二极管学习课件教学课件PPT.ppt

1.2.5 二极管结构及主要参数,将pn结引出电极，加上封装构成,二极管符号,1. 二极管的结构,二极管的伏安特性曲线,vao = ？,(1) 最大整流电流 if,(2) 反向击穿电压 vbr 和最大反向工作电压 vrm,2. 二极管的主要参数,一般: vrm = 1/2 vbr,(3) 反向电流 ir,(4) 正向压降vf :小电流硅二极管的正向压降约0.60.8v；锗二极管约0.20.3v,(5) 动态电阻 rd：反映二极管正向特性曲线斜率的倒数。 rd 与工作电流的大小有关,即,等效电阻的另一种求解方法,常温下（t=300k）,(6) 极间电容c j,3. 稳压二极管,伏安特性曲线,利用pn结处于反向击穿状态时，通过的电流变化很大，而反偏端电压几乎不变的特性制成稳压二极管,稳压二极管的参数,(1) 稳定电压vz,在规定的稳压管反向工作电流 iz下，所对应的反向工作电压,(2) 动态电阻 r z,(3) 最大耗散功率pzm：取决于pn结的面积和散热等条件,pz = vz iz,反向工作时pn结的功率损耗,(4) 最大稳定工作电流 izmax 和最小稳定工作电流 izmin,稳压管的最大稳定 工作电流取决于最大耗散功率,pzmax =vz izmax,izmin对应于vzmin,若iz izmin，则不能起稳压作用。,稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。,电阻的作用,限流作用，以保护稳压管；,输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用,1.3 半导体二极管电路的等效模型及分析方法,1.3.1 半导体二极管在电路中的等效模型,1. 指数模型,伏安特性,真实地反映了实际二极管的工作特性。,简化模型：二极管v- i 特性,2. 理想开关模型,二极管正向偏置，二极管导通,二极管反向偏置，二极管截止,忽略二极管导通管压降,3. 恒压降模型,二极管导通管压降不能忽略时,等效电阻,4. 折线模型,二极管特性曲线在q点斜率的倒数,5. 小信号电路模型：当外加信号工作在特性曲线的某一小范围内时，二极管的电流将与外加电压的变化成线性关系，可用小信号模型来进行等效,小信号条件：,q点（vq、iq ）未加交流信号时，外电路设置的静态工作点,正向特性可以等效为:,微变电阻,常温下（t=300k）,二极管电路模型：正向导通；反向截止,简单应用电路分析,限幅,整流,二极管的用途： 整流、检波、限幅、箝位、开关、 元器件保护、温度补偿等。,d导通条件：,v0 与 vi 的关系由d 的状态决定,d 处于反向截止时最简单！,状态判断：依据二极管的单向导电性,d导通：,d截止：,若d正向导通，则,若d反向截止，则相当于开路,正向导通分析方法： 图解法 等效电路（模型）法 ,将非线性 线性,二极管状态判断方法,假设d截止(开路)求d两端开路电压,应用电路举例,2cp1（硅）， if = 1ma， vbr = 40v。求vd、id。,例1.1,正偏,d正向导通！,反偏：d反向截止,id = 0,vd = -10v,反偏： d反向击穿,普通：热击穿损坏,vd = - vbr = - 40v,齐纳：电击穿,电路如图，求：vab,例1.2,若忽略二极管正向压降，二极管vd2可看作短路，vab = 0 v ，vd1 截止。,解：,取 b 点作参考点,v2 阳电压高vd2导通。,二极管是理想的，试画出 u o 波形。,已知：,例1.3,解：,d导通，可看作短路,例1.4,已知vdd=10v ，求vd、id。,解：,vdd=10v 时,（1）理想开关模型,（2）恒压降模型,（3）折线模型,1.3.2 半导体二极管电路的分析方法,1. 图解法,（）静态工作点q 的图解,图解法关键画直线,线性部分 直流负载线,线性部分 直流负载线,静态工作点 q ？,线性部分 直流负载线,非线性部分 指数特性,静态工作点 q ？,两线交点q为静态工作点，对应的iq为静态电流， vq为静态电压。,（）交流信号的图解,线性电路方程,直流负载线斜率:,为何要设立静态工作点q ?,2. 工程近似法,1） 整流电路,若二极管具有理想的开关特性,串联下限幅电路,2）限幅电路,二极管反接时：,限幅特性,3）低电压稳压电路：当电源出现波动或者负载发生改变引起输出电压的变化，采用二极管稳压电路稳定输出电压,电路等效变换,4）静态工作点的近似计算,在求二极管的直流工作状态时，常取管子的导通电压为其静态电压，静态电流由回路参数决定。,恒压降模型,静态工作点为：,3. 小信号等效分析法,例1.5,解：,输入交流信号较小时，可将二极管视为线性元件，用引线电阻体电阻串联来等效。,小信号等效电路：,已知伏安特性,求v d、i d。,例