IGBT吸收保护电容器.doc_第1页
IGBT吸收保护电容器.doc_第2页
IGBT吸收保护电容器.doc_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

IGBT吸收保护电容(MKPH-SB)1 引言众所周知，在电力电子功率器件的应用电路中，无一例外地都要设置缓冲电路，即吸收电路。因为全控制器件在电路工作时莫名其妙损坏的原因虽然很多，但缓冲电路和缓冲电容选择不当是不可忽略的重要原因所在。2 缓冲原理电路中器件的损坏，一般都是在器件在开关过程中遭受了过大的di/dt,dv/dt或瞬时功耗的冲击而造成的。缓冲电路的作用就是改变器件的开关轨迹，控制各种瞬态时的过电压，以降低器件开关损耗来确保器件的安全。图所示为GTR在驱动感性负载时的开关波形。不难看出，在开通和送断过程中的某一时刻，GTR集电极电压Uc和集电极电流ic将同时达到最大值，此时瞬时功耗也最大。加入缓冲电路可将这一开关功耗转移到相关的电阻上消耗掉，从而达到保证器件安全运行的目的。通用的IGBT缓冲电路有如下图所示的三种形式。 其中，图（a）为单只低电感吸收电容构成的缓冲电路，适用于小功率IGBT 模块，用来对瞬变电压有效时的低成本控制，使用时一般将其接在C1和E2之间（两单元模块）或P和N之间（六单元模块）。图4(b)为RCD构成的缓冲电路，适用于较小功率的IGBT模块，缓冲二极管D可箝住瞬变电压，以抑制由于母线寄存电感引起的寄存振荡。其RC时间常数应设计为开关周期的1/3，即=T/3=1/3f。图4（c）为P型RCD和N型RCD构成的缓冲电路，适用于大功率IGBT模块，其功能类似于图4（b）缓冲电路，但其回路电感更小。若同时配合使用图4(a)缓冲电路，则可减小缓冲二极管的应力，从而使缓冲效果达到最佳。IGBT采用缓冲电路后的典型关断电压波形如图5所示。图中，VCE起始部分的毛刺V1是由缓冲电路的寄存电感和缓冲二极管的恢复过程引起的。其值由下式计算：V1=Lsdi/dtXK推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器-XK Roederstein MMKP81，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块上，容量从0.047F到10F，可在+105高温下工作，有700VDC2500VDC和420VAC800VAC共7个电压等级。(如有需求可联QQ396873378)MMKP81可承受2500V/s的高能脉冲和1850A的峰值电流，寿命超过30万小时，可减少由切换IGBT引起的电压和电流尖峰，这种尖峰是电磁干扰（EMI）的重要来源。典型应用包括功率转换器、频率转换器，以及风力机逆变器、中功率和高功率太阳能逆变器、汽车动力总成中的电机驱动。同时还提供结构长度58mm的器件，用于高功率IGBT模块。缓冲电容器的ESR低至1.5m，容量公差5 %，引线间隔
人人文库> 全部分类> 行业资料 > 管理策划

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论