光伏研发中心组建方案.doc

光伏实验室组建方案无锡佳诚太阳能科技有限公司目录一、公司介绍3二、硅片测试设备41、傅立叶变换红外光谱仪42、C V 测试仪53、四探针测试仪64、少子寿命测试仪105、探针轮廓仪116、全自动电化学CV测试仪137、扫描探针显微镜148、激光椭偏仪169、原生多晶电阻率测试仪1710、硅芯电阻率测试仪1811、原生多晶型号测试仪2012、硅料表面金属杂质测试仪2113、硅片表面线痕深度测试仪2214、无接触电阻率型号测试仪2315、硅片测试仪2416、硅片缺陷测试仪2817、多晶硅红外探伤测试仪2918、氧碳测试仪3019、硅料硼磷含量测试仪33三、太阳能电池测试设备351、太阳能电池量子效率测试系统352、太阳能电池I-V 特性测量系统383、太阳能电池光谱测试系统394、太阳光模拟器415、薄膜太阳能电池材料光谱响应测量系统426、便携式太阳能电池测试仪_4 2四、太阳能电池组件生产线461、生产线运行的基本工艺路线462、实验室内设备安装模式463、组件生产线设备清单464、组件生产线生产工艺流程475-1、光伏电池组件层压机475-2 光伏电池组件测试仪495-3 光伏电池单片分选机505-4 光伏电池单片分选机515 - 5 激光划片机525-6 玻璃清洗机535-7 组件周转车545-8 焊接工作台55五、太阳能要素系统551、智能型人造太阳装置552、太阳能辐射观测系统563、太阳光谱分析系统594、太阳自动追踪系统625、太阳辐射电流表63六、太阳能发电测试产品651、太阳能发电测试系统652、太阳能电站检测系统683、太阳能电池组件/阵列评测系统74一、公司介绍北京海瑞克科技发展有限公司成立于2007年，是由多位海外归国留学人员创立的高科技公司。自公司成立以来，公司一直致力于新能源产品的开发和应用，目前已经在光热应用、光伏发电系统、风光互补发电系统和太阳能电池测试产品方面取得了重大进展。2009年，公司获得北京市科委颁发的高新技术企业称号；2010年，公司通过ISO9001:2008质量管理体系认证，为公司的发展提供了一个全新的平台。特别是在光伏发电产品方面，公司一直提倡制造更加高性能及价格低廉的家用光伏发电系统，让更清洁的能源能够走下神坛，走进寻常百姓家，让更多的百姓用上更清洁、能耗更低、性价比更高的光伏发电产品。企业核心价值：绿色、智慧、超越、奉献企业理念：产业专注、速度领先、成本领袖、宏大愿景企业使命：让更多百姓用上更清洁的能源企业愿景：为太阳能插上腾飞的翅膀二、硅片测试设备1、傅立叶变换红外光谱仪设备名称： 傅立叶变换红外光谱仪设备编号： HIK-SCT-1（1）系统简介 全新摆式干涉仪，易于实现快速扫描。干涉仪稳定性高、体积小，结构紧凑、便于维护。 干涉仪采用密封防潮防尘型结构，有效降低了对使用环境的要求。 高强度红外光源采用球形反射装置，可获得均匀、稳定的红外辐射。 程控增益放大电路、高精度A/D 转换电路的设计及嵌入式微机的应用，提高了仪器的精度及可靠性。 光谱仪与计算机之间通过USB 方式进行控制和数据通讯，完全实现即插即用。 通用微机系统，全中文应用软件，内容丰富。具备完整的谱图采集、光谱转换、光谱处理、光谱分析及谱图输出功能，使操作更简单、方便、灵活。（2）技术参数 波数范围: 4400cm-1600cm-1 分辨率: 2cm-1，4cm-1 可选 波数准确度：优于所设分辨率的1/2 透过率重复性:：0.5%T 100%T 线信噪比:2100 cm-1 附近，S/N 优于10000:1(RMS 值) 分束器：ZnSe 探测器: DTGS，MCT 可选 光源：高性能的空冷高效球反射红外光源2、CV测试仪设备名称： CV 测试仪设备编号： HIK-SCT-2（1）系统简介作为组成半导体器件的基本结构的PN 结具有电容效应（势垒电容） 。加正向偏压时，PN 结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN 结势垒区变宽，势垒电容变小。CV-2000 型电容电压特性测试仪是测试频率为1MHz 的智能化数字的电容测试仪器， 专用于测试半导体器件PN 结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。面板上的发光二极管指示仪器的工作状态，用数码管组成的显示板，将被测元件的数值，小数点清晰地显示出来。仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辫到0.01pF，偏置电压分辨力为0.1V，漏电流分辨力为0.01uA。仪器配有专用CV-2000 型测量座，接插元件灵活，方便可靠。（2）应用范围本仪器测量技术先进，性能稳定可靠，造型考究，功能齐全。操作简便，测试速度快，精度高。可广泛应用于元件生产厂，科研部门，国防军工，高等院校等各个部门。（3）技术参数 测试信号频率：1.000MHz0.01% 测试信号电压：小于或等于100mVrms 电容测量范围：1.00pF1000pF 工作误差：5.0%2 字 直流偏压：最大100V 供电电源 交流电压：220V5%； 频率： 50Hz5%； 消耗功率：不大于40W； 工作环境 温度：040； 湿度：20%90%RH 40；3、四探针测试仪3-1、台式四探针测试仪设备名称： 四探针测试仪设备编号： HIK-SCT-3HIK-SCT-3 四探针测试仪四探针测试仪前面板四探针测试仪软件界面（1）系统简介四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。（2）应用范围本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。105（3）技术参数测量范围电阻率：10-4105.cm；方块电阻：10-3106/(可扩展)；电导率：10-5104s/cm；电阻：10-4105；可测晶片直径140mmX150mm(配S-2A 型测试台)；200mmX200mm(配S-2B 型测试台)；400mmX500mm(配S-2C 型测试台)；恒流源电流量程分为1A、10A、100A、1mA、10mA、100mA 六档，各档电流连续可调数字电压表量程及表示形式000.00199.99 mV；分辨力：10V；输入阻抗1000M；精度：0.1% ；显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示；四探针探头基本指标间距：10.01mm；针间绝缘电阻：1000M；机械游移率：0.3；探针：碳化钨或高速钢0.5mm；探针压力：516 牛顿(总力)；模拟电阻测量相对误差0.01、0.1、1、10、100、1000、100000.31 字整机测量最大相对误差(用硅标样片:0.01-180.cm 测试) 5整机测量标准不确定度5计算机通讯接口并口标准使用环境温度：232；相对湿度：65；无高频干扰；无强光直射；3-2、便携式四探针测试仪设备名称： 便携式四探针测试仪设备编号： HIK-SCT-4（1）系统简介手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M 标准而设计的， 专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO 导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻的小型仪器。仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。如有需要可加配测试台使用。（2）应用范围本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。（3）技术参数测量范围电阻率：0.011999.9.cm；方块电阻：0.119999/；恒流源电流量程分为100A、1mA 两档，两档电流连续可调数字电压表量程及表示形式000.00199.99 mV；分辨力：10V；输入阻抗1000M；精度：0.1% ；显示：以大屏幕LCD 显示读数，直观清晰；极性、超量程自动显示；四探针探头基本指标间距：10.01mm；针间绝缘电阻：1000M；机械游移率：0.3；探针：碳化钨或高速钢0.5mm；探针压力：516 牛顿(总力)；模拟电阻测量相对误差1、10、100 小于等于0.3%1 字整机测量最大相对误差(用硅标样片:0.01-180.cm 测试) 5整机测量标准不确定度5外型尺寸125mm(宽)*145mm(高)*245mm(深)重量350g电源锂电池，一次充电可连续使用100 小时；标准使用环境温度：232；相对湿度：65；无高频干扰；无强光直射；4、少子寿命测试仪设备名称： 少子寿命测试仪设备编号： HIK-SCT-5（1）系统简介少子测试量程从1s 到6000s，硅料电阻率下限达0.1.cm(可扩展至0.01.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。（2）应用范围少子寿命测试仪，是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。（3）产品特点 测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。 主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。 适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达0.1?cm（可扩展至0.01?cm），完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。 全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。 贯穿深度大，达500 微米，相比微波光电导的30 微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。 专业定制样品架最大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。 性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。（4）技术参数 测试材料：硅半导体材料- 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。 少子寿命测试范围:1s-6000s 可测低阻硅料下限： 0.1.cm, 可扩展到0.01.cm 激光波长： 1.07m 激光在单晶硅中的贯穿深度： 500m 工作频率： 30MHz 低输出阻抗，输出功率 1W 电源：220V 50Hz 功耗50W5、探针轮廓仪设备名称： 探针轮廓仪设备编号： HIK-SCT-6（1）系统简介Dektak 150集四十余年的技术积累和创新于一身，为满足用户不同应用方向的需要提供了多种可选配置。坚固的铝质材料铸成的机身框架以及支撑部件显著提高了仪器的重复精度，并降低了地板噪音对测量的干扰。基于Windows XP 的Dektak 随机配备软件系统界面友好，为用户提供了完善的分析功能。“一键式”操作方式使得测量工作简单易行。通过选配三维成像附件套装还可以极大地扩充仪器的功能。（2）应用范围探针式表面轮廓仪(台阶仪)，主要应用于薄膜厚度测量、样品表面形貌测量、薄膜应力测量、样品表面粗糙度/波纹度测量、以及样品表面三维形貌测量等众多领域。（3）主要特点 台阶高度测量的高重复性 基于精密加工光学参考平面的样品台，确保在长距离扫描中基线的稳定性 出色的易用性、易维护性 最好的样品适用性 高分辨率的粗糙度测量 功能强大的软件分析系统 三维表面形貌测量的功能可升级性 广泛的应用领域（4）技术参数 测量重复性6 扫描长度50m-55mm 单次扫描最大数据点60,000个 允许样品最大高度100mm (根据配置不同会有所变化) 垂直范围量程524m (1mm 选配) 最高垂直分辨率1 ? (6.55m 量程范围下) 样品台150mm，X-Y-手动调节 探针压力范围1-15mg (0.03mg 选配) 摄像头显微镜视野范围2.6mm (0.67-4.29mm 选配)6、全自动电化学CV测试仪设备名称： 全自动电化学CV 测试仪设备编号： HIK-SCT-7（1）系统简介全自动电化学CV 测试仪适用于评估和控制在半导体生产中的外延过程并且以被使用在多种不同的材料上，例如：Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.全自动电化学CV 测试仪的净室和模块化的系统设计结构使得本系统可以高效率，准确的测量半导体材料（结构，层）中的掺杂浓度分布选用合适的电解液与材料接触，腐蚀，从而得到材料的掺杂浓度分布。电容值电压扫描和腐蚀过程由软件全自动控制。（2）应用范围适用材料: CVP21 应用范围宽，可以用于绝大多数的半导体材料。 IV 族化合物半导体如：硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)等 III-V 族化合物半导体如：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等 三元III-V 族化合物半导体如：铝镓砷(AlGaAs)、镓铟磷(GaInP)、铝铟砷(AlInAs)等 四元III-V 族化合物半导体如：铝镓铟磷(AlGaInP)等 氮化物如：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等 II-VI 族化合物半导体如：氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等样品大小：CVP21 可用于不同形态的样品：多层结构的薄膜材料、基底没有限制(基底导电或绝缘均可)（3）技术参数载流子浓度测量范围:最大1021/cm最小1011/cm深度解析度:最大无上限最小可至1 nm （或更低）模块化系统结构:拓扑型结构实时监控腐蚀过程适于微小样品及大尺寸的晶圆7、扫描探针显微镜设备名称： 扫描探针显微镜SPM 设备编号： HIK-SCT-8（1）系统特点 在扫描器量程内任意范围、任意角度实现非线性校正及标定，非线性度小于1%，正交性小于1o，接近国际先进水平，国内领先 独特的机械结构和光路设计以及各种减噪措施的采用，使仪器在常规环境达到原子分辨 高性能纳米步进马达，可自动控制和手动控制，为用户提供完善的操作控制方案 采用专利技术制造的扫描器具有不受环境影响、使用寿命长等优点 针尖保护技术有效的降低样品对针尖的磨损，使针尖的使用寿命更长 控制系统采用全数字化技术，集成数字锁相放大技术和直接数字频率合成技术 DSP 芯片可实现高达1.35G 的浮点运算，充分满足SPM 对各种数据处理和控制需求，使SPM 表现更出色 模块化的结构设计，开放的结构，用户可基于仪器二次开发 采用USB2.0技术实现控制箱与PC 机的通讯，提供高达480Mb/s 数据传输，与PC 机的连接更加方便快捷 人性化设计的在线软件功能强大且操作简便（2）系统配置控制箱控制箱能够实现当前所有的SPM 的功能，预留的采样A/D 和D/A 输出充分满足用户对功能扩充的需求，同时还留有硬件升级扩展槽，提供更为强大的硬件支持。全数字化电子学控制箱，采用最新的DSP 浮点芯片，运算速度高达1.35G/s，采用18位ADC 芯片，采样速度高达500K，有一个16位高速ADC，采样速度高达5MHz。24位DA 芯片精确控制扫描器的XYZ 三个方向移动，达到目前业界最高精度。USB2.0接口，通用、方便、高速。探头科研型AFM 探头，含激光器、四象限探测器、高灵敏度前置放大电路、反射镜等，改进的机械结构，使系统更稳定，可通过CCD 显微镜方便观察样品和针尖。基座科研型AFM 专用底座，支撑AFM 探头；包括，手动/自动进针系统，数据采集系统，与探头和控制箱的接口等。独特的防震设计，使AFM 的分辨率可达原子级。可容纳样品尺寸：25mm，样品厚度10mm。扫描器科研型AFM 提供两个范围的扫描器，扫描范围10-20m 和3050m，每个扫描器都提供一组特定的矫正和标定参数，用来校正标定扫描器，经校正标定后非线性度小于1%，正交性小于1o。该指标国内领先，接近国际水平。科研型AFM 在线控制软件科研型AFM 在线控制软件，配合爱建纳米科研型控制箱中的嵌入式实时控制软件，完成对AFM 的仪器的各项功能，包括：接触模式、轻敲模式、横向力模式、相位成像模式、静/动态力曲线该操作软件基于WindowsXP/2000操作系统，界面友好易学，操作简便。科研型离线软件爱建纳米扫描探针显微镜图像处理及分析软件系统（简称图像分析软件）是对爱建纳米扫描探针显微镜所产生的扫描图像进行离线处理和分析的工具。运行于WindowsXP2000操作系统下，参照美国ASME 和ASTM 关于表面测量的标准而开发，具有多种数据处理功能。包括：顶视图、三维视图、剖面分析、阶梯分析、bearing 分析、功率谱分析、颗粒分析、粗糙度分析等。防尘隔音罩防尘、隔音保护罩，使仪器免受外界干扰。防震架体积：43.5cm41.5cm71.5cm，防尘、隔音保护罩，使仪器免受外界干扰。选配隔振平台（选配）手动（或自动）桌面式隔振平台，日本进口，固有频率2.5-2.7Hz。体积小，使用方便，抗震效果好。CCD 显微系统CCD 显微系统可以用来观察针尖样品，辅助进针，辅助调节光斑。它包括：同轴光显微镜、冷光源、光缆、图象采集卡、CCD 摄像头、万能支架。分辨率为5m（3）技术参数成像模式大气环境接触模式、轻敲模式、横向力模式、相位成像模式、静/动态力曲线液体环境（选配）接触模式、轻敲模式、横向力模式、相位成像模式、静/动态力曲线分辨率XY 方向0.2nmZ 方向0.1nm接触模式：以云母晶格验证轻敲模式：以DNA 验证，国内唯一能提供的最高分辨的验证方法样品尺寸25mm，样品厚度10mm扫描控制X，Y,Z 方向均采用24位DA 进行控制，达到目前业界最高精度扫描范围10 20m，3050m数据采集采用18位ADC，采样速度高达500K，另有一个16位高速ADC，采样速度高达5MHz可同时采集四种数据类型，分别对应于四个图像通道；DSP 芯片采用最新技术的DSP 芯片，可实现高达1.35G 的浮点运算；通信接口USB2.0接口，传输速度480Mb/s扩展升级预留硬件升级扩展槽和外部接口，可基于仪器进行二次开发在线操作软件适用于WindowsXP/2000以上系统图像处理图像离线处理软件参照美国ASME 和ASTM 关于表面测量的标准，实现对图像数据处理和分析，拥有独立知识产权。8、激光椭偏仪设备名称： 激光椭偏仪设备编号： HIK-SCT-9（1）系统简介多角度激光椭偏仪使用632.8nm 波长HeNe 激光器，对测量薄膜厚度，折射率和吸收系数有非常出色的精度。该系统能够分析单层膜，多层膜和大块材料（基底）。 超高精度和稳定性，来源于高稳定激光光源、温度稳定补偿器设置、起偏器跟踪和超低噪声探测器 高精度样品校准，使用光学自动对准镜和显微镜 快速简易测量，可选择不同的应用模型和入射角度 多角度测量，可完全支持复杂应用和精确厚度 全面的预设应用，包含微电子、光电、磁存储、生命科学等领域（2）系统特征 预先定义应用 多角度测量 广泛的材料数据库 拟合状况的图形反馈 支持多种语言（3）技术参数 激光波长632.8 nm 150 mm (z-tilt) 载物台 入射角度可调，步进5 自动对准镜/显微镜，用于样品校准 Small footprint 以太网接口连接到PC 微细光斑选项，光斑直径30 微米 手动x-y 方向移动载物台，行程150 mm 地貌图选项(x-y 方向, 最大行程200 mm, 带有真空吸附) 摄象头选项，用于取代目镜进行样品对准 液体膜测量单元 自动对焦选项，同地貌图选项结合 反射式膜厚仪FTPadvanced，光斑直径80 微米 双波长激光(405 nm 或1550 nm) SIMULATION 软件 针对粗糙表面硅太阳能电池的测量装置9、原生多晶电阻率测试仪设备名称： 原生多晶电阻率测试仪设备编号： HIK-SCT-10（1）系统简介原生多晶电阻率测试仪，是一款高端电阻率测试仪器，具有电阻率大量程及超大量程测量的特点，实现了电阻率从0.0001 欧姆.厘米到几万欧姆.厘米（可扩展）的测试范围，具有测量精度高、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点。是西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业、物理提纯生产多晶硅料生产企业、半导体材料厂、器件厂、科研部门、高等院校以及需要超大量程测试电阻率测试的企业的最佳帮手。（2）产品特点 适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及IC 半导体器件企业 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能 独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差，实现了测量的高精度和极宽的量程范围 双数字表结构使测量更精确，操作更简便 具有强大的测试数据查询及打印功能 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、最大值、最小值、平均百分变化率等 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高 采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命 测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响 具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性 具有抗强磁场和抗高频设备的性能（3）技术参数 可测电阻率范围： 10-5 1.9 1 05 cm （可扩展） 测量精度3% AC 220V 10% 50/60 Hz 功率： 12W10、硅芯电阻率测试仪设备名称： 硅芯电阻率测试仪设备编号： HIK-SCT-11（1）系统简介硅芯电阻率测试仪，是一款高端测量圆柱晶体硅电阻率测试仪器，可测量硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等，由于仪器大大消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度大大提高，量程实现了电阻率从10-4 欧姆. 厘米到10+4欧姆.厘米（可扩展）的测试范围。因此仪器具有测量精度高、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点。是西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业、物理提纯生产多晶硅料生产企业、光伏及半导体材料厂、器件厂、科研部门、高等院校以及需要超大量程测试电阻率测试的企业的最佳帮手。（2）产品特点 适合检测硅芯，检磷棒，检硼棒，籽晶等圆柱晶体硅 适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及IC 半导体器件企业 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业 仪器消除了珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等负效应的影响，因此测试精度大大提高 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能 独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差，实现了测量的高精度和极宽的量程范围 双数字表结构使测量更精确，操作更简便 具有强大的测试数据查询及打印功能 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、最大值、最小值、平均百分变化率等 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高 采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命 测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响 具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性 具有抗强磁场和抗高频设备的性能（3）技术参数 可测电阻率范围： 5 10-5 5 1 0+5 cm （可扩展） 测量精度3% AC 220V 10% 50/60 Hz 功率： 12W11、原生多晶型号测试仪设备名称： 原生多晶型号测试仪设备编号： HIK-SCT-12（1）系统简介原生多晶型号测试仪，是一款高端半导体材料型号测试仪器，具有大量程测试范围的特点，尤其适用于西门子法原生硅料生产企业的高阻硅料（含硅芯、检磷棒、检硼棒等）以及各种低阻硅料型号测量，型号电阻率测量范围为0.000119999?cm，涵盖了目前半导体及太阳能级硅料生产企业的各种硅料的型号测量要求。（2）产品特点 适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业 适用于光伏拉晶铸锭及IC 半导体器件企业 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业 测量范围广，硅型号电阻率测量范围为0.000119999?cm 可判别锗型号，电阻率范围为10-4103?cm 双数字表结构使测量更精确，操作更简便 可判别从高阻单晶到重掺单晶几乎所有非本征半导体材料型号 仪表指针和液晶数字两种显示有机结合，保证型号检测万无一失 具有灵敏度表设置，保证高阻硅材料型号的准确测量 综合了热电法和整流法两种测试型号的方法，是半导体材料型号测量的万用表 冷热笔和三探针经久耐用，极大降低测试成本 具有稳定性好、结构紧凑、使用方便等特点 采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命 具有抗强磁场和抗高频设备的性能（3）技术参数 可判别硅型号电阻率范围： 10-4 104 cm 可判别锗型号电阻率范围： 10-4 103 cm 锗、硅单晶直径及长度：不受限制 电源： AC 220V 10% ， 50HZ 功耗：最大功耗40W ，平均功耗 10W12、硅料表面金属杂质测试仪设备名称： 硅料表面金属杂质测试仪设备编号： HIK-SCT-13（1）系统简介硅料表面金属杂质含量测试仪，其主要用途是对多晶硅料的硅料表面金属杂质含量进行分析。包括Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al 等金属元素。（2）产品特点 体积小巧、功能全面、操作简便，操作及维护费用低 全新功能保证自动进行系统检查，减少样品的重复检测。增加实验结果的可靠性，确保仪器硬件的运行状态，并提前给出出错提示。 通过软件控制，自动实现原子化器的选择、切换和校准，无需手动操作。 在启动PC 时，自动运行系统检查来确定应将的运行状态。 大幅减少重复作样的机会，提高了数据可靠性和准确性。 智能化附件，用户化分析要求。 波长准确度高，光度计准确性，稳定性好（3）技术参数 检出限： ppm 级 样品分析能力：单元素分析，每个样品每个元素15 秒 测试范围：可测包括Li、Be、B、Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Ca、Mg、Al 等在内的超过50 个元素 线性动态范围： 10 的2 次方 电源： 100 240V(10%)，50/60HZ，300VA 主机尺寸：780 宽520 高595 深mm 重量：60 kg（4）工作环境要求 室内环境温度1530；相对湿度（全天候）不超过60% 室内无强磁场干扰；无妨碍仪器正常工作的震动 室内环境清洁、干燥、没有灰尘、无腐蚀性气体 硅料表面金属杂质含量测试仪是精密仪器，为防止酸、碱及其它腐蚀性气体、烟雾侵蚀仪器，必须和化学实验室分开；仪器光学系统对湿度、温度要求很高，实验室应安装空调及去湿设备13、硅片表面线痕深度测试仪设备名称： 硅片表面线痕深度测试仪设备编号： HIK-SCT-14（1）系统简介硅片表面线痕深度测试仪可用于测试硅片的表面线痕深度，具有便于携带、触摸屏便捷操作、液晶显示、节能等优点，同时内置打印机和充电电池，所有设计均符合JIS,DIN,ISO,ANSI 等标准。（2）产品特点 便于操作的触摸屏 内置打印机和充电电池 JIS/DIN/ISO/ANSI 兼容36 个评价参数和3 个分析图表 探针行程达350mm 具有统计处理功能 带有SURFPAK-SJ 软件的PC 连接端口 自动休眠功能可有效节约能源 高分辨率液晶屏显示粗糙度值 性价比高 菜单式快速方便设置 高分辨率液晶LCD 显示（3）技术参数 检测器测试范围：350m (-200m to +150m). 检测器检测方式：微分感应. 检测器测力：4mN 或0.75mN（低测力方式） 显示: 液晶显示 数据输出: 通过RS-232C 端口/SPC 数据输出 电源: 通过AC 适配器/电池(可更换) 充电时间：15 小时 电池使用时间：最多可测600 次 检测器尺寸(WxDxh)：30716594mm 检测器重量：1.2kg 驱动部尺寸(WxDxh)：115 x 23 x 26mm 驱动部重量：0.2kg14、无接触电阻率型号测试仪设备名称： 无接触电阻率型号测试仪设备编号： HIK-SCT-15（1）系统简介无接触式电阻率型号测试仪是基于涡流（Eddy Current）测试技术，能够对硅料、硅棒、硅锭及硅片进行无接触、无损伤的体电阻率测试。（2）产品特点 测试范围广，低阻可测至0.001ohm.cm，甚至0.0007hm.c,高阻可测至100ohm.c 产品体积小，便于移动和携带 采用涡流法测试硅锭、棒、回炉料体电阻率 无接触、无损伤快速测试 测试前无需表面处理 特别对于多晶，能够有效避免晶界对测试的影响 测试范围：0.001-100 ohm.cm (分段测试) 可选加无接触PN 型号测试功能 可进行温度和厚度的修正（3）技术参数 硅棒硅块可测量电阻率范围：0.001-100Ohm.cm. 最小测试厚度：200m 测量时间：2 秒/次 最小测试面积：30x30 mm2 推荐使用温度：20 湿度：80% 气压：86-106kPa 使用电压：23010V 频率，503Hz 功率消耗：5W 尺寸（LxWxH）：280x200x60mm15、硅片测试仪15-1、半自动无接触硅片测试仪设备名称： 半自动无接触硅片测试仪设备编号： HIK-SCT-16（1）系统简介半自动无接触硅片测试仪可以测量硅片厚度、总厚度变化TTV、弯曲度、翘曲度、单点和总体平整度，该仪器适用于Si，GaAs，InP，Ge 等几乎所有的材料，强大的软件功能能够在几秒内测试硅片的厚度、总厚度变化TTV、弯曲度、翘曲度、单点和总体平整度，所有的设计都符合ASTM(美国材料实验协会)和Semi 标准，确保与其他工艺仪器的兼容与统一。可用于75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm 多种尺寸。（2）应用范围 切片线锯设置厚度总厚度变化TTV监测导线槽刀片更换磨片/刻蚀和抛光 过程监控 厚度总厚度变化TTV 材料去除率 弯曲度 翘曲度 平整度 研磨 材料去除率 最终检测 抽检或全检 终检厚度（3）技术参数 晶圆硅片测试尺寸： 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm, 200 mm . 厚度测试范围： 1000 u m ， 可扩展到1700 um. 厚度测试精度： +/-0.25um 厚度重复性精度： 0.050umm TTV 测试精度: +/-0.05um TTV 重复性精度: 0.050um 弯曲度测试范围： +/-500um +/-850um 弯曲度测试精度： +/-2.0umm 弯曲度重复性精度： 0.750umm 翘曲度测试范围： +/-500um +/-850um 翘曲度测试精度： +/-2.0umm 翘曲度重复性精度： 0.750umm 平整度（总体）测试精度: +/-0.05um 平整度（总体）重复性精度: 0.030um 平整度（点）测试精度: +/-0.05um 平整度（点）重复性精度: 0.030um 晶圆硅片导电型号： P 或N 型 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等几乎所有半导体材料 可用在： 切片后、磨片前、后， 蚀刻，抛光以及出厂、入厂质量检测等 平面/ 缺口：所有的半导体标准平面或缺口 硅片安装：裸片，蓝宝石/ 石英基底， 黏胶带（4）产品特点 高性价比可替代全自动 厚度测试无需重新校准 标准Windows 系统和友好界面 无与伦比的精确度和测量重复性 符合ASTM(美国材料实验协会)和Semi 标准 采用一键式硅片检测，并生成三维硅片图像 友好易用 标准的Windows 系统，易于安装和使用。 每个测量和机械参数都可从选项表中进行选择，该控制软件具有三个安全级别 从硅片生产环境到硅片几何工程分析，同时系统对输出数据进行报表表格定制15-2、手动无接触硅片测试仪设备名称： 手动无接触硅片测试仪设备编号： HIK-SCT-17（1）系统简介手动无接触硅片测试仪可以测量硅片厚度、总厚度变化TTV 、弯曲度，该仪器适用于Si ， GaAs ， InP ， Ge 等几乎所有的材料，所有的设计都符合ASTM( 美国材料实验协会) 和Semi 标准，确保与其他工艺仪器的兼容与统一。（2）应用范围 切片线锯设置厚度总厚度变化TTV监测导线槽刀片更换磨片/刻蚀和抛光 过程监控 厚度总厚度变化TTV 材料去除率 弯曲度 翘曲度 平整度 研磨 材料去除率 最终检测 抽检或全检 终检厚度（3）技术参数 晶圆硅片测试尺寸： 50 mm - 300mm. 厚度测试范围： 1000 u m ， 可扩展到1700 um. 厚度测试精度： +/-0.25um 厚度重复性精度： 0.050umm TTV 测试精度: +/-0.05um TTV 重复性精度: 0.050um 弯曲度测试范围： +/-500um +/-850um 弯曲度测试精度： +/-2.0umm 弯曲度重复性精度： 0.750umm 晶圆硅片导电型号： P 或N 型 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等几乎所有半导体材料 可用在： 切片后、磨片前、后， 蚀刻，抛光以及出厂、入厂质量检测等 平面/ 缺口：所有的半导体标准平面或缺口 硅片安装：裸片，蓝宝石/ 石英基底， 黏胶带 连续5 点测量（4）产品特点 无接触测量 适用的晶圆材料包括Si，GaAs，InP，Ge 等几乎所有的材料 厚度和TTV 测量采用无接触电容法探头 高分辨率液晶屏显示厚度和TTV 值 性价比高 菜单式快速方便设置 高分辨率液晶LCD 显示 提供和计算机连接的输出端口 提供打印机端口 便携且易于安装 为晶圆硅片关键生产工艺提供精确的无接触测量 高质量微处理器为精确和重复精度高的测量提供强力保障 高质量聚四氟乙烯晶圆测试架，为晶圆硅片精确定位提供保障16、硅片缺陷测试仪设备名称： 硅片缺陷测试仪设备编号： HIK-SCT-18（1）系统简介硅片缺陷观测仪，于对硅片的缺陷进行观察，效果非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等。实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果。（2）产品特点 适用于对硅片的缺陷观察效果，非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等； 使硅片缺陷观察工作简单化，准确化，同时极大程度降低此项工作强度； 实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果； 使用1/2CMOS 感光芯片，具有体积小，技术先进，像素较高， 成像清晰、线条细腻、色彩丰富； 传输接口为USB2.0 高速接口， 软件模块化设计； 有效分辨率为200 万像素； 所配软件能兼容windows 2000 和windows XP 操作系统。17、多晶硅红外探伤测试仪设备名称： 多晶硅红外探伤测试仪设备编号： HIK-SCT-19（1）系统