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微电子测试分析课程教学大纲摘要：微电子测试分析课程教学大纲课程编号:英文名称:Experiments of Microelectronics .尤其适合于微电子专业学生.实验涵盖半导体物理,固体物理,晶体管原理,半导体集成.关键词：电子,分析类别：专题技术来源：牛档搜索（Niudown.COM）本文系牛档搜索（Niudown.COM）根据用户的指令自动搜索的结果，文中内涉及到的资料均来自互联网，用于学习交流经验，作品其著作权归原作者所有。不代表牛档搜索（Niudown.COM）赞成本文的内容或立场，牛档搜索（Niudown.COM）不对其付相应的法律责任！微电子测试分析课程教学大纲课程编号：英文名称：Experiments of Microelectronics Measuring & Analysts课程类别：必修学分数：2 学时数(理论、实验分别表示)：32(4/28) 周学时：16课内学时/课外学时：1/1授课学期：第六学期适用专业：电子科学与技术前修课程：微电子物理基础、微电子器件基础、集成电路制造技术考核方式：实验报告/实验能力综合考评一、教学目的要求。课程通过结合本专业培养方向、面向本(专)科生而设置，适用于本系宽口径，大平台教学模式，尤其适合于微电子专业学生。实验涵盖半导体物理、固体物理、晶体管原理、半导体集成电路、集成电路制造技术、半导体光电子学等课程。实验类型和种类注重多样性、综合性和系统性。实验教学要求学生熟悉和掌握所学课程相关的基本实验内容和原理，培养学生严谨、踏实、实事求是的科学作风和重视科学实验的思想意识，锻炼学生实际动手操作能力和科学的分析、思考、归纳、总结的工作方法。强调在实验中发现、检验真理，创新思维和综合素质的提高，加强其社会竞争性。努力为国家、社会打造更加优秀的专业人材！二、课程主要内容及基本要求。（标“*”者为重点内容；标“”者为难点）序号实验项目名称内容提要实验难度实验类型学时分配每组人数要求01半导体晶面的光学定向层错、位错、缺陷、晶向正常观察/验证42-3必做02四探针法半导体电阻率和薄层电阻测量 电阻率、薄层电阻偏难测试/验证42-3必做03半导体霍尔系数和电阻率的测量霍尔系数、掺杂浓度、导电类型偏难测试/验证42-3必做04PN结正向压降的温度特性测试PN结温度特性正常测试/验证42-3必做05硅光电池特性测试半导体发光器件、光电池、光功率正常测试/验证42-3必做06半导体PN结结深测量滚球、染色、结深正常测试/验证42-3选做07图示仪双极型晶体管直流参数测量输入/出电阻、击穿电压、饱和压降等偏难观察/测试42-3必做08MOSEFT交直流参数测量跨导、阈电压、击穿电压、饱和压降等偏难观察/测试42-3选做09数字MOSIC功能和动态参数测量静态、动态参数偏难测试/综合42-3必做10MOS结构高频C-V特性测量MOS、C-V特性较难综合/创新42-3选做11高频光电导衰退法硅单晶少子寿命测量半导体少子寿命、复合时间较难测试/验证42-3拟新增12扩展电阻法纵向杂质分布和结深测量纵向掺杂浓度分布、过渡区分布较难测试/验证42-3拟新增13椭偏法薄膜厚度、折射率测量SiO2等介质膜厚、折射率偏难测试/验证42-3拟新增14芯片解剖知识逻辑、工艺、版图、特点较难测试/综合162-3拟新增三、课程主要环节及时数分配见下表：一并见上表四、教学的深度与广度本实验的安排主要考虑到微电子技术中最主要的一些理论验证和制造过程中最基本的测试原理和方法，与专业课程教学紧密配合，锻炼学生实践动手、发现问题、解决问题的能力，面向本科生为主，使学生对本专业具有较为全面的了解和掌握，培养其科学实验的态度和方法论。 五、 对知识、能力结构、综合素质的要求电子学科三年级以上本（专）科学生，具备一定先修课程基础和实验操作能力，对基本的实验方法和过程有所认识和理解，能完成实验必备的一些数据归纳、处理、计算能力和文档工作。具有重视实验，尊重科学的思想意识六、与相关课程的衔接与配合 安排在专业基础和专业课讲授之中，实践环节和课程设计之前较好。这样配合专业课程教学，验证主要理论概念，教学实验相辅相成，既加深理论知识掌握和理解，又为实验开展提供理论依据，并为将开始的课程设计、科研与工程实践环节，毕业设计做好准备。七、主要教学方法 根据课程时间、学生人数及实验要求，排出实验安排一览表。学生按一览表安排预习实验指导书，上课时教师讲解实验原理、演示实验方法。学生分组实验，有问题实验老师进行指导，整个课程按每项实验滚动安排进行。学生每组2-3名，4课时完成一项实验。动手实验和记录可分工进行然后交换，强调每名学生都要动手操作，归纳分析计算实验数据，给出实验结果，并按实验报告要求和格式完成实验报告。原则上下次实验交上次实验的实验报告。必要时就实验存在问题专门讲解指导。实验倡导实事求是、突破创新的实验方法和生动有趣、胆大心细的实验氛围。八、CAI课件、多媒体等现代教育技术手段的应用。必要时课件、多媒体相关内容演示，辅助教学或提供学生课外自修。九、培养学生创新意识和能力的主要措施。 具有良好的实验平台及宽松的实验环境，加强基本理论和正确概念的理解，提倡自主设计实验方法和操作手段，鼓励学生积极讨论和质疑，对学生的创新意识和创新苗头加以肯定和扶持，培养学生具有重视科学，重视实验，勇于发现真理的良好品质和实际动手能力。十、检查教学效果和评价学生学习质量的方式与方法。 课堂检查：每位同学实验投入状况 作业检查：实验报告完成情况十一、教科书及主要教学参考书。1 九院校编写组，微电子学实验教程，东南大学出版社，19912 B. G. Streetman，Solid State Electronic Device，DriweHall， 20003 朱正涌，半导体集成电路，清华大学出版社，20014 陈国平主编，薄膜物理与技术，东南大学出版社，19935 徐国昌、凌一鸣，光电子物理基础，东南大学出版社，2000 6 李乃平，微电子器件工艺，华中理工大学出版社，19937 Richard C. Jaeger，Introduction to Microelectronic Fabrication， 20028 美Michael Quirk，半导体制造技术 (中译本)