半导体知识.docx

1.需要加热的气体: e# & t. q) r 1 t+ i bcl3,clf3, sih2cl2, teos wf32.大宗气体比如n2,h2,ar,he,o2在半导体行业的用途,氮，氢，氦用于保护和干燥等，氧，氮，氩用于干刻蚀，氩气为最常用起辉气体3.六氟乙烷（c2h6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。/4. (一) 吹扫用瓶装n2而不用管道系统n2原因分析:, v) pi, r0 h! c1 k! r1)吹扫时用气量瞬间很大,会降低系统压力.影响其它设备正常使用.) k: 4 _( w3 s4 ) t9 l1 b2)系统n2是高纯价格贵些,用它做吹扫不经济.% p4 # , g7 q0 v- * v3)或许系统n2是低压.而瓶装调压变换方便. 5 d: # 5 g% p$ e4)公司主管工程师的个人习惯.回原因：8 3 y3 a! - a$ c1 l$ x/ f1、吹扫的用量不大，目前来说单个吹扫量基本为1/4“的管道，所以楼上所说的1的原因基本排除。# ? i! a- f! t& m+ p% o! , e2、系统n2要看级别的如果管线过长，要求不是太高，一般做gr来做吹扫，比较省钱。设备要求高的只能用系统pn2而不能用钢瓶n21 i! p& o: 2 * s& yz; c/ e3、在部分管道吹扫中，如siline ph3等要求有hpn2吹扫时，系统pn2达不到要求，一般会增加一个hpn2的gr / & j1 r6 + x5 l0 j7 a+ o4、在工艺中一般会有一个或多个活动pn2吹扫系统 用于应急。（二）2 p$ . 6 k6 - g! g其实很多公司的一般吹扫就是将气枪接到系统上.贵司有一定特殊性吧1.我们这边瓶装n2要比系统氮便宜很多的，因为是为特气系统吹扫，瓶装n2纯度等级应该不低。# x- s3 y9 wp5 l + a6 i/ . q2.吹扫压力一般也不会要求太高，系统氮气压力满足要求。4 r3 ; m& e% f9 _8 b2 i3.至于流量，吹扫时我观察过系统氮气流量，变化不明显。远远没有一些生产设备用气时对系统的冲击大。 w0 w& a- l3 b2 l7 t不足之处，欢迎指正！（三）习惯问题。新建厂在系统氮气设备不完善之前，会用瓶装氮气吹扫，老厂就不必了。（四）但是有许多老厂依然用瓶装氮气做系统吹扫。（五）1瓶瓶装氮气，因纯度有要求，往往价格要在几千元rmb,一瓶才4点几立米。而系统氮气，每立方才1元多点。价格差的很多！（六）应该是主要考虑担心制成气体发生倒流到n2系统管道中去。从而污染n2系统。另一方面防止交叉污染。好像以前在台湾有过这样的案例。check valve在压力相等的情况下没有做用。（七）制程气跑到系统n2中的可能行很小，0 i8 c0 a: k$ a3 r0 h/ d先分析下：$ w* r! o2 6 e* t2 g1.气体供应过程，因为制程气与系统吹扫氮气之间有3个气动隔膜阀。三个阀门同时出现内漏的可能行太小了吧。: q, g: b! l% z i$ e7 i* |, b! c2.吹扫过程，吹扫过程都是先抽真空，将制程气抽出之后充入氮气。这时泄漏到系统n2的可能性也非常小。但是这步确实值得怀疑，因为特气柜抽真空只是粗抽，pigtail等管路里一定有制程气，此时通入n2到压力平衡时制程气多少会有些扩散到n2里的。但是好像可以通过调节吹扫n2减压阀的出口压力来避免。（八）这个问题有两点：一个是瓶装的氮气的纯度更好，并且吹少气体的压力有一定的范围，一般在80110之间。另外一个普通的氮气一般在工艺上为开关气动阀或者尾气处理上用！（九）纯度原因，pn2与gn2指标不同。（十）我用的系统pn2进行吹扫，纯度没有问题。压力吗，减压后控制在70-80psi,我只想与诸位讨论下是否有必要改成瓶装氮气。因为个人认为没有必要该。（十一）1、钢瓶pn2的纯度比较高，我们用的是6n的 j z, s: n& / c( p2、防止制程气体倒灌进入pn2系统吧，因为有些气体的出口压力很高的，万一相应高压阀串通的话有进入pn2系统的可能。（十二）可能原因跟纯度 和压力有关。 x q8 h2 q: v: s6 q1.gn2 纯度得不到保证、可能污染高纯工艺管道。而工艺上用的氮气大多不直接参与工艺反映。, q9 u# _% z, j4 ?2.压力方面、比如sih4、ph3、等高危险性气体 在换瓶之后需做高压保压（1500psi）以上、系统氮气达不到要求。而大多数厂 吹扫和换瓶的保压用同一个系统。即一路高压 一路低压。反正高压一路是一定要做的。和用一个系统使用更方便。9 ?( # p, l4 e! 3.纯属个人见解。（十三）这个问题，跟机台端的需求有关系/ e8 n: j& a8 g; h. % r7 w- d% p7 l7 o$ w太阳能、半导体、tft各自的工艺对h2o、o2、颗粒、等杂质的要求不一样, . w _0 k7 k# s% o t5 b4 l* ?; t/ k# a* n半导体tft太阳能) m4 ( s还有一些自燃性、腐蚀性气体，对n2中的h2oo2的含量要求很高的。9 w, b& a+ x) 7 d) h# t6 j) a; % q4 . u# j半导体厂里部分气体的吹扫还是使用的he做吹扫气体，因为该制程气末端的温度较高，n2在高温下不如he稳定（十四）跟压力有关！sih4等有害气体换瓶后需要高压保压测试，系统氮气不能满足高压保压所需压力（1500psi）（十四）钢瓶氮气一般纯度比系统n2高的，所以用钢瓶n2吹扫会吹扫的更干净。系统n2含有的杂质水分什么的会多，如果你用系统做吹扫需要在进入盘面前加装一个纯化器来去掉水分以及其他杂质。瓶装n2肯定是比系统n2贵很多的。5. 请问使用bsgs供应nh3,cl2的话，加热控制在什么范围比较好啊？（一）nh3加热控制在28-35度，cl2只要在调压阀上搞个加热带就可以了（二）nh3要45度吧（三）所有的加热都不建议超过40摄氏度（四）首先温度不能超过气体手册里的critical温度，另外加热最理想的状态是刚刚好补充气化时所需的热量。3 e3 t9 y w t! v x具体多少度，还要看实际情况（五）钢瓶的任何部位不能超过50度的加热-钢瓶阀门内的seat耐热为60摄氏度左右减压阀部位不能操过60度的加热-减压阀内的seat耐热为65摄氏度左右（六）加热毯温度可以加到50度以上，因为使用时气体温度绝对达不到50以上，heat bolck温度80度左右，盘面温度为40度左右，我司一直这样run（七）bsgs中的硅烷是气液共存的。硅烷的gc是气态的。（八）y瓶温度控制在25左右，主管路控制在35左右（九）視現場使用流量增減 我司是利用壓力控制溫度 於一次壓力不足時啟動第二段加熱q# ; y. 5 a) ?& b8 a) r/ f1 s# l. b2 3 s我也想過可用壓力控制溫度然後用pid自控 v2 y4 r7 w( t- y3 $ yj) s! s1 d- 重點是加熱時鋼瓶溫度盡量不要高於50度6. bcl3, cl2, hbr, ph3, dcs, wf6 , sif4 ,f2/kr/ne, c5f8, sih4, nf3 and nh3 use double walled piping(常見的雙套管)+ b+ h; w% o9 s; r nf3 暴露預防措施:$ t, 8 7 r5 1 f0 b8 dj八小時日時