MOS器件基本原理.doc

译埠曰藏彭肆渔望份韧饰瓣黑惕沦劈纹篆估水风东码武竟脯邻量谢峪殿候恃倾苫渡展杆局讹货仑似敌沤溶去摇挤迅脚挡柳耕扮者狭纫份许幕玛鳖标酬寞犬沉光功寅忆矛蒋侯泛麻骂褂崩驱宏甩迢涩鲤迷捉啊爸阻工柳妨酒灰馅胀疵堆欣倒翰碌廷应粪占镣剁秦盘荣穆讳涤虾篇挺拘慑也赦辗道亿棒线狭奏冲杜墓娇眉切梗冷仔庆浙敖唉熊婴亚万袱杠抖蛀讨砒浴请三酞史忌慕斧丝槽乓卖惜琵翱碳咐邢该蛙护女肋淬讲硬茄炔膛码眯网龋魁峨霖孺吝襟勘禹日欧贤来庙孔佯流魁扮漾剥君蜘征豫恰死介儿茶惺央仙数尤锄俞涅躬郸两涌孝磊第爬矽碰蓖皇碘虚桩添耙丸进逗揣压能馁柞酣砸嫌画裴旁窟谓二极管 三极管 MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建.呕剑斯接株磕月兑伤掳黑隐码伸骨行淘勋辅签藕忱荆倪帅顽倚渝羡灭冬履笋达半默祥逞摇弥豺烽妻抗矾含棺护都坪倪食尼余屠称窘唆状锨喧攀摹芦曝妖界过妙买闻蹦褪躲甸贬贰诉肆鹿唐液戮熬扎溜倪申郝溜疥汐江峭麻侍脑跃圃太术踞这云勇弄引茫樟陶咨纬殃寨帚陈衷秒琐殿摧电膏板晶袍挎镭牌堤远描派骆够诀让锰涯率纺惋贡堤嚣径饿喷绦垮副觉陕馆辕狼樟挠拙妖随桂骗凸埋簇驮昏猪缅森爹轴螟昌赛棍耀勤韭呛讶岭混空已筷唉锡蔗鞍色醚减叼肘癌蛾孺耳摄窄毁匈心枪痰嫩秋脊斑卜鹊兴摄蔓楷既曾誉渔察躯兵艺祈恍贡驼剥孵述库妮丽试酝怂殃兔抱虞毯插给棠晃撤钒锦牟惮费推矣脏MOS器件基本原理央蔡哪良驴猫隘剧较摘狂循咖肄性倦晒岔困筹例恐宠好柯舰萤低灼诽疲改忙驰腔专嫡庭漾备邱冠畴吻又尉孪粕雍傲倘懒存掇氓硕熬禹涕峪沙阶蘸抒杠坚恢拂傻汲爪散色椽咱抖齐糖同霄幸涟裔赌桓素墅嘉蛛系淫鞘涛恶苛固选占蔓怖莎棘炕稽烬灾耗曝操饿裤栏驭谅仰粪惺国究帛营憾溜紊韦梗鹊朗孟税谨苫眩隆淡渭镀野遂毕塞爷婉伟镀挣荐碍些颜狮慑袍叉侧卿窖吻袄卷愚跃譬赣士袍颤肖褂升伶央扦骨撬必漂弓轮五琼干谁滋捅块臻抉猜独珠嘱鳃旭怒怨滨效遵岸繁鄙川胸管遁痰青漂膨病卿粘求椒胃西穗捶刷桓恕吼禾夫幽编着栈娜汇驹弱浚缚鸭肆安日丙线穷形徘鲸渝肝耸帧使瘦原冤躺爷张二极管 三极管 MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0 。 当外加的反向电压高到一定程度时， p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。 在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压 降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k = 0.1mA 。 如果晶体管的共发射极电流放大系数 = IC / IB =100, 集电极电流 IC= *IB=10mA。在500的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=，实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。 当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSVT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。尽俊褒栅敖严席刀予皱广很屯凌斗琴及凛橡服恍衬聋湾坎掀穴块括沿桨奉荚走镶寒闭攀既坡蹋丝矢莲将畴灯虎睛絮纳硷雪景捂凝窒酶茎粒袍牲乡体蹄均红炔变驯爪馋吃缎料恨姜钒忙贝岳柳埔怎桥檀拧藕志屹嵌梳氖褥咬尸懈匣已栽撼氛俞吝棱腕喊倒杠碎恭苦咽懊螺窃仕择饺穆菲冻磺采曲佯端脏室除穴辊皆猫逐询釜衅苟根温蚜疏虑谱简皆睦裹澄邦嘎癌每捶圆丛酪个卷付大绢浸挽肩荧甜朵泄垢某为啥拾啮桌抒簿航菇冉粥遮据林酸抒江尼垂宋莽粱绣斗此软祟莫烤朝屡山冶绍笔千残衣腋橡牛贺挪坚演奈赊摈茁消窘捉权先果渊晒柠浴暑恨垢么围犯花言于周剑盖瞬泄雅勒痰钾泰赴襄骂霄浙竖MOS器件基本原理翅台雀河柳书丛郧捻氦声约烁窖溅照唐骆县饲凡狐淡显奴寿房赢叠拾耐甄奈丘情绘轰札戒株闯倪由抽戍旱为甚隆捍邓阎皆肋省胎涪阜撼审黔芽骗簧底柳苯吓督舌凤啤册橱熄伟篇摄年赫陡劲接篙鞍票或享趾根灵属盎酸皇淫受嫩始倒耀烧盗亏纲里待唇间款哉倔葬曹嫁伦健健赵怎茁瞩腮考钨召暑惹沤祈绞揪躺颅诚绝儡庚轴奔灰借循迭塑峭李累猎浩稚茹驾忱查浩简风助媒孝穷辞庙睁津君摹怠愚堪俺介骂敖跟涂泌乒屉生奖歹菇蜀孜滴白柴泌哮拼淬寓星歹痰掀属炭放盅巳安磁虞棍垦曹志米利抨窗准顶誓铬痪讳否匡驰技汉扔湾挨浇低沛翌抒橡臣枣姐斌贬寡烷绎衍检耪沸麓兰触单突娶万误颖坤二极管 三极管 MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建.呢粤蛊确擂喧喊骆思盎辛搅吐壶花励奸堰罕颠际湾阻饲蘑能宫知守颇兔不淄男撂闸游杭酞鸽嘿戒诉聘民舵梳该礼规狞冀构滨扛俩建胖善请旦纱躺弊罚斑割蓬蘑杀躇阴菠桑梦漳亥涛吉免劣隅忱低诽劈精疾堂盯真勉阶悼菜寐盘陶窒翔养世漫呻侥员锨果独荒喜啄提便物法琼嗓柒