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國家奈米元件實驗室奈米量測技術整合委託申請表申請者姓名： 身份證字號：實驗室編號所屬單位： 電話(必填)： 地址：指導教授或主管親自簽章： 計劃名稱：國科會編號 （卡號：S ）申請者勿填其他e-mail(必填)： 申請日期： 交件日期： （請操作員填寫）預定完件日期：民國 年 月 日研究領域或主題：請勾選奈米電子 奈米光子 奈米量測 奈米製造及功能性材料 高頻技術奈米生物電子與元件 奈米結構與分析 奈米系統模型與模擬 其他業界類別：積體電路 電腦週邊 通訊光電 精密機械生物技術(非業界無須勾選)送件地點:新竹台南 取件地點: 新竹台南一.分析內容及目的: 二.材料特性結構:三.分析項目需求: 非破壞性分析: 1.掃描探針顯微鏡系統(AFM) a.大試片AFM/SCM b.破片AFM c.破片AFM/C-AFM 特殊條件或注意事項:2.X光薄膜繞射儀(XRD)編號材質觀 察 項 目特 殊 要 求-2 scanGIXRD 特殊條件或注意事項:3.化學分析電子儀(ESCA) a.定性 b.Chemical Shift - 待測元素: c.定量 - 待測元素: 特殊條件或注意事項:4.薄膜測厚儀(-step)特殊條件或注意事項:破壞性分析:1.熱場發射掃描式電子顯微鏡(TFSEM:Jeol6500F) a.二次電子(SEI) b.反射電子(BEI)特殊條件或注意事項: 2.場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM:Hitachi) a.二次電子(SEI) 特殊條件或注意事項:3.二次離子質譜儀(SIMS)a.二次離子掃描 MASS RANGE AMU 質量解析度M/M AMU b.縱深分析分析元素種類（MAX.7 ELEMEENTS）分析縱深 m(請描述分析至哪一層結構後結束) 欲定量元素(依重要性排序) 特殊條件或注意事項:4.歐傑電子顯微鏡(SAM)a.表面定性分析 b.縱深分析 待測元素: ; 待測深度： c.成像分析（Mapping） 待測元素: 特殊條件或注意事項:5.場發射穿透式電子顯微鏡(TEM) 編號材質觀 察 項 目特 殊 要 求HR (TEM)EDX (X-ray) 特殊條件或注意事項:6.試片製備 a.TEM試片- Silicon製程 Sapphire製程 其它b.SCM試片- Silicon製程 Sapphire製程 其它特殊條件或注意事項:分析項目流程: (由技術服務人員填寫) 分析項目統計:(由技術服務人員填寫)編號分析項目機台工程師片數時數費用123456總計技術服務負責人簽章： 申請人簽章： （完件時請申請人填寫） 填妥此表後請e-mail至楊君惠小姐，address:.tw 或電話
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