半导体电力开关器件.ppt

第2章半导体电力开关器件,2,2半导体电力开关器件,2.1电力二极管2.2双极结型电力晶体管BJT2.3晶闸管及其派生器件2.4门极可关断晶闸管GTO2.5电力场效应晶体管PMOSFET2.6绝缘门极双极型晶体管IGBT*2.7*2.8自学2.9半导体电力开关模块和功率集成电路本章小结,3,电力开关器件家族树,4,电力开关器件发展史,5,2.1电力二极管,5,电力二极管实物图,6,2.1.1半导体PN结,P型、N型半导体和PN结,7,2.1.2半导体二极管基本特性单向导电性,正向接法时内电场被削弱，扩散运动强于漂移运动，掺杂形成的多数载流子导电，等效电阻较小。反向接法时内电场被增强，漂移运动强于扩散运动，光热激发形成的少数载流子导电，等效电阻很大。,7,半导体二极管的符号及正反向接法,8,2.1.2半导体二极管基本特性单向导电性（续1）,正向接法,反向接法,9,2.1.2半导体二极管基本特性单向导电性（续2）,一般表达式：,反向时的表达式：,正向时的表达式：,Is：反向饱和电流,10,2.1.2半导体二极管基本特性单向导电性（续3）,PN结高频等效电路,11,2.1.3半导体电力二极管重要参数,半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中：是否被过压击穿是否会过热烧毁开关特性,12,额定电流的定义：,其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值。,当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：,13,当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：,最大允许全周期均方根正向电流的定义：,当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其发热等效的全周期均方根正向电流IFrms称为最大允许全周期均方根正向电流。,14,二极管电流定额的含义,如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明：允许通过平均值为100A的正弦半波电流；允许通过正弦半波电流的幅值为314A；允许通过任意波形的有效值为157A的电流；在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。,由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：,15,选择二极管电流定额的过程：,求出电路中二极管电流的有效值IFrms；求二极管电流定额IFR，等于有效值IFrms除以1.57；将选定的定额放大1.5到2倍以保证安全。,16,半导体电力二极管的开关特性,开关过程，由导通状态转为阻断状态并不是立即完成，它要经历一个短时的过渡过程；此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管有很大差异；理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。,状态：,过程：,导通、阻断,开通、关断,17,半导体电力二极管的开关特性（续）,二极管开通及反向恢复过程示意图,18,半导体电力二极管的开关特性（续）,二极管关断过程示意图,19,半导体电力二极管重要参数,有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重要参数是：最大允许反向重复峰值电压额定电流最大允许的全周期均方根正向电流最大允许非重复浪涌电流最大允许的PN结结温和管壳温度结壳、壳散热器热阻反向恢复时间,20,半导体电力二极管重要参数（续1）,二极管关断电压、电流波形,21,2.1.4二极管的基本应用,整流续流,22,2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用2.2.2静态特性2.2.3电力三极管使用参数和特性,BJT(BipolarJunctionTransistor)或GTR(GiantTransistor),2.2双极结型电力晶体管BJT,23,2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用,三极管的结构和符号,24,2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续1),载流子流向示意图,25,2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续2),基极电流控制集电极电流,26,2.2.2三极管的静态特性,三极管输入、输出特性,27,2.2.3电力三极管使用参数和特性,图2.9不同基极状态时，集射极击穿电压,1.集电极额定电压2.集电极额定电流（最大允许电流）3.饱和压降4.基极电流的最大允许值5.开通和关断时间6.安全工作区,28,电力三极管的主要特点,是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；开关速度较快；饱和压降较低；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压；电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过1200V、800A;已经淘汰,29,2.3晶闸管及其派生器件,晶闸管实物图,30,2.3.1逆阻型晶闸管SCR两个三极管正反馈2.3.2逆导型晶闸管RCT2.3.3光控晶闸管LCT2.3.4双向晶闸管TRIACIGBT,2.3晶闸管及其派生器件,31,2.3.1逆阻型晶闸管SCR两个三极管正反馈,晶闸管的结构、符号和结构模型,32,可控开通,关断时：,强迫其电流下降到维持电流以下,通态时,晶闸管的等值电路,33,静态伏安特性及dv/dt防护,34,图中画斜线部分为一个2周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均值Id1、Id2、Id3和电流有效值I1、I2、I3。若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶闸管能否满足要求？,例2-1,答：见书39页,35,2.3.2逆导型晶闸管RCT,逆导晶闸管等值电路和符号,36,2.3.3光控晶闸管LCT,光控晶闸管符号及等值电路,37,双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性,2.3.4双向晶闸管TRIAC,38,GTO符号及关断原理图,GTO（GateTurn-OffThyristor）为什么能靠反向触发电流关断？,T2的电流分配系数较大；T1、T2饱和深度较浅,2.4门极可关断晶闸管GTO,39,2.5电力场效应晶体管PMOSFET,P-MOSFET基本结构、符号和外接电路,40,2.5电力场效应晶体管PMOSFET（续1）,目前流行的结构具有垂直导电双扩散MOS结构的N沟增强型VDMOS的结构,41,2.5电力场效应晶体管PMOSFET（续2）,关断,导通,导通和关断载流子流向示意图,42,PMOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述：,2.5电力场效应晶体管PMOSFET（续3）,43,2.6绝缘门极双极型晶体管IGBT,IGBT结构和等效电路,44,I,C,V,CE,V,G,E,=0,V,GE1,V,GE2,V,GE3,V,RM,0,(c)输出特性,正向阻断区,V,GE,V,BR,I,c,V,GE,V,GEth,(d)转移特性,符号、电路及静态特性,2.6绝缘门极双极型晶体管IGBT（续1）,45,2.6绝缘门极双极型晶体管IGBT（续2）,什么是擎住效应：,集电极电流iC过大；集电极电压过高；关断速度过快。,Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。,产生擎住效应的原因：,46,晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT（图2.19）,开通P沟道的MOS管使MCT导通开通N沟道的MOS管使MCT关断,*2.7MOS控制晶闸管MCT,47,：N沟道变宽，等效电阻小，SIT开通,：N沟道夹断，等效电阻大，SIT关断,特点：开关速度很快，可在100500kHz的高频开关状态下工作,SIT是一种结型场效应晶体管，控制GS之间的电压可以改变电流通道（图中N沟道）的宽窄，从而控制SIT的通断。,静电感应晶闸管SIT,*2.8静电感应晶体管,48,二极管和晶闸管模块,2.9半导体电力开关模块和功率集成电路,49,达林顿三极管功率模块,2.9半导体电力开关模块和功率集成电路（续1）,50,MOSFET功率模块,2.9半导体电力开关模块和功率集成电路（续2）,51,AC-DC-AC变频功率模块,2.9半导体电力开关模块和功率集成电路（续3）,52,小结,根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类：不可控器件：仅二极管D是不可控开关器件。半控器件：仅普通晶闸管SCR属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦SCR导通后，SCR仍继续处于通态。全控型器件：三极管BJT、可关断晶闸管GTO、电力场效应晶体管P-MOSFET、绝缘门极晶体管IGBT都是全控型器件，即通过门极（或基极或栅极）是否施加驱动信号既能控制其开通又能控制其关断,53,小结（续1）,根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：SCR、BJT和GTO为电流驱动控制型器件PMOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后BJT关断。为了加速其关断，最好能提供负的脉冲电流。P-MOSFET和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压