单相桥式整流电路__课程设计.doc

临沂大学 课课 题题: 单相桥式整流电路的设计单相桥式整流电路的设计 专专 业业: 电气自动化电气自动化 班班 级级: 电气电气 0601 班班 姓姓 名名: 陈陈 澍澍 学学 号：号： 401060704 指导老师：指导老师： 肖肖 文文 英英 前前 言言 随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际 中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利 用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要 方法,得到了广泛应用。但是晶杂管相控整流电路中随着触发角 的增大，电 流中谐波分量相应增大，因此功率因素很低。把逆变电路中的 SPWM 控制技术 用于整流电路，就构成了 PWM 整流电路。通过对 PWM 整流电路的适当控制， 可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因素近似为 1。这种整流电路称为高功率因素整流器，它具有广泛的应用前景 由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利 用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成 的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因 此要学好这门课就必须做好实验和课程设计，因而我们进行了此次课程设计。 又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又 有利于夯实基础，故我们单结晶体管触发的单相晶闸管全控整流电路这一课题 作为这一课程的课程设计的课题。 目目 录录 1. 设计任务说明1. 2. 方案选择2 2.1 器件的介绍2 2.2 整流电路的比较5 3. 辅助电路的设计7 3.1 驱动电路的设计7 3.2 保护电路的设计11 3.3 过压保护12 3.4 电流上升率、电压上升率的抑制保护13 4. 主体电路的设计14 4.1 主要电路原理及说明14 4.2 感性负载可控整流电路15 4.3 主电路的设计17 4.5 主要元器件的说明18 4.5 性能指标分析20 4.6 元器件清单20 5. 设计总结22 6. 参考文献23 7. 鸣谢24 1.单相桥式整流电路设计任务书 1.设计任务和要求： （1）设计任务： 1、进行设计方案的比较，并选定设计方案； 2、完成单元电路的设计和主要元器件说明； 3、完成主电路的原理分析,各主要元器件的选择； 4、驱动电路的设计,保护电路的设计； （2）设计要求： 1、单相桥式相控整流的设计要求为： 1).负载为感性负载,L=700mH,R=500 欧姆. 2、技术要求: (1). 电网供电电压为单相 220V； (2). 电网电压波动为+5%-10%； (3). 输出电压为 0100V. 2.2. 方案的选择方案的选择 单相桥式整流电路可分为单相桥式相控整流电路和单相桥式半控整流电路， 它们所连接的负载性质不同就会有不同的特点。下面分析两种单相桥式整流电 路在带电感性负载的工作情况。 单相半控整流电路的优点是：线路简单、调整方便。弱点是：输出电压脉动冲 大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分 量,使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相全控式整流电路具有输出电流脉 动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问 题，变压器利用率高的优点。 单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路 2 倍，在相同的负载下 流过晶闸管的平均电流减小一半；且功率因数提高了一半。 单相半波相控整流电路因其性能较差，实际中很少采用，在中小功率场合采 用更多的是单相全控桥式整流电路。 根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电路（负载为阻感 性负载） 。 2.1.元器件的选择元器件的选择 2.1.1 晶闸管的介绍 晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流（Silicon Controlled Rectifier-SCR） ， 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; 20 世纪 80 年代以来，开 始被性能更好的全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠， 以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频 （200Hz 以下）装置中的主要器件。晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型-普 通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件 2.1.1.1 晶闸管的结构 晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。 外行:螺栓型和平板型两种封装 引出阳极 A、阴极 K 和门极（或称栅极）G 三个联接端。 对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便 平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间 内部结构:四层三个结如图 2.1.1.1 图2.1.1.1 晶闸管的外形、内部结构、电气图形符号和模块外形 a)晶闸管外形 b)内部结构 c)电气图形符号 d)模块外形 2.1.1.2 晶闸管的工作原理图 晶闸管由四层半导体（P1、N1、P2、N2）组成，形成三个结 J1（P1N1） 、 J2（N1P2） 、J3（P2N2） ，并分别从 P1、P2、N2引入 A、G、K 三个电极，如图 1.2(左)所示。由于具有扩散工艺，具有三结四层结构的普通晶闸管可以等效成 如图 2.1.1.2（右）所示的两个晶闸管 T1（P1-N1-P2）和（N1-P2-N2）组成的等效 电路。 图 2.1.1.2 晶闸管的内部结构和等效电路 晶闸管的驱动过程更多的是称为触发，产生注入门极的触发电流的电 路称为门极触发电路。也正是由于能过门极只能控制其开通，不能控制其关断， 晶闸管才被称为半控型器件。 其他几种可能导通的情况： 1）阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 2）阳极电压上升率 du/dt 过高 3）结温较高 4）光直接照射硅片，即光触发：光控晶闸管 只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。 2.1.2 可关断晶闸管 可关断晶闸管简称 GTO。它具有普通晶闸管的全部优点，如耐压高，电流 大等。同时它又是全控型器件，即在门极正脉冲电流触发下导通，在负脉冲电 流触发下关断。 2.1.2.1 可关断晶闸管的结构 GTO 的内部结构与普通晶闸管相同，都是 PNPN 四层结构，外部引出阳 极、阴极和门极如图 1.3。和普通晶闸管不同， GTO 是一种多元胞的功 率集成器件，内部包含十个甚至数百个共阳极的小 GTO 元胞，这些 GTO 元胞 的阴极和门极在器件内部并联在一起，使器件的功率可以到达相当大的数值。 2.1.2.1 GTO 的结构、等效电路和图形符号 2.1.2.2 可关断晶闸管的工作原理 GTO 的导通机理与 SCR 是完全一样的。 GTO 一旦导通之后，门极信号是 可以撤除的，在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不像普 通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态 使其关断。 GTO 在关断机理上与 SCR 是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出 电流（即抽出饱和导通时储存的大量载流子） ，强烈正反馈使器件退出饱和而关 断。 2.1.3 晶闸管的派生器件 在晶闸管的家族中，除了最常用的普通型晶闸管之外，根据不同的的实际 需要，珩生出了一系列的派生器件，主要有快速晶闸管（FST） 、双向晶闸管 （TRIAL） 、可关断晶闸管（GTO） 、逆导晶闸管、 （RCT）和光控晶闸管。 2.2 整流电路 我们知道，单相整流器的电路形式是各种各样的，整流的结构也是比较多 的。因此在做设计之前我们主要考虑了以下几种方案： 方案一方案一：单相桥式半控整流电路 电路简图如下： 图 2.2.1 对每个导电回路进行控制，相对于全控桥而言少了一个控制器件，用二极管代 替，有利于降低损耗！如果不加续流二极管，当 突然增大至 180或出发脉 冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放，只是消耗在负载电阻上， 会发生一个晶闸管导通而两个二极管轮流导通的情况，这使 ud 成为正弦半波， 即半周期 ud 为正弦，另外半周期为 ud 为零，其平均值保持稳定，相当于单相 半波不可控整流电路时的波形，即为失控。所以必须加续流二极管，以免发生 失控现象。 方案二方案二：单相桥式全控整流电路 电路简图如下： 图 2.2.2 此电路对每个导电回路进行控制，无须用续流二极管，也不会失控现象， 负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负 两个半周电流方向相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变 压器直流磁化问题，变压器的利用率也高。 方案三方案三：单相半波可控整流电路： 电路简图如下： 图 2.2.3 此电路只需要一个可控器件，电路比较简单，VT 的 a 移相范围为 180 。 但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。 为使变压器铁心不饱和，需增大铁心截面积，增大了设备的容量。实际上很 少应用此种电路。 方案四方案四：单相全波可控整流电路： 电路简图如下： 图 2.2.4 此电路变压器是带中心抽头的，结构比较复杂，只要用 2 个可控器件，单 相全波只用 2 个晶闸管，比单相全控桥少 2 个，因此少了一个管压降，相应地， 门极驱动电路也少 2 个，但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的 2 倍。不 存在直流磁化的问题，适用于输出低压的场合作电流脉冲大（电阻性负载时）， ，且整流变压器二次绕组中存在直流分量,使铁心磁化，变压器不能充分利用。 而单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为 两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。相同的负 载下流过晶闸管的平单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路 2 倍， 在均电流减小一半；且功率因数提高了一半。 根据以上的比较分析因此选择的方案为单相全控桥式整流电路（负载为阻感性 负载）。 综上所述，针对他们的优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路。 3 3 驱动电路的设计驱动电路的设计 3.13.1 驱动电路的设计驱动电路的设计 3.1.1 触发电路的论证与选择触发电路的论证与选择 3.1.1.1 单结晶体管的工作原理 单结晶体管原理单结晶体管（简称 UJT）又称基极二极管，它是一种只有 PN 结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻 N 型硅片， 两端分别用欧姆接触引出两个基极 b1和 b2。在硅片中间略偏 b2一侧用合金法制 作一个 P 区作为发射极 e。其结构，符号和等效电如图 3.1.1.1 所示。 图 3.1.1.1 3.1.1.2 单结晶体管的特性 从图一可以看出，两基极 b1和 b2之间的电阻称为基极电阻。 Rbb=rb1+rb2 式中：Rb1第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流 ie而变化， rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与 ie无关；发射结是 PN 结，与二 极管等效。 若在两面三刀基极 b2，b1间加上正电压 Vbb，则 A 点电压为： VA=rb1/（rb1+rb2）vbb=（rb1/rbb）vbb=Vbb 式中：称为分压比，其值一般在 0.30.85 之间，如果发射极电压 VE由零 逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图二： 图 3.1.1.2 单结晶体管的伏安特性 （1）当 VeVbb时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的 漏电流 Iceo。 （2）当 VeVbb+VD VD 为二极管正向压降（约为 0.7V） ，PN 结正向导通， Ie显著增加，rb1阻值迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的 特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界 P 称为峰点，与其对应 的发射极电压和电流，分别称为峰点电压 Ip和峰点电流 Ip。Ip是正向漏电流， 它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然 Vp=Vbb。 （3）随着发射极电流 Ie的不断上升，Ve不断下降，降到 V 点后，Ve不再下降 了，这点 V 称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压 Vv和谷 点电流 Iv。 （4）过了 V 后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所 以 uc继续增加时，ie便缓慢的上升，显然 Vv是维持单结晶体管导通的最小发射 极电压，如果 VeVv，管子重新截止。 单结晶体管的主要参数 （1）基极间电阻 Rbb发射极开路时，基极 b1，b2之间的电阻，一般为 2-10 千 欧，其数值随温度的上升而增大。 （2）分压比 由管子内部结构决定的参数，一般为 0.3-0.85。 （3）eb1间反向电压 Vcb1 b2开路，在额定反向电压 Vcb2 下，基极 b1 与发射 极 e 之间的反向耐压。 （4）反向电流 Ieo b1开路，在额定反向电压 Vcb2下，eb2间的反向电流。 （5）发射极饱和压降 Veo在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。 （6）峰点电流 Ip单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极 电流。 3.1.2 触发电路 晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。触发电路对 其产生的触发脉冲要求： 1）触发信号可为直流、交流或脉冲电压。 2）触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流） 。 3）触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后， 阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。 4）触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。 3.1.2.1 单结晶体管触发电路 由单结晶体管构成的触发电路具有简单、可靠、抗干扰能力强、温度补偿 性能好，脉冲前沿徒等优点，在容量小的晶闸管装置中得到了广泛应用。他由 自激震荡、同步电源、移相、脉冲形成等部分组成，电路图如 3.1.2.2（a）所示。 3.1.2.2 单结晶体管自激震荡电路 利用单结晶体管的负阻特性与 RC 电路的充放电可组成自激振荡电路，产 生频率可变的脉冲。 从图 3.1.2.2（a）可知，经 D1-D2整流后的直流电源 UZ 一路径 R2、R1加 在单结晶体管两个基极 b1、b2之间，另一路通过 Re 对电容 C 充电，发射极电 压 ue=uc按指数规律上升。Uc刚冲点到大于峰点转折电压 Up的瞬间，管子 e-b1 间的电阻突然变小，开始导通。电容 C 开始通过管子 e-b1迅速向 R1放电，由 于放电回路电阻很小，故放电时间很短。随着电容 C 放电，电压 Ue小于一定值， 管子 BT 又由导通转入截止，然后电源又重新对电容 C 充电，上述过程不断重 复。在电容上形成锯齿波震荡电压，在 R1上得到一系列前沿很陡的触发尖脉冲 us， 如图 3.1.2.2（b）所示，其震荡频率为 f=1/T=1/ReCLn(1/1-) 式中 =0.30.9 是单结晶体管的分压比。即调节 Re，可调节振荡频率 图 3.1.2.2 单结晶体管触发电路及波形 3.1.3 同步电源 步电压又变压器 TB 获得，而同步变压器与主电路接至同一电源，故同步 电压于主电压同相位、同频率。同步电压经桥式整流、稳压管 DZ削波为梯形波 uDZ,而削波后的最大值 UZ既是同步信号,又是触发电路电源.当 UDZ过零时,电容 C 经 e-b1、R1迅速放电到零电压.这就是说,每半周开始,电容 C 都从零开始充电, 进而保证每周期触发电路送出第一个脉冲距离过零的时刻(即控制角 )一致,实 现同步. ) 1 1 ln( 11 CR T f e ) 1 1 ln( 11 CR T f e 3.1.4 移相控制 当 Re增大时，单结晶体管发射极充电到峰点电压 Up的时间增大，第一个 脉冲出现的时刻推迟，即控制角 增大，实现了移相。 3.1.5 脉冲输出 触发脉冲 ug由1直接取出，这种方法简单、经济，但触发电路与主电路 有直接的电联系，不安全。对于晶闸管串联接法的全控桥电路无法工作。所以 一般采用脉冲变压器输出。 3.23.2 保护电路的设计保护电路的设计 3.2.1 保护电路的论证与选择 电力电子系统在发生故障时可能会发生过流、过压，造成开关器件的永久 性损坏。过流、过压保护包括器件保护和系统保护两个方面。检测开关器件的 电流、电压，保护主电路中的开关器件，防止过流、过压损坏开关器件。检测 系统电源输入、输出及负载的电流、电压，实时保护系统，防止系统崩溃而造 成事故。例如，R-C 阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆 等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出 电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于 有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。 3.2.2 过电流保护 当电力电子变流装置内部某些器件被击穿或短路；驱动、触发电路或控制 电路发生故障；外部出现负载过载；直流侧短路；可逆传动系统产生逆变失败； 以及交流电源电压过高或过低；均能引起装置或其他元件的电流超过正常工作 电流，即出现过电流。因此，必须对电力电子装置进行适当的过电流保护。 采用快速熔断器作过电流保护，其接线图（见图 32.2） 。熔断器是最简单的过 电流保护元件，但最普通的熔断器由于熔断特性不合适，很可能在晶闸管烧坏 后熔断器还没有熔断，快速熔断器有较好的快速熔断特性，一旦发生过电流可 及时熔断起到保护作用。最好的办法是晶闸管元件上直接串快熔，因流过快熔 电流和晶闸管的电流相同，所以对元件的保护作用最好，这里就应用这一方法 快熔抑制过电流电路图如下图所示： 图 3.2.2 快速熔短器的接入方法 A 型熔断器 特点：是熔断器与每一个元件串连，能可靠的保护每一个元件。 B 型熔断器 特点：能在交流、直流和元件短路时起保护作用，其可靠性稍有降低 C 型熔断器 特点：直流负载侧有故障时动作，元件内部短路时不能起保护作用 对于第二类过流，即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，则应当采用 电子电路进行保护。常见的电子保护原理图如 6.2.3 所示 图 3.2.3 过流保护原理图 3.3 过压保护 设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电 压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。 过电压保护的第一种方法是并接 R-C 阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒 堆等非线性元件加以抑制。见图 3.3.1 和图 3.3.2 图 3.3.1 阻容三角抑制过电压 图 3.3.2 压敏电阻过压 过电压保护的第二种方法是采用电子电路进行保护。常见的电子保护原理图 如图 3.3.3 所示： 图 3.3.3 过电压保护电路 3.4 电流上升率、电压上升率的抑制保护 1）电流上升率 di/dt 的抑制 晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密 度很大，然后以 0.1mm/s 的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通 时电流上升率 di/dt 过大，会导致 PN 结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使 其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图 3.4 所示: 图 3.4 串联电感抑制回路 2）电压上升率 dv/dt 的抑制 加在晶闸管上的正向电压上升率 dv/dt 也应有所限制,如果 dv/dt 过大，由于 晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流 的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为抑制 dv/dt 的作用，可以在晶闸管两端并联 R-C 阻容吸收回路。如图 6.5 所示： 图 6.5 并联 R-C 阻容吸收回 4 主体电路的设计主体电路的设计 4.1 主要电路原理及说明主要电路原理及说明 当负载由电阻和电感组成时称为阻感性负载。例如各种电机的励磁绕组,整 流输出端接有平波电抗器的负载等等。单相桥式整流电路带阻感性负载的电路 如图 5.1 所示。由于电感储能,而且储能不能突变因此电感中的电流不能突变,即 电感具有阻碍电流变化的作用。当流过电感中的电流变化时,在电感两端将产生 感应电动势,引起电压降 UL 负载中电感量的大小不同，整流电路的工作情况及输出 Ud、id 的波形具有不同 的特点。当负载电感量 L 较小（即负载阻抗角 ） ，控制角 时，负载上 的电流不连续；当电感 L 增大时，负载上的电流不连续的可能性就会减小；当 电感 L 很大，且 LdRd示时，这种负载称为大电感负载。此时大电感阻止负 载中电流的变化，负载电流连续，可看作一条水平直线。各电量的波形图如图 51 所示。 在电源电压 u2 正半周期间， 晶闸管 T1 、T2 承受正向电压，若在 t= 时 触发，T1 、T2 导通，电流经 T1 、负载、T2 和 Tr二次形成回路，但由于大电 感的存在，u2 过零变负时，电感上的感应电动势使 T1 、T2 继续导通，直到 T3、T4 被触发时，T1 、T2 承受反向电压而截止。输出电压的波形出现了负 值部分。 在电源电压 u2 负半周期间，晶闸管 T3、T4 承受正向电压，在 t=+ 时触 发，T3、T4 导通，T1 、T2 反向则制，负载电流从 T1 、T2 中换流至 T3、T4中。在 t=2 时，电压 u2过零，T3、T4因电感中的感应电动势一直导 通，直到下个周期 T1 、T2 导通时，T3、T4因加反向电压才截止。 值得注意的是，只有当 =/2 时，负载电流才连续，当 /2 时，负 载电流不连续，而且输出电压的平均值均接近于零，因此这种电路控制角的移 相范围是 0/2。 4.24.2 电感负载可控整流电路电感负载可控整流电路 4.2.1 单相全控桥式整流电路单相全控桥式整流电路 在生产实践中，除了电阻性负载外， 最常见的负载还有电感性负载， 如 电动机的励磁绕组，整流电路中串入的滤波电抗器等。 为了便于分析和计算， 在电路图中将电阻和电感分开表示。 当整流电路带电感性负载时，整流工作的物理过程和电压、 电流波形都与 带电阻性负载时不同。因为电感对电流的变化有阻碍作用，即电感元件中的电 流 图 4.2.1 单相全控桥式整流电路电感性负载及其波形 (a)电路； (b) 电源电压； (c) 触发脉冲； (d) 输出电压； (e) 输出电流； (f) 晶闸管 V -1 , V -4 上的电流； (g) 晶闸管 V -2 , V -3 上的电流； (h) 变压器副边电流； (i) 晶闸管 V -1 , V -4 上的电压 不能突变，当电流变化时电感要产生感应电动势而阻碍其变化，所以，电 路电流的变化总是滞后于电压的变化。 负载电流连续时，整流电压平均值可按下式计算： T - u2 - u1 i2 V2V1 V4V3 ud id R (a) (b) (c) (d) (e) (f) L (g) (h) (i) u2 0 t ug 0t1t2t ud 0t 0 id t iV1,4 0 iV2,3 0 t t i2 0 uV1,4 0 t t cos9 . 0cos 22 )(sin2 1 222 UUttdUUd 输出电流波形因电感很大，平波效果很好而呈一条水平线。两组晶闸管轮 流导电，一个周期中各导电 180， 且与无关， 变压器二次绕组中电流i2 的波形是对称的正、负方波。负载电流的平均值Id和有效值I相等，其波形系 数为 1。在这种情况下： 当=0时，Ud=0.9U2； 当 =90时，Ud=0，其移相范围为 90。 晶闸管承受的最大正、反向电压都是。 流过每个晶闸管的电流平均值和有效值分别为 4.3 主电路的设计主电路的设计 4.3.1 主电路原理图主电路原理图 ddd V V ddd V dV IIII IIII 2 2 22 2 1 22 4.3.2 原理图分析 该电路主要由四部分构成，分别为电源，过电保护电路，整流电路和触发 电路构成。输入的信号经变压器变压后通过过电保护电路，保证电路出现过载 或短路故障时，不至于伤害到晶闸管和负载。在电路中还加了防雷击的保护电 路。然后将经变压和保护后的信号输入整流电路中。整流电路中的晶闸管在触 发信号的作用下动作，以发挥整流电路的整流作用。 在电路中,过电保护部分我们分别选择的快速熔断器做过流保护,而过压保护 则采用 RC 电路。这部分的选择主要考虑到电路的简单性，所以才这样的保护 电路部分。整流部分电路则是根据题目的要求，选择的我们学过的单相桥式整 流电路。该电路的结构和工作原理是利用晶闸管的开关特性实现将交流变为直 流的功能。触发电路是由设计题目而定的，题目要求了用单结晶体管直接触发 电路。单结晶体管直接触发电路的移相范围变化较大，而且由于是直接触发电 路它的结构比较简单。一方面是方便我们对设计电路中变压器型号的选择。 4.44.4 主要元器件的说明主要元器件的说明 由于单相桥式全控整流带电感性负载主电路主要元件是晶闸管，所以选取 元件时主要考虑晶闸管的参数及其选取原则。 4.4.1 晶闸管的主要参数如下： 额定电压UTn 通常取UDRM和URRM中较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额 定电压。在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的23 倍，以保证 电路的工作安全。 晶闸管的额定电压 RRMDRMTn UUU,min UTn （23）UTM （4.4.1） UTM ：工作电路中加在管子上的最大瞬时电压 额定电流IT(AV) IT(AV) 又称为额定通态平均电流。其定义是在室温40和规定的冷却条件 下，元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170的电路中，结温不 超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流值。将此电流按晶闸管标准电流 取相近的电流等级即为晶闸管的额定电流。 要注意的是若晶闸管的导通时间远小于正弦波的半个周期，即使正向电流 值没超过额定值，但峰值电流将非常大，可能会超过管子所能提供的极限，使 管子由于过热而损坏。 在实际使用时不论流过管子的电流波形如何、导通角多大，只要其最大电 流有效值ITM ITn ,散热冷却符合规定，则晶闸管的发热、温升就能限制在 允许的范围。 ITn ：额定电流有效值，根据管子的IT(AV) 换算出， IT(AV) 、ITM ITn 三者之间的关系： （4.4.2）Im5 . 02Im/)()sin(Im2/1 0 2 tdtITn （4.4.3）Im318 . 0 Im/)(sinIm2/1 0 )( ttdI AVT 波形系数：有直流分量的电流波形，其有效值 与平均值之比称为该波形I d I 的波形系数，用Kf表示。 （4.4.2） d f I I K 额定状态下， 晶闸管的电流波形系数 （4.4.6）57 . 1 2 )( AVT Tn f I I K 晶闸管承受最大电压为考虑到 2 倍裕量，VVUUTM15711122 2 取 400V. 晶闸管的选择原则： 、所选晶闸管电流有效值ITn 大于元件 在电路中可能流过的最大电流 有效值。 、 选择时考虑（1.52）倍的安全余量。即ITn 1.57 IT(AV) （1.52）ITM （4.4.7） 57 . 1 )25 . 1 ( )( TM AVT I I 因为,则晶闸管的额定电流为=10A(输出电流的有效值为最小 2 I IT AVT I 值，所以该额定电流也为最小值)考虑到 2 倍裕量,取 20A.即晶闸管的额定 电流至少应大于 20A. 在本次设计中我选用 4 个 KP20-4 的晶闸管. 、 若散热条件不符合规定要求时，则元件的额定电流应降低使用。 通态平均管压降 UT(AV) 。指在规定的工作温度条件下，使晶闸管导通的正 弦波半个周期内阳极与阴极电压的平均值，一般在0.41.2V。 维持电流IH 。指在常温门极开路时，晶闸管从较大的通态电流降到刚好 能保持通态所需要的最小通态电流。一般IH值从几十到几百毫安，由晶闸 管电流容量大小而定。 门极触发电流Ig 。在常温下，阳