半导体物理与器件(期末考试复习题).pdf

侯识华侯识华(Hou Shi-Hua) shhou 声明：本资料仅用于我的学生复习用，请各位同学不要外传！谢谢合作！声明：本资料仅用于我的学生复习用，请各位同学不要外传！谢谢合作！ 半导体物理与器件期末复习题半导体物理与器件期末复习题 一、 （每小题 6 分，共 30 分）名词解释： 一、 （每小题 6 分，共 30 分）名词解释： 1电子的有效质量（第 3 章）P53-55， 2空穴的有效质量（第 3 章）P55-57， 3简并半导体（第 4 章）P92， 4补偿半导体（第 4 章）P96， 5迁移率（第 5 章）P111， 6负微分迁移率（第 5 章）P121,P122， 7过剩载流子（第 6 章）P137， 8双极输运（第 6 章） 9表面态（第 6、9 章）P160， 10 pn 结的势垒电容（第 7 章）P179， 11 pn 结的扩散电容（第 8 章）P210， 12 二维电子气（第 9 章）P250， 1313 推导出热平衡半导体中电子浓度和空穴浓度所满足的方程。（第 4 章， （4.11）式、（4.19）式）P78-79, 推导出热平衡半导体中电子浓度和空穴浓度所满足的方程。（第 4 章， （4.11）式、（4.19）式）P78-79, 14 试分析 n 型半导体 Si 中电子浓度、电导率随温度的变化关系，并画出变 化关系曲线图。（第 5 章）P119， 15 习题 6.16（第 6 章） 16 习题 6.20（第 6 章） 17 习题 6.29（第 6 章） 18 习题 6.30（第 6 章） 19 习题 6.38（第 6 章） 20 习题 7.34 （第 7 章，一直到推导出（7.57）式）习题 7.34 （第 7 章，一直到推导出（7.57）式） 2121 类似习题 7.34（第 7 章，P173-P176，一直到推导出（7.31）式） 类似习题 7.34（第 7 章，P173-P176，一直到推导出（7.31）式） 22 画出零偏、反偏和正偏条件下的均匀掺杂 pn 结的能带图，并分析 pn 结 的电流输运机制。（第 7,8 章）P171,P193， 2323 推导出式(7.10)式 P172，(8.4)式 P194，(8.6)、(8.7)式 P195（即热平推导出式(7.10)式 P172，(8.4)式 P194，(8.6)、(8.7)式 P195（即热平 侯识华侯识华(Hou Shi-Hua) shhou 衡状态和正偏下的少子浓度表达式） 24 衡状态和正偏下的少子浓度表达式） 24 画出零偏、 反偏和正偏等偏置条件下的隧道二极管的能带图,并定性分析 隧道二极管的电流-电压特性。（第 8 章）P224， 25 25 对于 sm ，画出接触前金属和 n 型半导体的能带图以及肖特基势垒二 极管在零偏、反偏和正偏时的理想能带图，并分析其电流输运机制。（第 9 章）P232,P233， 26 26 简述肖特基效应（肖特基势垒的镜象力降低效应）。（第 9 章）P236， 27 27 试分析表面态对肖特基势垒二极管的影响。（第 9 章）P160,P238，并参 考课件。 28 28 对于 sm ，画出接触前金属和 p 型半导体的能带图以及金属和 p 型半 导体欧姆接触的理想能带图，并分析金属加正电压或者半导体加正电压时的 电流输运机制 （即分析该金属和 p 型半导体欧姆接触的电流输运机制） 。 （第 9 章）P245， 30 30 画出 pP、Np、nN、nP 异质结在热平衡时的能带图，并分析在有偏压下各 异质结的电流输运机制。（第 9 章）P249,P254， 31 31 画出均匀掺杂 n+p+ n 型双极晶体管处于热平衡状态时的能带图和处于 正向有源模式时的能带图，并说明其电流输运机制。（第 10 章）P262， 32 画图并说明均匀掺杂 n+p+ n 型双极晶体管工作于正向有源模式时的粒 子流密度