12424kw4硅片线切割机oks-500d306180kw5滚圆机gf1048型1810.4187.2kw6直拉式单晶炉drf-8513015219760kw7多晶铸锭炉jz460202004000kw8切割浆液搅拌机hr-3500403.5140kw9硅棒切断机gf-1046103.5735.7kw小计25391.9kw二辅助生产设备1硅料清洗机sgpe19.69.6kw2硅片清洗设备sgr-8槽1000片/8小时108.181kw3纯水设备ro-90 1252252kw5循环泵6132792kw7空气压缩机50hz ssr 55kw1555825kw8冷冻机150kw101501500kw小计3459.6kw总计28851.5kw第二节 项目能源消耗情况本项目年产年产1000吨6英寸单晶硅圆棒，8英寸多晶硅锭833吨，125125太阳能电池单晶硅片6600万片，156156太阳能电池多晶硅片3700万片。生产太阳能级单晶硅片和太阳能级多晶硅片需要的各种能耗以每吨产品为基准的耗实物量、折标煤量、所占百分比见下表。表2-4 能源消耗量表序号 能费项目年需要量折算系数折算能耗（当量值）（tce）比例（%）折算能耗（等价值）（tce）比例（%）单位消耗量1电力万kwh21927.141.229/3.45tce/kwh26948.4699.7575648.6399.912水万t79.850.857tce/万t68.430.2568.430.093合计27016.8910075717.06100数据来源：gb/t25892008综合能耗计算通则上表的电耗主要是指主要生产、辅助生产、附属生产所消费的电量，水则主要是指生产用水和生活用水。图2-1 项目能源消费比例图第三章 能源供应情况评估第一节 项目所在地能源供应条件及消费情况 1、项目所在地的能源供应情况本项目规划建设在xxxxxxxxxxxx工业园，xxxxxx工业园位于xxxxxx县城东南部，园区从2001年开始建设，始终坚持高起点规划、高标准建设、搞效益经营的发展思路，科学建园、工业强县，走新型工业化发展道路。先后投入9.64亿元资金用于交通、电讯、供水、供电、绿化、亮化等基础设施建设，园区交通网络完善，主次干道硬化面积达32万平方米，并安装路灯400盏，绿化面积15万平方米，平整土地完成土方600余万方，铺设各类管、线、涵8万米，实现了“六通一平”，为园区企业提供了便利的生产条件。（1）能源状况本项目的主要消费能源为电和水，项目建设位于xxxxxx县工业园区广源路南侧与园区九路交汇处，县城新建变电站内设有110kv/10kv降压变压器1台，变压器容量为40mva。该变电站在工业园区内专用电网体系，供电能力完全可以满足本项目的用电负荷需要。项目给水水源为县自来水厂供水管网，水源为地下水，完全能够满足企业对谁的要求。（2）电力资源xxxxxx县地处赣西北，水电资源十分丰富，蕴藏量达7.79万kw，总装机容量达6.2万kw，2009年发电量达3亿kwh，且年发电量居xxxxxx省第三，近二年xxxxxx县电力公司对全县电网进行了全面改造，并与南昌大电网连接。项目区内有专用电网体系，电力供应有保障。项目建设按工程设计的要求，新增2500kva12的电力容量，为确保项目建设用电安全和稳定，xxxxxx县供电公司将为项目单位架设独立电网体系，以确保企业正常生产用电需求。（3）水资源xxxxxx县境内山溪河港纵横交织，境内主要干流为南潦河，属常流河，流域面积约1531km2，自西向东横贯全县，历年平均流量104m3/s，水量资源为898.6万m3/d。再加上池塘、水库共有水面9.64万亩，占全县总面积的3.92%，平均多年地表水年径流量为16.8亿m3，其中可利用地表水量为4.6亿m3，地下水量为31.01万m3/d，全县人均拥有水量2020m3，xxxxxx县可开发和利用的水资源比较丰富，可以满足企业在用水方面的需求。2、项目所在地的能源消费情况（1）电力资源消费情况本项目规划建设在xxxxxxxxxxxx工业园区，园区企业的能源消费结构中，电力资源占有较大比重，2009年，园区全年消耗电力约25875万kwh。（2）水资源消费情况xxxxxxxxxxxx工业园区供水来自县自来水管网，水源为地下水。xxxxxx县自来水厂现有供水能力为4.2万t/d（远期将扩大至7.2万t/d），2009年园区用水总量为245.5万t，其中工业用水约157.5万t，居民生活用水87万t，绿化用水1万t。第二节 项目能源消费对所在地能源消费的影响 1、用电情况根据工业生产要求，本项目生产线为连续生产装置，如果中断供电，会造成较大的经济损失，因此定位二级负荷，其中仪表负荷为有特殊要求的负荷，由柴油发电机组组成不停电电源装置供电。本工程用电总装机容量为30000kva，有效负荷28851.5kw，年耗电量约21927.14万kwh，详见工程用电负荷表。 表3-1 本项目用电负荷一览表名称装机容量（kva）有效负荷（kw）年用电量（万kwh)主生产线2640325391.919297.844辅助生产35973459.62629.296总计3000028851.521927.14 全年用电量考虑0.95的同期系数，主生产线、辅助生产的工作时间全年按7600小时计算用电量。2、用水情况本工程所在xxxxxx工业园区给排水设施完善，能满足本工程生产、生活、消防用水及排水的要求，因此，本工程给水和排水可以直接接入原有的给水、排水管网。本项目的用水水质符合生活饮水卫生标准的要求，水压要求不小于0.4mpa。本项目总用水量为79.85万m3/a，生产用水量约为76.6万m3/a，职工生活用水量约为2.25万m3/a。3、项目能源消费对当地能源消费的影响本项目的主要消费能源电力、水、压缩空气、氩气等，其中电力、水从xxxxxx工业园区供电线路和给水管网中购入，压缩空气由电力转化而来，氩气从附近供应商购入，因此，本项目的能源消耗主要是电力、水。xxxxxx是首批全国农村初级电气化达标县，近两年xxxxxx县电力公司对全县电网进行了全面的改造，并与南昌大电网连接，项目区内有专用的电网体系，电力供应有保障。为保证本项目建设用电的安全和稳定，xxxxxx县供电公司将为本项目架设独立电网体系，以确保企业正常生产用电需求。本项目新增30000kva的电力容量，对xxxxxx工业园区总的供电能力以及当地电力消费影响不大。xxxxxx县自来水厂现有供水能力为4.2万t/d（远期将扩大至7.2万t/d）。本项目的用水量为79.85t/a,对自来水公司的供水能力影响不大，对当地用水影响较小。项目位于xxxxxx省xxxxxx县，2010年xxxxxx县万元gdp能耗为1.152tce/万元，而本项目万元工业产值能耗仅为0.36tce/万元（等价值）。本项目主要使用能源为电力、水，排放的废水和废气较少，本项目的投产对于xxxxxx县完成国家的节能降耗指标具有一定的促进作用。因此，本项目的能源消费对当地的能源消费影响不大。第四章 项目建设方案节能评估第一节 项目选址、总平面布置节能评估 1、项目选址项目建设用地位于xxxxxxxxxxxx工业园区内，县境内有省道大（城）干（洲）线、奉（冯川）铜（鼓）线和万（家埠）上（富）线穿过，交通便捷，地理位置优越，县城距南昌市68公理，到宜春200公里，至九江175公里，距105国道33公理，320国道24公里。便捷的地理位置，有利于减少原辅材料及成品运输中间的运转环节，从而达到减少能源消费的目的。2、总平面布置项目建筑总图布置遵循工业企业总平面设计规范，同时满足工艺流程的需要及建筑防火规范及环保要求，合理布局各个车间，力求紧凑，厂区内生产车间布置在一侧、动力车间一字布置在一侧，主体厂房东西向布置；各生产装置按物流向布置，便于安装、生产操作、检查维修；仓储库靠近公路，缩短原料、各车间物料及成品的输送距离，尽量避免产品的二次倒运，同时注意风向、地形、气候的影响及环境污染等。3、建筑设计项目依据民用建筑热工设计规范、公共建筑节能设计标准、建筑节能工程实施质量验收规范及其他相关标准、规范，在建筑屋顶、外墙、楼板、门窗等维护结构上进行合理设计，控制门窗数量及窗墙面积之比，改善窗户的传热系数和遮阳系数，应用新型节能型蒸压加气混凝土砌块、蒸压粉煤灰砖、建筑板材等新型轻质、隔热、保温墙材料及专业砂浆和提高墙体性能的外加剂，外墙采用挤塑保温层柔性外墙涂料，减少冬季时的散热损失。办公楼、宿舍楼建筑外窗选用具有隔热功能的塑钢中空玻璃节能窗，屋顶采用隔热板材以及其他的隔热技术，推广应用建筑节能技术，内部使用高效节能照明灯具，优化照明系统设计，推广应用智能调控装置。第二节 工艺流程、技术方案节能评估单晶硅棒生产工艺：本项目生产所用直拉单晶炉是采用切克劳斯基法的技术。本项目采用软轴提拉型单晶炉，在惰性气体（氩气）的保护环境中，以石墨电阻加热器，将多晶硅材料熔化，用直拉法生长无错位单晶棒。多晶硅锭生产工艺：本项目生产所用结晶炉是采用热交换与布里曼相结合的技术。本项目采用多晶硅铸锭炉，使用先进的多晶硅定向凝固技术，将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,从而达到太阳能电池生产用多晶硅品质的要求，是一种长时间连续工作，高精度、高可靠性、自动化程度高的智能化大生产工艺。硅片工艺流程：硅片的加工是将硅锭经表面整形、切割、研磨、腐蚀、抛光、清洗等工艺，加工成具有一定宽度、长度、厚度、晶向和高度、表面平行度、平整度、光洁度，表面无缺陷、无崩边、无损伤层，高度完整、均匀、光洁的镜面硅片。 本工程符合我国能源结构调整的要求，促进可再生能源发展，符合环境效益和社会效益的要求，且其具备硅片质量优、产量高、用工少、自动化程度高等综合技术特点，因此节约了能源的小孩，提高了产品的生产效率。第三节 主要用能工艺和工序节能评估本项目为年产1000吨6英寸单晶硅圆棒，8英寸多晶硅锭833吨，125125太阳能电池单晶硅片6600万片，156156太阳能电池多晶硅片3700万片，各生产车间需要的能源为电力、新鲜水。由表3-1可知，生产需要的各种能源以每吨产品为基准的耗实物量、折标煤量详见下表。表4-1 主要用能工序名称年用电量（万kwh)项目能耗（当量值）（tce）主生产线19297.8423717.05 辅助生产2629.303231.40 总计21927.1426948.46 上表的耗能工序是项目的主要耗能工序，这是根据太阳能级单晶硅片和太阳能级多晶硅片工艺设定的简单、合理的工序流程，耗能较少。第四节 主要耗能设备节能评估本项目的主要耗能设备是直拉式单晶炉、多晶硅铸锭炉、切方机、线切割机。在本项目中耗能设备选择同类产品中生产效率高、能耗低、技术成熟、运行稳定的产品。drf-85单晶炉属软轴提拉式单晶炉，它是在惰性气体环境中，通过石墨电阻加热器将半导体材料加热并熔化，然后用直拉法生长无位错的单晶设备。该设备可使用18、20、22、24的热系统，投料65-150kg，拉制6-8的单晶。此设备提供全自动/ccd控制系统，底部加热电极，可满足用户采用两温区加热的工艺要求。jz-460多晶铸锭炉是一种生产460kg优质多晶硅铸锭设备。该设备以石墨电阻加热器，在惰性气体环境中，将石英坩埚内的半导体材料融化，；通过隔热层的提升，在热场内产生温度梯度，从而控制晶体由下往上定向生长，设备操作简单。mwm442dm高速多道线切割机占中国切割机市场份额65%以上，本装置是将钢丝线送线、收线通过电子控制方式，来实现高线速的线切割机。本装置切割精度高、表面平行度高和厚度误差小；断面完整性好，没有拉丝、刀痕和微裂纹；提高切割速度，实现自动化切割。且具备自动排线功能。以提高切割线的使用率，节约生产成本等高精度控制关键技术。表4-2 主要耗能设备及能耗指标表（kw）（当量值）序号设备名称数量额定功率装机容量年耗电（万kwh）年耗能（tce）1切片机101041040790.40 971.40 2切方机552519.00 23.35 3烘箱1242418.24 22.42 4硅片线切割机306180136.80 168.13 5滚圆机1810.4187.2142.27 174.85 6直拉式单晶炉1301521976015017.60 18456.63 7多晶铸锭炉