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文档简介
上节课余留问题:标准做法:全部清0部分置1置1:位或掩码清0:位与掩码的反码题:32位,17到10位设成010101解:GPBCON&=0x0003FC00 GPBCON|=0x00015400(注:置0变1(加上就变成0了)正文:使用按键控制LED电路图GPB5GPB6GPB7GPB8LED1LED2LED3LED43.3VS3C2410GPG11GPG3GPF2GPF03.3VK1K2K3K4S3C2410K1闭合,GPB11低电平K1断开,GPB11高电平GPGDAT11位,当GPB11为0时,低电平;当GPG11为1时,高电平。考试肯定考的20分编程题!#define GPBCON(*(volatile unsigned long*)0x56000010)#define GPBDAT(*(volatile unsigned long*)0x56000014)#define GPGCON(*(volatile unsigned long*)0x56000050)#define GPGDAT(*(volatile unsigned long*)0x56000054)#define GPFCON(*(volatile unsigned long*)0x56000060)#define GPFDAT(*(volatile unsigned long*)0x56000064)#define GPB5_OUT 1(5*2)#define GPB6_OUT 1(6*2)#define GPB7_OUT 1(7*2)#define GPB8_OUT 1(8*2)#define GPG11_IN (3(11*2)#define GPG3_IN (3(3*2)#define GPF2_IN (3(2*2)#define GPF0_IN (3(0*2)int main()unsigned long dwDat;GPBCON=GPB5_OUT| GPB6_OUT| GPB7_OUT| GPB8_OUT;GPGCON=GPG11_IN&GPG3_IN;GPFCON=GPF2_IN&GPF0_IN;while(1)dwDat=GPGDAT;if(dwDat&(111) /如果表达式为真值,表示K1没被按下,与GPG11相连GPBDAT|=(15); /LED1熄灭elseGPBDAT&=(15); /LED1点亮if(dwDat&(13) /如果表达式为真值,表示K2没被按下,与GPG3相连GPBDAT|=(16); /LED2熄灭elseGPBDAT&=(16); /LED2点亮dwDat=GPFDAT;if(dwDat&(12) /如果表达式为真值,表示K3没被按下,与GPF2相连GPBDAT|=(17); /LED3熄灭elseGPBDAT&=(17); /LED3点亮if(dwDat&(10) /如果表达式为真值,表示K4没被按下,与GPF0相连GPBDAT|=(18); /LED4熄灭elseGPBDAT&=(18); /LED4点亮return 0;解读程序:上拉电阻寄存器:GPBUP0x56000018 GPGUP0x56000058 GPFUP0x56000068(A组00,B组10,C组20,以此类推,F组60)#define GPB5_OUT 1(5*2)第10位掩码置1#define GPG11_IN (3(11*2)第(11向左移22位)22位和第23位的掩码清0dwDat作用临时保存GPGDAT和GPFDATOUT输出引脚IN输入引脚问题:第10,12,14,16位是1,其它都是0了,变成输入引脚了。作业:如何把第10,12,14,16位置1而其它不变成输入引脚?(22,23位,6,7位,4,5位,0,1位都是输入引脚,是所需的,而其它不需要。)答:GPBCON&=0x00C3FCF3GPBCON|=0x00015400GPBCON&=0x00C000C0GPBCON&=0x00000033分析:GPBCON和上课讲的一样;GPGCON只需将22,23位和6,7位置0;GPFCON只需将4,5位和0,1位置0;下图是汇总画的,只为理解过程,不是答案。3128272423201916151211874300000000011000011111111001111001100C3FCF33128272423201916151211874300000000000000001010101000000000000015400下节课交三条语句,其它不用写。K1按下,GPGDAT11为低电平,dwDat值为0,第11位值为0,位与11位的掩码得0;K1断开,GPGDAT11为高电平,dwDat值为1,第11位值为1,位与11位掩码得1;判断某位是1还是0的方法:与上该位的掩码dwDat&(12)第二章 嵌入式存储器一、分类SRAM:静态随即存储器(cache) 存取速度会计,容量小,造价高,不需刷新DRAM:动态随即存储器(内存) 造价低,存取速度稍慢,存储单元需刷新SDRAM:同步动态随机存储器 步时钟(上升沿或下降沿存取数据)DDR S
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