DRAMSDRAMSRAM之间的区别.docVIP

SRAM可以不用讨论了，CPU的缓存就是SRAM，速度极快，但是成本极高，所以容量非常小，现在的基本是和CPU主频同速，早先Slot1/A的P3/K7是1/2,1/3,2/5速SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。DRAM包含SDRAM,DDR SDRAM，如果你说的是Rumbus的RDRAM，那个是串联形式的内存，位宽只有16/32bit，但是工作频率极高，00年就能达到800MHz的速度，同期DDR只有266MHz，不过这个内存属于Rumbus专利技术，授权费极高，所以现在已经退出桌面市场，部分服务器还在使用，另外现在他最大的客户是SONY PS3，不过规格进一步升级，叫YellowStoneDDRSDRAM前面DDR就是Dual Data Rate，双倍速率，2bit预读，上下同时读写，相当于SDRAM的频率X2，所以现在DDR400的实际频率只有200MHz，但是等效400MHz，同理现在的DDR2是4bit预读DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。 而且是行列地址复用的，许多都有页模式。 SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据 不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。 SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。 但是读写速度不如SRAM， 但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新 时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的 多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使 用SRAM。特点简介：SRAM：静态RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU内部的cache，都是静态RAM，缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。DRAM：动态RAM，需要刷新，容量大。SDRAM：同步动态RAM，需要刷新，速度较快，容量大。DDRSDRAM：双通道同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。具体解释一：什么是DRAMDRAM的英文全称是DynamicRAM，翻译成中文就是动态随机存储器。DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。什么是SRAMSRAM的英文全称是StaticRAM，翻译成中文就是静态随机存储器。SRAM主要用于制造Cache。什么是SDRAMSDRAM的英文全称是SynchronousDRAM，翻译成中文就是扩充数据输出内存，它比一般DRAM和EDORAM速度都快，它已经逐渐成为PC机的标准内存配置。什么是CacheCache的英文原意是储藏，它一般使用SRAM制造，它与CPU之间交换数据的速度高于DRAM，所以被称作高速缓冲存储器，简称为高速缓存。由于CPU的信息处理速度常常超过其它部件的信息传递速度，所以使用一般的DRAM来作为信息存储器常常使CPU处于等待状态，造成资源的浪费。Cache就是为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动以后，CPU就把DRAM中经常被调用的一些系统信息暂时储存在Cache里面，以后当CPU需要调用这些信息时，首先到Cache里去找，如果找到了，就直接从Cache里读取，这样利用Cache的高速性能就可以节省很多时间。大多数CPU在自身中集成了一定量的Cache，一般被称作一级缓存或内置Cache。这部分存储器与CPU的信息交换速度是最快的，但容量较小。大多数主板上也集成了Cache，一般被称作二级缓存或外置Cache，比内置Cache容量大些，一般可达到256K，现在有的主板已经使用了512K2M的高速缓存。在最新的Pentium二代CPU内部，已经集成了一级缓存和二级缓存，那时主板上的Cache就只能叫作三级缓存了。什么是闪存闪存目前主板上的BIOS大多使用FlashMemory制造，翻译成中文就是闪动的存储器，通常把它称作快闪存储器，简称闪存。这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对BIOS进行升级操作。解释为什么dram要刷新，sram不需要：这个是由于ram的设计类型决定的，dram用了一个t和一个rc电路，导致电容毁漏电和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据具体解释二：DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。SDRAM虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以PC133为例，它的时钟周期是7.5ns，当CASlatency=2时，它需要12个周期完成8个突发读操作，10个周期完成8个突发写操作。不过，如果以交替方式访问Bank，SDRAM可以在每个周期完成一个读写操作（当然除去刷新操作）。其实现在的主流高速存储器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便买到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便买到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。SRAM是StaticRandomAccessMemory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和FlashMemory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（SynchronousDRAM），这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。SR