标准解读
GB/T 15450-1995 是一项中华人民共和国国家标准，全称为《硅双栅场效应晶体管 空白详细规范》。该标准主要规定了硅双栅场效应晶体管（Silicon Double Gate Field Effect Transistor）的技术要求、测试方法以及质量评定规则，旨在为该类器件的设计、生产、检验及应用提供统一的标准依据。
标准内容概览
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范围：明确了本标准适用的硅双栅场效应晶体管类型，包括其基本结构、工作原理及预期使用环境。
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引用标准：列出了实施本标准时需要参考的其他相关国家标准或国际标准，确保各项技术指标和测试方法的一致性和准确性。
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术语和定义：对标准中涉及的专业术语进行了解释和定义，帮助读者准确理解标准内容。
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分类与命名：根据硅双栅场效应晶体管的不同特性（如沟道类型、极性、封装形式等）进行分类，并规定了相应的命名规则。
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技术要求：
- 电气参数：规定了诸如开启电压、漏源饱和电流、跨导、输入输出特性曲线等关键电气性能指标及其允许的偏差范围。
- 机械与物理特性：包括封装尺寸、引脚排列、耐压强度、温度特性等要求。
- 可靠性要求：设定了器件在特定条件下的寿命、稳定性及抗干扰能力等标准。
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试验方法：详细描述了如何进行各项性能测试，确保测试结果的可重复性和准确性。包括测试环境、测试仪器、测试步骤等。
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检验规则：规定了产品检验的程序、抽样方案、合格判定准则等，确保出厂产品的质量符合标准要求。
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标志、包装、运输和贮存：对产品的标识信息、包装要求、在运输和贮存过程中的保护措施进行了规定，以防止损坏并便于追溯。
实施意义
该标准的制定和实施有助于提升硅双栅场效应晶体管的产品质量，促进产业标准化进程，方便国内外贸易交流，同时为用户提供可靠的质量评估依据，保障电子设备的稳定运行和长期可靠性。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 废止
- 已被废除、停止使用，并不再更新
- 1995-01-05 颁布
- 1995-08-01 实施
©正版授权
文档简介
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