标准解读
《yb 1603-1983 硅单晶切割片和研磨片》这一标准详细规定了硅单晶材料在制备成切割片及研磨片过程中需要遵循的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的要求。该标准适用于电子工业中作为半导体器件基底或进一步加工前使用的硅单晶制品。
根据标准内容,硅单晶切割片与研磨片按照其直径大小分为多个规格等级,并且对每种规格的产品都设定了明确的尺寸公差范围。此外,还定义了几何形状上的具体要求,比如平面度、厚度均匀性等指标,确保产品能够满足后续工艺流程的需求。
对于物理性能方面,《yb 1603-1983》规定了包括电阻率、少数载流子寿命在内的关键参数值域限制,这些参数直接关系到最终制成的半导体器件性能表现。同时,标准也涵盖了外观质量检查项目,如表面缺陷(划痕、裂纹)、边缘状况等,以保证产品的视觉一致性和机械强度。
在检测方法上,本标准提供了多种测试手段来验证上述各项技术指标是否达标,例如使用四探针法测定电阻率、通过光谱分析仪测量杂质含量等。另外,还制定了抽样计划与合格判定准则,指导生产单位如何有效地进行质量控制。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1983-08-18 颁布
- 1984-10-01 实施
©正版授权


文档简介
中华人民共和国冶金工业部部标准Y B 1 6 0 3 - 8 3硅单晶切割片和研磨片1 9 8 3 - 0 8 - 1 8 发布1 9 8 4 - 1 0 - 0 . 1 实施中华人民共和国冶金工业部批准中华人民共和国冶金工业部部标准YB 1 6 0 3 - 8 3硅 单 晶切 割 片和 研 磨 片 本标准 适用于制造半导体器 件 ( 分立器件和集成电 路)的三种等直径硅单晶切割 片和双面研磨片 .用作其他器件的硅单晶切割片和研磨片,可参照本标准确定其相应的技术参数。 本标准 只列出 硅片的外形几何尺寸和晶向参数,硅片 所涉及的硅单晶物理参数 应符合Y B 1 6 0 2 -8 3 硅单晶 所规定的技术要求.技术要求 1. 1 术 语 1 . 1 . 1 晶向:晶 体结晶 方向. 1 . 1 . 2 晶向偏离:切割硅片时, 使硅片法线与晶体结晶方向 偏离一定的角 度. 1 . 1 . 3 正交取向偏差: ( 1 1 1 )硅单晶片作晶向偏离时,硅片法线与最近的 1 1 0 方向在 ( 1 1 1 )平面上投影之间的夹角 ( 见图 1 ). 1 1 . 4 主参考面:硅单晶锭上磨制一确定方向的平面,用作硅片划片方向的标志. 1 . 1 . 5 次参考面 :硅单晶片导电类型和晶向的标志. 1 . 1 . 6 硅片厚度:硅单晶片中心点厚度值. 1 . 1 . 7 厚度偏差:硅单晶片中心点厚度的测量值与公称值之差. 1 . 1 . 8 总厚度变化:硅单晶 片五点厚度 ( 中心一点和距边缘6 m m处间 隔9 0 的四点 )间的最大 值与最小值之差. 1 . 1 . 9 弯曲 度:硅片处于自由 无夹持状态下相对于一理想 平面的单纯凹或 凸的体形变. 1 . 1 . 1 0 缺口:硅片周边穿透两面的缺损. . 1 . 1 1 崩边 :硅片边缘不穿透两面的 破损。 1 . 2 技术要求 1 . 2 . 1 硅单晶切割片和研磨片的技术参数应符合表 1的规定。表 1 硅单晶切割片和研磨片技术参数直径协 4 0功 5 0 . 8( 访 5 0 )0 7 6 . 2 ( 0 7 5 )允许偏差,不大于产品名称士0 . 3士0 . 4士0 . 5钊既肠40李士V/V/19靡镜 W mr R A r . ii -蔓 霎度,V .考面长度,mm) 3 0 0亡 1 5 1 5( 2 59 - 1 2次参考面长度,mm) 3 5 0土 2 0 2 0+1 晶向 偏离 :( 1 1 1 ) 向最近的 1 1 0 ) 偏离 分立器件25 士1 0 线性电路3 士1 0 双极型电路4 士1 . 正交取向偏差:土 5 0 往:对于 1 1 1 )晶向的硅片,主参考面为( no ) ,对于 晶向的硅片,主参考面为垂直于表面的正 交取向偏 差主参考面图 1正交取向 偏差示意图YB 1 6 0 3 - 8 3P型 1 1 1 )P 型 4 0 0J o ) : H N O , ( 6 5 %) =1 : 5 腐蚀液每面 腐蚀掉2 0 w m后可消 失的划道视为浅划道,凡用上述方法腐蚀后仍然存在的划道视为严重划道。 2 . 1 . 9 导电 类型 按G B 1 5 5 3 -7 9 硅单晶 导电 类型 测定方法 进行。 2 . 1 . 1 0 硅片电阻率:按双方议定的方法测定。 2 . 1 . 1 1 晶体 完整性:按G B 1 5 5 4 -7 9 硅单晶 ( 1 1 0 晶面位错坑腐蚀显示 测量方法进行. 2 . 1 . 1 2 晶向:按 GB 工 5 5 6 -7 9 硅单晶晶向X光衍射测量方法进行. 2 . 2 检验规则 2 . 2 . 1 梅批产品应由供方技术监督部门进行 验收, 保证 产品符合本标准要求, 并填写产品质量证明书 2 . 2 . 2 电阻率、厚度偏差,总厚度变化、弯曲 度、表面质量 检验项目 按GB 2 8 2 8 -8 1 逐批检查计数抽 样程序及抽 样表 进行,采用一次抽样方案.检验项目与合格质量水平见表3 , 表 3 检验项目与合格质量水平序号项目合格质量水平尸。 ,%1电阻 率12厚度偏差13总厚度变化王4弯曲度15表面质量缺口1崩边3刀痕0 , 5划道2 2 . 2 . 3 需方可对收到的 产品进行质量检验,如检验结果与本标准 规定不符时,可 在收到产品之日 起三个月内向供方提出,由供需双方协商解决。 2 . 2 . 4 抽样检验不合格批的 产品,供方可 逐片进行检验,合 格者重新组批交货.3 标志、包装、运输、贮存 3 . 1 所有硅单品片 应用相应规格片盒包 装, 然后装入包装箱。包装应 具有 防损伤、防沽污和防震措施2 包装箱外应标有 “ 小心轻 放”及防水杯 志1并注明 :a . 收货单位及地址;b产品名称;c .产品数量、毛重、净重;d .发货 单位.3 每批产品应附产品质最证明 i i , i .! a . 洪方名称;b . 产品名称;YH 1 6 0
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