光电产业技术术语大全.doc_第1页
光电产业技术术语大全.doc_第2页
光电产业技术术语大全.doc_第3页
光电产业技术术语大全.doc_第4页
光电产业技术术语大全.doc_第5页
已阅读5页,还剩30页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

A/D signal/converter数模信号/转换器模拟信号到数字信号的转换器 (ADC)。将模拟输入信号转换为数字数据或数据流,用于进一步处理或存储。ABCSABCS(锑基化合物半导体)ABCS 是一种新型化合物半导体,与基于硅、砷化镓和磷化铟的半导体相比,它具有优越的电子特性和较低的开启电压。在国防和空间应用中,ABCS 预计能在功率消耗最低的情况下产生世界上最快的电路。ABCS 技术还具有商业应用前景,在高频率无线应用、光波通信和集成光电子电路方面尤其如此。Absorption吸收铁、铜、钴、钒、和铬等杂质引起的在光纤中的损失。对光纤而言,即使是十亿分之一或十亿分之二的杂质也被认为是不可接受的。Acceptance Pattern接受图相对入射角绘制的总透射光曲线图。Acceptor Impurity受主杂质(又名 P 型杂质)不同于半导体却出现在半导体中的原子和离子,其价电子不足以完成半导体晶体结构中的正常键合排列。受主杂质接受相邻原子的电子来生成一个正电荷载流子(例如空穴)。Active Matrix Display有源矩阵显示器一种平板显示器,其屏幕刷新频率比传统无源矩阵显示器高。最常见类型的有源矩阵显示器是基于一种名为 TFT(薄膜晶体管)的技术,因此有源矩阵和 TFT 这两个术语通常可以互换使用。Active Matrix Liquid Crystal Displays (AMLCDs)有源矩阵液晶显示器 (AMLCD)有源矩阵显示器由以下材料组成:一块装有薄膜晶体管 (TFT) 的背面玻璃基板和一块带色彩过滤板的前面玻璃基板形成夹层,中间填充液晶 (LC) 材料。背面基板上的薄膜晶体管阵列连接到电子驱动器,电子驱动器则从连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。每个 TFT 均用作激活像素的通断开关,迫使液晶体扭曲以允许光通过并在显示器上形成图像。AEL (Accessible Emission Limits)AEL(可接近放射限值)各激光分类(标准 IEC-60825-1)的可接近放射限值是波长和放射持续时长的一个函数,列于特定表格中。AFS(Advanced Frontlighting System)AFS(高级前照明系统)AFS 能根据不同的行驶条件优化光束模式,调整车头灯输出。例如,根据车辆的行驶速度和方向加强驾驶员的夜视能力。AGC (Automatic Gain Control)AGC(自动增益控制)AGC 自动调整放大器的增益,以维持不同输入信号的恒定输出。如果输入信号较弱,AGC 将增强该信号;如果输入信号较强,则 AGC 将减弱该信号。AGC 有助于避免过激放大器,还可改进信噪比。AGC 通常在音频应用中用于调节音量。ALCVDALCVD原子层化学气相沉淀ALEALE原子层外延,以单个原子层为增量的晶体生长。AlGaAsAlGaAs铝镓砷AllnGaPAllnGaP铝铟镓磷AllnGaP chip (LED)AllnGaP 芯片 (LED)基于铝铟镓磷化物的芯片/LED。Alphanumeric Display字母数字显示器数字和字母的读出装置。Alternating Current (AC)交流电 (AC)定期逆转方向的电流,通常每秒逆转多次。Ammeter电流计用于测量电路某个部分的电流量的仪表。Amorphous非晶体在提纯加工前无明显原子排列的材料,如塑料和硅。Analog Display模拟显示器提供沿预定校准路径进行的连续、明亮的移动动作的读数装置,用于显示所需测量。Analog Meter模拟仪标有连续数字刻度的读数装置,指针沿刻度移动。Anode阳极电解槽的正电极,电流通过电镀槽时此处带正电的原子离开。ANPR (Automatic Number Plate Recognition)ANPR(车牌自动识别系统)ANPR 是一种用于读取汽车车牌(号码)的监控方式。其应用范围包括收费道路上的电子收费和监控交通活动。红外 LED 非常适合此应用。ARC (Anti Reflection Coating)ARC(防反射涂层)一种能减少反射的光学涂层,可用于增强 LED 和激光器的发光强度。Arsenic砷一组 V 元素,在硅中是 n 型掺杂剂。ASCII (American Standard Code for Information Interchange)ASCII(美国信息交换标准代码)基于英文字母表顺序的字符编码方案,代表电脑和其他通信设备中的文本。ASCII 定义了 128 个字符。ASIC (Application Specific Integrated Circuit)ASIC(专用集成电路)定制仅用于一个特殊用途的集成电路 (IC)。(现代 ASIC 通常基于 32 位微处理器,存储块包含 ROM、RAM、EEPROM、闪存和其它电子元件。)ASPASP平均销售价格Atomic Orbital原子轨道原子核周围的空间,在此空间中,具有给定量子数的电子最有可能被发现。AV-inputAV 输入AV(音频-视频)输入是一个可接收 DVD 播放器、电视调谐器或 VHS(录像机)等电子设备的音频和视频信号的通用接口。Back-End后端指半导体制造、生产的封装组装和测试阶段,包括烧录和环境测试功能。Backlighting背光照明用于使平板显示器在低环境光条件下更易于阅读的一项技术。最常用的背光照明类型为 LED、EL(电致发光)或 CCFL(冷阴极荧光灯)。Band频带一组轨道,分别在固体中呈游离态,能量分布如此紧密几乎是连续不断。Band gap带隙价电子带顶部与传导带底部的能量分离。Band pass filter带通滤波器带通滤波器具有特定的中心频率和传输带宽。高于或低于带通范围的频率将被阻止或明显减弱。Beam divergence (FWHM parallel to pn junction)光束发散度(与 PN 结平行的 FWHM)电磁波束的光束直径增长和与光学孔径(点源)之间距离的角测度。BEF (Brightness Enhancement Film)BEF(增亮膜)LCD 屏幕上的薄膜,通过棱柱状结构控制光的输出角度,为观众提供最大亮度。BEOL (Back End Of Line)BEOL(后端制程)将有源组件(晶体管、电阻器等)与晶圆上的布线相连的 IC(集成电路)制造工艺步骤,包括触点、绝缘材料、金属液面和芯片与封装连接的焊接点,以及将晶圆切割成单独的 IC(集成电路)芯片。Bias偏压施加于电气设备的电极上的电压,要考虑极性。Bias Control偏压控制电子器件的偏压为通常施加到实际信号上的电压或电流。通过控制装置调节电流或电压。Biasing施加偏压施加电压,通常用于改变发光二极管 (LED) 等装置的电气和光输出。Bin (binning)BIN(分选)分选就是将 LED 划分为精细分级的不同组别。根据亮度、颜色坐标或正向电压对 LED 进行分类或分级,但没有通用标准。即使是同一批次的 LED,也可以有很大差异,需要进行分类。Bipolar双极一种半导体装置,其中的空穴和电子均充当载流子。任何负载电流穿过 PN 结的装置都是双极器件。Bipolar transistor双极晶体管两个 PN 结形成的有源半导体装置,功能在于放大或切换电子电流。双极晶体管包含三个部分:发射器、基片和集电极。Bit位二进制数字(1 或 0),为电脑可识别信息的最小单位。用于表示二进制数制中的两种状态。八位等于一个字节。Black package黑色封装对于视频墙应用或可变信息标志,黑色封装的 LED 比白色封装的 LED提供的对比度更高和反射更少。BLUs (Backlight units)BLU(背光模组)LCD(液晶显示屏)背光照明的模块,采用边缘或直接/全部原理(边缘 = LED 固定在 LCD 面板侧面;直接/全部 = 完全采用 LED 背光照明的 LED 屏幕)。Bonded Wafer已键合晶圆通过将两个单独的硅基板的氧化表面溶凝(高温下)在一起形成的复合介质隔离基板。Bonding键合将电线从封装引线连接至芯片(或晶粒)焊盘的步骤,是组装过程的一部分。结合热和超声能量将小直径金线或铝线粘合到焊盘区。Breakdown voltage (VBR)击穿电压 (VBR)如果超过此电压,将导致反向电流急剧上升。Brightness亮度一种视觉特性:刺激作用的激烈程度或发射光的多少。亮度并非光度标准(如照度),不应与坎德拉每平方米等光度单位一起使用。Buck/boost regulator (converter)降压/升压调节器(转换器)输出电压比输入电压更高(升压)或更低(降压)的电源转换器。Bypass capacitor旁路电容器模拟系统中用于消除或降低电源噪音的电容器。C-mount/cs-mountC 安装/cs 安装标准化封装,配备用于安装激光器的热沉。Candela坎德拉发光强度单位。Capacitance电容电容器或其他电导体储存电荷的能力。Carrier frequency载波频率载波的频率,即调制消息内容的频率。Carrier/Charge Carrier载流子/电荷载流子移动传导电子或半导体结构中的空穴。Cathode阴极电解槽的负电极,电流通过电镀槽时带正电的原子迁移至此。Cathodoluminesence (CL)阴极发光 (CL)通过某种形式的能量激发固体所发射的光。本术语大体上包括常用类别的荧光和磷光。阴极发光最常见于电子显微镜系统中。CBECBE化学束外延CCD-sensorCCD 传感器(用于数码相机)电荷耦合器件,通常由光敏光电二极管矩阵组成。这些光电二极管所占面积越大,光敏度越高,CCD 传感器的动态范围越广。光电二极管的数量越多,CCD 的分辨率越高。CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamps)CCFL(冷阴极荧光灯)阴极元素不是独立加热的荧光灯。CCT (Correlated Color Temperature)CCT(相关色温)当黑体吸收阳光的所有光成分从而产生与实际存在的照明具有相同色彩效果的光时的温度。CCTV (Closed Circuit Television)CCTV(闭路电视)可通过使用红外 LED 实现夜视的摄像监控系统。CDM (Charged Device Model)CDM(带电器件模型)为模拟 ESD(静电放电)测试而开发出了多种模型,包括人体模型 (HBM)、机器模型 (MM) 和带电器件模型 (CDM)。CDM 是一种模拟一个或以上接地连接点上的静电元件放电的模型。使用此模型可测试电路对静电放电的敏感度。Centroid wavelength质心波长电磁(光)发射光谱的波长,其中一半能量波长较短,另一半能量波长较长。CFD (Computional Fluid Dynamics) analysisCFD(计算流体动力学)分析公认的流体动力学方法,目的在于通过数值法解决流体动力学问题。Charge Carrier电荷载流子固态装置的晶体中的电荷载体,如电子或空穴。Charge coupled devices电荷耦合器件将电荷存储在势井中并通过变换势井位置来打包传送几乎所有电荷的传送器件。Chemical Etching化学腐蚀加工通过酸浴消除表面损伤并使硅晶体片更薄。Chemical Mechanical Polishing (CMP)化学机械抛光 (CMP)结合化学去除法和机械抛光法两种方法来压平和抛光晶圆。Chemical Vapor Deposition (CVD)化学气相沉淀 (CVD)在高温下使绝缘薄膜或金属沉积到晶圆上的气态过程。Chip芯片一种半导体材料,单晶性质,可形成一个或多个有源或无源固态装置。Chip Carrier芯片载体一种超薄元件封装,通常为正方形,其有源芯片腔或安装面积占封装尺寸大部分,封装的四面都有外部连接点。Chip-On-Board (COB)板上芯片 (COB)将晶粒半导体芯片安装在 PCB 上制成电子元件的技术。Chip-on-Flex (COF)软膜覆晶接合技术 (COF)一种 IC 安装和贴合工艺,将集成电路 (IC) 驱动器(芯片)贴合到高间距柔性电路上并安装得十分贴近平板显示屏(贴合在玻璃板上的柔性电路板),以获取高屏幕刷新速度和分辨率。Chip-on-Glass (COG)晶玻接装 (COG)集成电路 (IC) 驱动器(芯片)直接贴合到玻璃板(LCD 或 OLED)上而无需使用高间距柔性电路板的 IC 安装和贴合工艺。CHMSL (Center High Mounted Stop Light/Lamp)CHMSL(中央高位刹车灯)安装在汽车中间较高位置的后刹车灯,可采用 LED 制成。Circuit电路相互连接的电气或电子元件组合,用于执行一个或多个指定功能。Cladding镀层覆盖在光纤线芯表面的薄玻璃或塑料材料,密度比线芯低。如果光以适当的角度照射两种材料之间的分界,将被反射回密度更大的线芯中。Cleanroom无尘室用于制造 IC 的密闭区域,里面的湿度、温度和颗粒物受到严格控制。无尘室的“等级”由无尘室空间内每立方英尺的最大颗粒物数量来决定。CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)CMOS(互补金属氧化物半导体)一种 MOS 技术,P 沟道和 N 沟道元件都是在相同的晶粒上制造而成,比使用其他 MOS 或双极工艺的集成电路更省电。CMP (Chemical-Mechanical Polish)(CMP) 化学机械抛光又称平面化,即改进半导体表面的过程。Coating涂层将光阻材料应用到晶圆上的工艺,一般在晶圆中间涂上少量光阻材料,然后高速旋转晶圆使光阻材料扩散和干燥(又名旋涂)。COB (Chip On Board) technologyCOB(板载芯片)技术将裸晶粒半导体芯片安装在 PCB 上制成电子元件的技术。CoD (Color-on-Demand)CoD(按需选色)使用冷光转换原理(蓝色晶粒结合磷)制造自定义 LED 颜色的欧司朗系统。使用此技术制造的 LED,能发射出超出标准 LED 技术范围的特定颜色光。CoD LED 的应用极大简化了消费电子和汽车市场中利用颜色来区分品牌。Collector current (Ic)集电极电流 (Ic)穿过双极结型晶体管的集电极的直流电,受基极发射极结电流控制。Collector emitter saturation voltage集电极发射极饱和电压双极晶体管的集电极与发射极之间的最大电压。Collector emitter voltage集电极发射极电压可通过测量双极晶体管的集电极发射极连接点的电压测得。Collector surge current集电极浪涌电流双极晶体管中的最大集电极电流 (Ic)。Color Coordinates颜色坐标国际照明委员会首批以数学方式定义的色彩空间(CIE 1931 色彩空间)之一。Color spectrum色谱(RGB 多照明色彩)RGB 色谱/光谱是电磁波谱中无需技术帮助即可为肉眼所见的部分,可通过混合 RGB LED 实现。Color Super-Twist Nematic (CSTN) Display彩色超扭曲向列 (CSTN) 型显示器基于超扭曲向列液晶的无源矩阵彩色 LCD 显示器。Comparator比较器用于比较两个或两个以上值或信号并根据其差异性产生输出的装置。Complementary互补此术语用于描述以下类型 IC:采用两个极性类型相连接的元件,对任何一个进行操作皆会被补充。互补双极电路同时采用 NPN 和 PNP 晶体管。互补 CMOS 电路 (CMOS) 同时采用 N 沟道和 P 沟道装置。Compound Semiconductor化合物半导体化合物半导体由化学元素周期表中两种或两种以上不同化学基团中的元素组成。Conduction band传导带进入此空能级的电子可受激变成导电电子。部分传导带被流动电子占领时,允许它们按特定方向移动,形成穿过固体的电流。Conductor导体具有高导电性的材料,如铜、铝或金。Connector Insertion Loss连接器插入损耗用分贝 (dB) 表示的光损失,因在光纤传输系统的两个部分之间插入配对连接器而引起。Contactless (SMT) sensors非接触式 (SMT) 传感器使用反射光而不是通过物理接触来检测附近是否存在物体的光学元件。此传感器可用做开关,或用于根据目标的接近度来改变或减弱信号电平。常见应用包括关闭显示器和键盘,以及用于手机减弱显示和降低音量级。Contrast对比度显示屏上通过控制电路中电子移动实现的照亮和非照亮区域的光输出差异。Contrast Ratio对比率指图像最亮部分与图像最暗部分的对比比例(例如:100:1)。Controller x-bit控制器 x 位使用由 “x” 位组成的数据的微控制器,其中 x 通常为 8、16、32 或 64。Conversion technology转换技术通过结合蓝色发光晶粒和合适的磷光转换器使 LED 产生白光的技术。Core线芯用于导光的光纤内部部分,由纯玻璃(硅)或塑料制成,直径通常约为 .01 .05 英寸。Coupling耦合把光输入光纤或从光纤输出。CPU (Central Processing Unit)CPU(中央处理器)电脑或电子系统的核心部分,用于处理数据和执行所有计算。今天中央处理器几乎已经成为单独的电子元件了,通常称为微处理器。CRI (Color Rendering/Reproduction Index)CRI(显色指数)测量光源表现物体、材料颜色和肤色的精确度,以及再现色泽细微变化的程度,范围介于 0% 至 100% 之间,用以将其它光源与参考光源作对比。CRT (Cathode Ray tube)CRT(阴极射线管)一种专用真空管,当电子束照射磷光表面时里面会生成图像。老式电视屏幕/显示屏、台式电脑显示器均采用 CRT。此技术正逐渐为平板显示器所取代。Crystal晶体原子、离子或分子以有序格局在三维空间内重复排列组成的固体。CTE (Coefficient of Thermal Expansion)CTE(热膨胀系数)此参数用于描述温度变化引起的物体几何尺寸(长度、面积、体积)的变化。Current电流电子流或空穴流。按单位时间内经过特定点的粒子数量进行测量(以安培为单位)。可通过在导体中应用电场或改变穿过电容器的电场来诱发电流。Current Transfer Ratio (CTR)电流传输比 (CTR)光耦合器的输出电流与输入电流之间的比例。Custom Integrated Circuit定制集成电路要求为特殊功能或应用专门设计一整套掩膜的集成电路 (IC)。定制集成电路 (IC) 通常是为特定客户专门研制的。CW (mode/pulsed)CW(模式/脉冲)激光器的输出可以是持续的恒定振幅(称为 CW 或连续波),或者可以是脉冲。脉冲工作模式下能达到更高的峰值功率。DALI (Digital Addressable Lighting Interface) standard protocolDALI(数字可寻址照明接口)标准协议对电子镇流器和建筑内调光器等照明控制装置进行数字控制的开放式标准。系统中的每一个 DALI 可寻址控制装置均有其自己的地址。Dark current暗电流光电检测器在没有光输入时的输出电流。Dark current IR暗电流 IR即使没有光子输入到装置也会流经光电二极管的一股小电流。可与非光学装置中的泄漏电流匹敌。DAW (Digital Audio Workstation)DAW(数字音频工作站)用于录音、音乐制作、混音和母带录制的计算机控制系统。DBEF (Dual Brightness Enhancement Film)-DDBEF(反射式增光偏光片)-D用于 LCD 屏幕,以加强后部偏光器中通常会失去的光。Decoder/Driver解码器/驱动器此电路可将数字信息转换为模拟电压,然后将电压放大至足以为显示器各元件提供能量的电平等级。Delocalized (electrons)离域(电子)不再绑定到特定原子核且具有高流动性的电子。Demodulator解调器使用积分器和施密特触发器译解接收的信号的数据信号。通过合理设计 IC(集成电路),将输入和输出信号之间的脉冲畸变保持在最低水平。必要更改施密特触发器的时间至少是载波频率的四个周期。Deposition蒸镀将材料沉淀到基底表面的工序。通常指用于形成 MOS 门、薄膜电阻器和 IC(集成电路)互连系统的导电薄膜或绝缘薄膜。Detection limit (D)检测限 (D)正好足够从背景噪声中分辨出信号时的水平。Dice晶粒两个或两个以上晶粒。见晶粒。Die晶粒一片已集成特定电路的正方形或长方形半导体材料。另请参见芯片。Die Area晶粒面积晶粒的长度乘以宽度。Die Attach固晶将晶粒安装到某种类型的封装元件或载体(如引线框架)上的工序。Die Bonding晶粒贴合使用导电粘合剂或金属合金(引线框架)将晶粒固定到封装上的方法。Die Cost晶粒成本通过晶圆制造和晶圆测试步骤生产出一颗好晶粒所需的成本。Die Size晶粒尺寸晶粒的大小。可用长度乘以宽度或面积表示。Die Sort晶粒分选分选出晶圆上的好晶粒和坏晶粒的工序。见晶圆测试。Die Yield晶粒成品率好晶粒数量除以被测晶粒数量。Diffuser (film)散光罩(薄膜)一种薄膜,通过分散光形成标准的朗伯发射模式来制造均匀照亮的表面。Digital Display数字显示字母数字(字母和数字)的显示,并非模拟或线性仪表显示。Digital IC output数字 IC 输出数字 PC 总线数据协议Diode二极管利用 PN 结或点接触的整流特性的双极半导体装置。Diode laser二极管激光器与 LED 技术有关的半导体元件,发射激光束。所发射波长由半导体材料决定。DIP (Dual In-line Package)DIP(双列直插式封装)最常见的 IC(集成电路)封装,可以是塑料或陶瓷材质。电路引线或引脚从矩形封装体的两侧向外和向下对称延长。DIP packageDIP 封装又称双列直插式封装,是电子元件的伸长体形状,其中两排引脚通过孔安装定位于外壳两侧。Direct Band Gap直接带隙带有直接带隙的半导体允许电子从传导带渡越到价电子带而无需改变动量直流电流(即仅按一个方向流动的电流)。Discrete Device分立器件一种包含功率晶体管和整流器的电子元件,其中每个功率晶体管和整流器都包含一个有源元件。相比之下,IC 的一个晶粒中通常包含几百、几千甚至几百万个有源元件。Display format显示格式表示显示屏的列或行中的点或像素的数量(即 640 x 480 或 96 x 64)。DMD (Digital Mirror Device)DMD(数字微镜装置)包含许多微型镜的小装置,可使用呈矩阵排列的微致动器使这些微型镜单独移动。可操纵一个强大的光源生成图像。此技术常应用于(DLP/数字光处理)视频投影机。Dominant Wavelength (dom)主波长 (dom)此波长为对人眼所感知的光的颜色进行的定量测量。Dopant掺杂剂特意添加到半导体中的杂质元素。Doping掺杂在半导体中引入外来原子,从而影响其导电性或晶体结构。Dot Matrix Display点阵显示行和列阵列中点排列的格式,各点能够单独照亮形成字母数字字符和图形。DpiDpi每英寸点数的英文缩写。若要在打印和视频制作中达到高品质分辨率,须达到最低标准 300 dpi 或以上(网络质量为 72 dpi)。DRAMDRAM即动态随机存取存储器,是一种固体存储器,里面的信息会随时间衰减,需要定期刷新。Drift velocity漂移速度在导体、半导体或电子管中,载流子在电场的影响下进行移动的平均速度。Driving circuit驱动电流通过电流或电压的方式控制其他电子装置的电路或其他电子元件,例如,通过 LED 的电流。DUT (Device Under Test)DUT(被测装置)正在测试的一个元件或整个系统。所执行测试类型取决于装置类型、测试参数和可用测试设备和测量仪器。Duty cycle占空比接通持续时长(脉冲持续时间)与方波总周期时间的比。占空比以 0 1 之间的无因次比或 0% 100% 之间的百分比表示。Dynamic Scattering LCD动态散射 LCDLCD 面板正确通电时引起环境光散射并形成显示的一项技术。Early Effect厄利效应在双极晶体管(BJT、HBT 等)中,反向偏压结耗尽区的增长趋向于降低反向电压不断增加的基底的宽度。反过来,这样会导致电流增益随电压增加而增加,即使设备处于“饱和”状态也会造成电流近乎线性增长。另请参见厄利电压。Early Voltage厄利电压即使处于饱和状态,双极器件的电流也容易发生线性增长。与该增长斜率相同的延长线在名为厄利电压的负电压处截断电压轴。EBDIC (Extended Binary Coded Decimals Interchange Code)EBDIC(扩展的二进制编码的十进制交换码)一种常用的 8 位字符代码。EBL (Electron Block Layer)EBL(电子块层)可描述为 OLED(有机发光二极管)中使用的层。其中一个问题是,有时 ITO(氧化铟锡)表面会造成短路。此外,空穴传输材料的电势通常较低。这两个缺点通常会通过特殊空穴注入材料制成的中间层注入。这样的中间层使 ITO(氧化铟锡)层更平滑并作为 电子块层交互作用。ECRMBEECRMBE电子回旋共振分子束外延。Edge-emitting Lasers边缘发射激光器相对垂直空腔表面发射激光器 (VCSEL) 而言的一种半导体装置,包含一个能从增益区域边缘发射光(或激光)的光学增益区。EEPROMEEPROM电可擦除可编程只读存储器是 EPROM 的换代产品。相比之下,CPU(中央处理器)现在则可以用作编程器。EL (Electro Luminescence)EL(电致发光)在某些材料或材料组合之间施加电场时发射光的性能。Elastic Recoil Detection Analysis弹性反冲探测分析一种离子束技术,能提供材料和薄膜的直接和定量成分深度剖面图。此技术采用重离子作为抛射粒子,对所有化学元素都很敏感,因此非常适合提取氢和氮等光元素的化学计量信息。ELDELD电致发光显示器Electric Generator发电机输入机械能并输出电 (AC/DC) 的设备。Electrical Conductivity导电性材料携带电流的能力,与电阻(单位为 ohm -1 cm -1)对等。Electrical Resistance电阻计量电流通过特定材料的困难度的值,单位为 ohm。Electricity电以从高电势区到低电势区的顺序流过导体的电流。Electroluminescent (EL) Display电致发光 (EL) 显示屏透明导电电极段或点所组成的显示屏,电极之间采用包含发光荧光粉的薄介质进行分隔。如果在相反的电极之间施加交流电压,将导致电介质发出特有的蓝绿光。Electromagnetic Radiation (waves)电磁辐射(波)真空状态下传播速度为 3 x 108 m/s 的系列能量波,包括无线电波、微波、可见光、红外线、紫外线、X 射线和伽马射线。Electron电子带负电荷的亚原子粒子,其质量为 9.1 x 10 -31 kg。Electron Energy Level电子能级涉及量子力学,表示电子能承受的能量。Electronics电子学应用物理学和与控制电路中的电子有关的工程学的一个分支。Elementary Semiconductor基本半导体由单一元素制成的半导体,虽然碳(金刚石)和锗也是基本半导体,但主要的例子为硅。此类半导体通常显示为金刚石晶体的晶格。EMI (ElectroMagnetic Interference/Influence)EMI(电磁干扰/影响)任何包含变化电流的电子装置都会发射电磁波,可能会对其它电子装置造成有害干扰。Emissive Polymer Layer发光聚合物层OLED 装置中的聚合物层,会发光。Emitter发射器形成双极晶体管的三个区中的一个。在发射极基极 PN结的正向偏压下,发射器将少数载流子(电子或空穴)注入基极区中,载流子在此重组或扩散到集电极中。EN (Europen Normalisation)-standardsEN(欧洲标准化)标准CEN(欧洲标准化委员会)维护的工艺和产品的欧洲标准。Encapsulation (epoxy/silicon)封装(环氧树脂/硅树脂)用于描述芯片封装的术语。环氧化物和硅树脂材料用于封装晶粒,以防 LED 受损且方便组装。EOS (Electrical Overstress)EOS(电过载)电过载指未观察到的超负荷和破坏或电子元件的预损坏。这可由各种错误(测量过程中出现高压短路、信号电压没有电压、电源电压的顺序错误或电压调节器布线不充分)引起。Epitaxy外延一种材料在另一种材料上的受控生长。在 IC(集成电路)制造过程中,这通常表示 N 型外延层通过沉积方式生长在P 型基底上。EPROMEPROM可擦除可编程只读存储器。电子存储芯片,可通过特殊编程器进行编程。可使用紫外光删除里面的数据,然后重新编程。ESD (ElectroStatic Discharge)ESD(静电放电)静电放电是电气绝缘材料出现火花或击穿引起的大电势差,会导致非常高的短电脉冲。ESD protection (electrostatic discharge)静电放电 (ESD) 防护ESD 损害一般来自于大功率短脉冲,脉冲宽度不到 100 ns,可能导致电子设备彻底崩溃。放电(ESD 事件)和热冲击相结合,会造成能量积存在结构内,有时可能进而导致 LED 晶粒表面上出现小裂纹。ETL (Electron Transport Layer)ETL(电子传输层)ETL(电子传输层)EXAFSEXAFS扩展 X 射线吸收精细结构Excitons激子半导体中发射光的粒子,本质上是通过库仑相互作用绑定的电子-空穴对系统。虽然激子可以穿过半导体,但一般不会受电场的影响,因为它们不携带净电荷。光致发光或电致发光是由激子辐射复合导致的,而光电流则是激子离解引起的。External beam expander外粒子束扩展器可改变激光辐射的直径,以避免不希望的光学效应。凭借光束的精细焦点,可消除衍射。Extrinsic semiconductor非本征半导体掺杂了 N 型或 P 型元素的半导体。Fab (Fabrication)制造即半导体制造,通常指在半导体晶圆上嵌入器件或集成电路等前端工序,不包括封装(后端)工序。FAC (Fast Axis Collimation)FAC(快轴准直)用于高功率二极管激光器的特殊光学透镜,它使得二极管输出的光束质量好、效率高。FC (Fiber coupled/Fiber-optic) ConnectorFC(光纤耦合/光纤)连接器标准化的光纤连接器,设计用在高振动环境中等。可用于数据通信、电信、测量设备或单模激光器。FEOL (Front End Of Line)FEOL(前端制程)IC(集成电路)制造工序的前端步骤,即把单个有源器件(晶体管、电阻器等)定型到半导体上。Ferroelectric铁电体一种热电材料,其足够强的电场可以逆转自发极化的方向。FETFET场效应晶体管为单级晶体管,其中电流载体中只有一个电荷。与双极晶体管不同,开关场效应晶体管时几乎没有损耗。Fiber Optic光纤沿光导体传输并导引光辐射(光)的技术。Fiber Optic Cable光纤缆线,光缆束在一根导缆中的光纤。除了光纤及其镀层,导缆还可包括塑料加强件,内外塑料套各一个,以保护光纤。Fiber Optic Connector光纤连接器一种快速连接/断连组件,用来将光源连接到光缆,将一条光缆连接到另一条光缆;将光缆连接到光检测器。Fiber Optic Coupler光纤耦合器一种通过混合并分离光缆中信号在双向系统中互连光缆的机械元件。Fiber Optic Splice光纤接头连接两根光缆的不可分的结。连接方式为使用环氧胶或热熔方式。FIT失效率元件失效率,指工程系统或元件失效的频率。Flat-panel display平板显示器薄而平的显示器,如LCD、EL、OLED(有机发光二极管)或等离子显示器,不同于 CRT 和投射显示器。Flex-on-Glass玻璃载柔一种直接附着在玻璃(LCD 或 OLED)上的柔性电路及贴合技术。Fluorescent converter荧光转换器用于小型荧光灯及 LED 技术中,把蓝光 LED 涂上黄色荧光粉(作为荧光转换器进行相互作用)。这样就可以将较高能量光(蓝色光和紫外线辐射)的短波长改变为长波长来发射白光。Fluorescent Display荧光显示器一种屏幕上涂有荧光粉的真空管显示器,当遭到受热灯丝释放的电子轰击时能发出特有的蓝绿光。FM (Frequency Modulation)调频(频率调制)一种调制方法,其中的载波频率被传输的信号改变。频率调制可与幅度调制相比,后者的信息信号的动态范围较高。FOLED柔性有机发光二极管通用显示器公司采用的贴在柔性基板上的有机发光二极管。Forbidden Energy Band禁止能带传导带和价电带之间的一种材料的能带,指从价电带释放电子到其传导带时所需的能量。Forward Bias正向偏压施加在传导方向 p-n 结上的偏压,多数载流子电子和空穴流向该结,导致电流流量增大。Forward current正向电流朝二极管流动的某些电流经二极管进入导通状态。Forward voltage正向电压朝二极管流动的某些电压经二极管进入导通状态。FPC Flexible Printed Circuit (flexboard)柔性印刷电路(柔板)柔板是一种柔性单/双面电路板材料,其上覆有一到多个铜层。Frame rate帧率每秒图像帧数。通常简写为 fps,即每秒帧数。Frequency doubling倍频透明光介质上的频率入射光,在该介质上光以倍频发射。Front End前端集成电路贴合到晶圆里面或上面的制造过程。FTNMR (Fourier Transform Nuclear Magnetic Resonance)FTNMR(傅里叶变换核磁共振)用来探测 MOVPE 使用的金属有机前躯体里可能含有的有机杂质和氧化杂质。Gallium Aluminum Arsenide (GaAIAs)镓铝砷 (GaAIAs)镓、铝、砷的化合物,用来生产 LED。Gallium Arsenide (GaAs)砷化镓 (GaAs)镓和砷的化合物,用来生产 LED。Gallium Arsenide Phosphide (GaAsP)镓砷磷 (GaAsP)镓、砷、磷 (P) 的化合物,用来生产 LED。Gallium Nitride (GaN)氮化镓 (GaN)镓和氮的化合物,用来生产 LED。Gallium Phosphide (GaP)磷化镓 (GaP)镓和磷 (P) 的化合物,用来生产 LED。Galvanometer电流计一种测量小电流的仪器。Gas Discharge Display气体放电显示器一种显示器,里面排列的段和点含有惰性气体,且位于玻璃显示屏表面下方。通过施加足够高的电压使气体电离并发射光到屏幕上,从而照亮显示屏。光通常呈特有的蓝绿色。也称作等离子或等离子显示器。Gate门影响与之直接相关的半导体区的控制电极或控制区,这样半导体区的导电特性便暂时得以改变,结果常出现开-关型切换动作。Gate voltage (VG)门电压(VG)常称作 MOSFET 的域电压。晶体管含有一个反型层,反型层形成于绝缘层和基板之间门电压流经的界面。Gaussian beam高斯光束光束的横向电场及强度分布可用高斯剖面来说明。Germanium锗早期用来制造晶体管和晶体二极管的半导体材料。也被加到硅晶体管中来提高性能(锗的电子迁移率比硅的高。)GPU图形处理器图形处理器被用来计算电脑和游戏机的屏幕输出。Graded Index Fiber渐变折射率光纤中心密度高,纤芯-包层界面密度低的一种密度渐变光纤。在光纤中,被反射光不是大幅扭曲传播,而是沿平滑的曲线路径进行传播,减少了畸变。Grayscale灰度指一系列深浅的灰色或亮度。灰度图像比素描(只有黑白色)的细节和深度更丰富。比如,4 位灰度对应于 24 = 16 级灰度,或 8 位灰度对应于28 = 256 级灰度。GRIN-SCHGRIN-SCH渐变折射率分离式限制异质结构Ground Loop Noise地环路噪声一种在相对低电平信号电路的共同基准上产生的不理想的电压,由磁场或由与相同电路基准(接地)连接的相对高功率的电路产生的回流或基准电流产生。这种情况具有潜在的危害,一般是由于 PCB 板上电路布局不良引起的。GSMBE (Gas Source Molecular Beam Epitaxy)GSMBE(气体源分子束外延)分子束外延 (MBE) 的一种变体,其中的一个源呈气态,如作为 GaP 中的磷 (P) 来源的 PH3。Gullwing鸥翼一种常见的引脚形式,用来将表面贴装器件连接到线路板上。封装器件位于 PCB 板的上面。参见倒立鸥翼。GUNN DiodeGUNN 二极管一种利用半导体材料的高场效应的无结器件。一旦电子速度随场效应的增加而下降,就有可能出现负阻模式的运行。HBL (Hole Blocking Layer)HBL(空穴阻挡层)OLED 器件上有机多层堆栈里的特定层。它阻挡空穴到阴极的通道,并提升效能。因此,它需要所谓的低 HOMO (最高被占分子轨道)能级。HDDHDD硬盘驱动,电脑技术中的一种磁存储介质,将二进制数据写入旋转的铁磁盘表面。信息通过读取头扫描盘表面的磁化来读取。HDTVHDTV高清电视是一种统称,包括一系列不同于传统电视的电视标准,它的分辨率更高,达 1920*1080 像素(全高清)。Heat sink散热片用来驱散器件上多余的热量,防止器件过热。LED 的性能和寿命很大程度上取决于其结的温度。因此要采用散热片来有效地冷却 LED(无源 = f.e. 散热片/有源 = 风扇和放电金属的组合)。Heat slug/spreader散热块/散热器金属板,有助于驱散处理器半导体芯(晶粒)产生的热量,保护芯体。Heat transfer foil or paste传热箔或传热膏有助于提高器件和散热片之间的热传递。Heterostructure异质结构各种材料的组合,其中一个单一器件中带一个不同的带结构,常引起材料组合的突变。HID lamps/projection systemsHID 灯/投影系统汽车前照灯使用的高强度放电灯,如氙气灯。High resolution full color高清全彩该术语用来描述大对角线 LED 视屏。极小尺

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论