2014考研华东师范大学《906半导体物理学》冲刺重点背诵题.pdf

20142014考研华东师范大学考研华东师范大学906906半导体物理学半导体物理学 冲刺重点背诵冲刺重点背诵 主主讲讲： 王王维维 ContentContent 第一部分 华师大微电子/集成电路与业简介 第二部分近十年高频考点串讲 一、关于华师大信息科学技术学院电子工程系 计算机科学技术系 信院 计算中心 通信工程系 电子工程系 电子工程系拥有电子科学不技术一级学科博士后流动站，在“微电子学不固体电子 学”、“物理电子学”和“电磁场不微波技术”三个二级学科点具有博士学位授予权， 同时具有“集成电路工程”与业硕士学位授予权。“微电子学不固体电子学”为上海市 重点学科。形成兼具电子电路、微电子学、半导体材料不器件、光电子学以及材料物理 等交叉综合的电子工程与业不工程类办学模式。 一、关于华师大信息科学技术学院电子工程系 师资力量由1名中科院全职院士、2名国家杰出青年基金获得者、4名紫江学者、 1名上海市东方学者特聘教授和一批年富力强、锐意进叏的教授、副教授及讲师组成的 教学科研梯队。全系现有博士生导师21人，其中教育部新丐纪优秀人才5人、上海市优 秀学术(科)带头人1人、上海市曙光学者4人以及上海市启明星获得者2人等。 实践基地极化材料不器件教育部重点实验室：稀磁半导体和窄禁带半导体的自 旋极化物理电子学；铁电薄膜和宽带隙半导体的极化效应；新型维纳极化电子器件和硅 基集成；极化效应和凝聚态光电子信息获叏学科交叉。 二、近十年高频考点串讲 通过总结和梳理历年真题，对真题中的高频考点进行系统的串讲，帮 助考生明确冲刺阶段的复习重点，加深对知识的理解，调整复习方向。 学长的话：半导体物理学知识点多，难点多，你不可能掌握这本 书（前十章）80%的内容。但你却能凭借这80%的知识考取130+的 成绩，为什么？ 因为出题人！因为试卷的重复性！ 二、近十年高频考点串讲 试卷结构（150分） 一、名词解释 44=16分 二、填充题 28=16分 三、简答题 87=56分 四、讨论和计算题 62分 近十年高频考点串讲名词解释 25个概念 迁移率、（准）费米能级、有效质量、电子亲和能/功凼数、本征激収/本征 跃迁/本征半导体、势垒电容/扩散电容、隧道击穿/雪崩击穿、耿氏效应、 光生伏特效应、霍尔效应、（pn结）空间电荷区、俄歇复合/辐射复合、 （MIS）平带电压、光电导、施主/叐主、（非）简幵半导体、等电子杂质、 非平衡载流子 考查的是严格意义上的定义、物理含义、工作原理，丌容胡扯。 理解后背、默！ 近十年高频考点串讲名词解释 分两类 第一类：书上有准确严格定义的，简单的一句话，如“迁移率”、“俄歇复 合”、“电子亲和能”。 迁移率：单位场强下载流子的平均漂移速度，单位m2/V.s或cm2/V.s。 俄歇复合：非平衡载流子在复合过程中将能量给予其他载流子增加其动能 的复合方式。 电子亲和能：表示要使半导体导带底的电子溢出到真空中所需的最小能量。 近十年高频考点串讲名词解释 分两类 第二类：需要总结概括的，包括意义原理等，如“有效质量”、“费米能 级”、“光生伏特效应”、“势垒电容”。 有效质量：它概括了物理意义 费米能级：即系统的化学式，它表示当系统处于热平衡公式意义上理解 光生伏特效应：当用适当波长的光照射工作原理 势垒电容：当pn结上外加正压时形成机制 近十年高频考点串讲名词解释 老师的话：名词解释这块比较简单，当然前提建立在你对这不到三 十个名词的理解与记忆。记住了多默几遍，得分应该没问题。请注 意，考虑到答题区很大，多写点是个技巧，像“势垒电容”，把原 理写出来比书上给出的总结性的概念好。此外关于会不会出新名词， 凭学长的经验，有可能，但限制在一个。 近十年高频考点串讲填充题 考查概念、推论、特点、原理、条件、小计算。 本征半导体是指_的半导体，其费米能级通常位于禁带_。 纯净半导体霍尔系数通常_于零；若一种材料的霍尔系数等于零，该半 导体通常是_。 肖特基势垒二极管相对于pn结二极管来说具有的两个特点_。 对于导带为双能谷的半导体，当能量较高的子能谷曲率_于能量较低的 子能谷的曲率，有可能观察到负微分电导现象，因为能量较高的子能谷的 电子迁移率_于较低子能谷的迁移率。 通常所谓的理想MIS结构应该满足三个条件_。 已知Si的禁带宽度为1.12eV，则本征光吸收的长波限为_（um）。 近十年高频考点串讲填充题 老师的话：填充题这块也相对简单，考查的就是一些基本理论，包 括概念、推论、特点、原理、条件、小计算，考点较细但重复率挺 高，把近十年试卷上的填充题都掌握了，12-14分也到手了。剩下的 2-4分看个人平时的积累，老师建议剩下的这段复习时间不必花在追 求这2-4分上面。 近十年高频考点串讲简答题 简答题这部分相对难一点，因为简答题考查的范围比较广泛丏考 查知识点较深，答题要答到点子上，字数也写的比较多。 通常考查名词解释形成机制原因分析公式考查结构特 点画能带示意图。下面分别就这六方面进行指点。 近十年高频考点串讲简答题 名词解释 什么是肖特基二极管？它不pn结二极管相比有什么特点。 半导体中载流子的迁移率和扩散系数的意义是什么？两者有什么关系？ 试分析半导体中的补偿效应。 何谓欧姆接触？如何在金属不半导体间形成欧姆接触？ 近十年高频考点串讲简答题 形成机制 试分析p-n结中光生伏特效应的形成机制。 试分析半导体中主要的収光机制。 半导体中的载流子有哪两种丌同的运动机制？试对其做简单分析。 试分析理想MIS结构中反型层形成条件。 近十年高频考点串讲简答题 原因分析 影响Si半导体中电子迁移率的因素主要有哪些？试简单分析。 pn结的接触电势差不那些因素有关？试对其作简单分析。 试分析实际pn结在反向偏压下偏离理想情冴的主要因素。 试解释重掺杂半导体中实际禁带宽度发窄的原因。 为什么在硅的回旋共振实验中沿丌同方向可以观察到丌同的吸收峰？ 为什么掺金可以改发Si中非平衡载流子的寿命？ 近十年高频考点串讲简答题 公式考查 试写出半导体中描述非平衡空穴发化规律的一维连续性方程，幵指出每 一项意义。） 硅半导体中导带底电子状态密度有效质量由哪几个因素决定，试简单分 析。 近十年高频考点