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1,ch5 半导体发光二极管 -light emitting diode- -led-,2,概述 led、laser基本结构与特点: 结构:半导体二极管(pn结); 特点:单色性好, led:1050nm; laser:0.010.1nm led与laser区别: led: 自发发射,产生非相干光; laser:受激发射,产生相干光。 led与laser发光机理: 正偏pn结电子与空穴复合,释放光子。,3,可能的辐射复合,一、 辐射复合与非辐射复合过程,1.辐射复合,a.本征复合h eg b.高能复合h eg,a,b,# 直接带隙复合: h eg 间接带隙复合: h eg+ n,(1)带间复合,(2)杂质与带间复合,f,j,d,e,c.导带受主 d.施主价带 e.施主受主,(3)深能级杂质复合,c,h,俄歇复合,4,(4)激子复合 激子:电子和空穴束缚形成的可在晶体中移动的中性粒子。激子中电子和空穴复合-激子复合。 (5)等电子复合: 等电子:同价原子取代主原子-称为等电子。 等电子中心:原子序数不同,内层电子结构不同,电负性不同。原子序数小的,电子亲和力大,易俘获电子成为负电中心。原子序数大的,易俘获空穴成为正电中心。该中心称为等电子中心。 等电子复合:等电子中心再俘获相反类型载流子形成束缚激子。之后复合发光,称等电子复合。 (6)等分子复合: 等分子:一种分子取代主分子-称为等分子。 等分子复合:若其电子亲和力大,易俘获电子成为负电中心。反之,易俘获空穴成为正电中心。然后再俘获相反类型载流子复合-称等分子复合。,5,2. 非辐射复合 (1)多声子跃迁 电子和空穴复合所放出的能量产生声子,这一过程叫 做子跃迁。声子跃迁的结果,使电子放出的能量转变为 晶格振动能。 (2)俄歇复合 电子和空穴复合时,把多余的能量传给第三个载流子。 获得能量的载流子又会产生多声子过程。这种复合称为俄 歇复合。 另外还存在许多其它的非辐射复合过程。,# 色散: 由于热能,电子能量略高于ec,空穴能量略低于ev, 所以,发射光子能量,6,二、半导体发光二极管,1.基本结构,2.基本工作原理,少子扩散长度,正偏; 非平衡少子辐射复合; 自发辐射; 能量-动量守恒。,7,a.本征型 直接带隙 动量守恒-效率高; 能量守恒 间接带隙 动量不等-效率低。,8,施主-受主(几个晶格距离): 激子: 等电子中心- 等分子中心-,b.非本征型,9,3.发光效率 内量子效率:,外量子效率:,10,4、影响发光效率因素,1)led材料吸收 2)菲涅耳(fresnel)损耗 光子从一种介质入射另一种介质,因折射率不同而 部分光子被反射回,称菲涅耳损耗。 3)斯涅耳(snell)损耗 光子从折射率大的介质向折射率小的介质入射时, 若入射角大于其临界角c ,则,入射光从界面全 反射回原介质。,11,3)菲涅耳(fresnel)损耗,gaas: c= 16;gap: c= 17,1)led材料吸收 h eg(衬底、表面)-吸收。 gaas吸收85%,gap吸收25%,2)斯涅耳(snell)损耗,12,5、考虑效率的led结构 1)抗反射膜 垂直入射光菲涅尔反射系数,13,2)异质结led,p型1017,n型1017,降低吸收,1017,1018,1016,1017,14,3)封装外形与效率,15,7、光纤通信led,8、侧光高强度led,16,9、白光led 1)多基色 2)单色led覆盖色彩转换材料 如荧光材料、有机染料、半导体材料等,吸收原色后发 出宽谱。 3)蓝光led覆盖黄色磷,蓝光与磷产生的黄光合成白光。,13,17,10、发光二极管主要材料,可见光:4000 7600 ;eg:1.8 2.9ev,18,1、gaas1-xpx( gaas+ gap)-红、橙、黄、绿,亮度较低 x 0.450.5转化为间接带隙,效率降低 措施:gaas1-x(px)1-y:ny引入等电子中心 机理:等电子中心复合能级接近导带底。 电子波函数在空间高度局域化,基于测不准原理,波函数动量 在k空间可有较大的范围,动量的变化量被等电子杂质吸收。,19,2、(alxga1-x)yin1-yp -红、橙、黄,高亮度 x 0. 53转换为间接带隙; 常用作
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