电力半导体器件(2).ppt

模拟、数字电子技术电子器件：晶体管和集成电路电力电子技术电力电子器件本章主要内容：概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。,第九章电力半导体器件引言,1-2,1.1.1电力电子器件的概念和特征1.1.2应用电力电子器件的系统组成1.1.3电力电子器件的分类1.1.4本章内容和学习要点,第一节电力半导体器件的发展概况,1-3,1）概念:电力电子器件（PowerElectronicDevice）可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。主电路（MainPowerCircuit）电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。2）分类:电真空器件(汞弧整流器、闸流管)半导体器件(采用的主要材料硅）仍然,1.1电力电子器件的概念和特征,电力半导体器件,1-4,能处理电功率的能力，一般远大于处理信息的电子器件。电力电子器件一般都工作在开关状态。电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件，一般都要安装散热器。,1.1电力电子器件的概念和特征,3）同处理信息的电子器件相比的一般特征：,1-5,通态损耗是器件功率损耗的主要成因。器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。,主要损耗,通态损耗,断态损耗,开关损耗,关断损耗,开通损耗,1.1电力电子器件的概念和特征,电力电子器件的损耗,1-6,电力电子系统：由控制电路、驱动电路、保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成。,图1-1电力电子器件在实际应用中的系统组成,在主电路和控制电路中附加一些电路，以保证电力电子器件和整个系统正常可靠运行,1.2应用电力电子器件系统组成,电气隔离,控制电路,1-7,不可控器件(PowerDiode)不能用控制信号来控制其通断,因此也就不需要驱动电路。半控型器件（Thyristor）通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。全控型器件（IGBT,MOSFET)通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。,1.3电力电子器件的分类,按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：,门极可关断晶体管,处理兆瓦级大功率电能,电力二极管,只有两个端子,1-8,电流驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。电压驱动型仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。,1.3电力电子器件的分类,按照驱动电路信号的性质，分为两类：,1-9,单极型有一种载流子参与导电。如功率晶体管（GTR）、门极可关断晶闸管（GTO）。双极型电子和空穴两种载流子参与导电。如功率场效应晶体管（MODFET）混合型单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如晶闸管（SCR）,1.3电力电子器件的分类,按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，分为三类：,1-10,PowerDiode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用。快恢复二极管和肖特基二极管，分别在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位。,二、不可控器件功率二极管,整流二极管及模块,1-11,基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装。,图9.2-1电力二极管的外形、结构和电气图形符号a)外形b)结构c)电气图形符号,1.2.1PN结与电力二极管的工作原理,1-12,二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征。PN结的反向击穿（两种形式)雪崩击穿齐纳击穿均可能导致热击穿,2.1PN结与电力二极管的工作原理,PN结的状态,1-13,PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容CJ，又称为微分电容。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。电容影响PN结的工作频率，尤其是高速的开关状态。,2.1PN结与电力二极管的工作原理,PN结的电容效应：,1-14,主要指其伏安特性门槛电压UTO，正向电流IF开始明显增加所对应的电压。与IF对应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF。承受反向电压时，只有微小而数值恒定的反向漏电流。,图9.2-4电力二极管的伏安特性,2.2电力二极管的基本特性,1)静态特性,1-15,2)动态特性二极管的电压-电流特性随时间变化的结电容的存在,2.2电力二极管的基本特性,过渡过程中电压电流特性随时间变化,1-16,2.2电力二极管的基本特性,图9.2-5电力二极管的动态过程波形a)正向偏置转换为反向偏置,电流过冲最大值：IRP电压过冲最大值：URP延迟时间：td=t1-t0,电流下降时间：tf=t2-t1反向恢复时间：trr=td+tf恢复特性的软度：下降时间与延迟时间的比值tf/td，或称恢复系数，用Sr表示。,电力二极管的关断经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断，进入截止状态。,在关断之前有较大的反向电流，伴随明显的反向电压过冲。,1-17,正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如2V）。正向恢复时间tfr。电流上升率越大，UFP越高。,图9.2-5(b)开通过程,2.2电力二极管的基本特性,开通过程：,电压过冲原因1)电导调制效应起作用所需大量少子,需要一定时间储存达到稳态导通前管压降较大。2)正向电流的上升因器件自身的电感而产生较大压降。电流上升率越大,UFP越高。,1-18,2.2电力二极管的基本特性,注意：电流、电压反向问题正偏压时，正向偏压降约为2V左右；导通时，二极管看成是理想开关元件，因为它的过渡时间与电路的瞬时过程相比要小的得多；但在关断时，它需要一个反向恢复的时间以清除过剩载流子。,1-19,额定电流在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。,2.3电力二极管的主要参数,1)正向平均电流IF(AV),1-20,在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。3）反向重复峰值电压URRM对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有两倍的裕量。4）反向恢复时间trrtrr=td+tf，是从二极管正向电流过零到反向电流下降到其峰值10%时的时间间隔。,1.2.3电力二极管的主要参数,2）正向（峰值）压降UFM,1-21,结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。TJM是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。TJM通常在125175C范围之内。6)正向浪涌电流IFSM指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。,2.3电力二极管的主要参数,5）最高允许结温TJM,1-22,1)普通二极管（GeneralPurposeDiode）又称整流二极管（RectifierDiode）多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路其反向恢复时间较长正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。,2.4二极管的主要类型,1-23,简称快速二极管快恢复外延二极管（FastRecoveryEpitaxialDiodesFRED），其trr更短（可低于50ns），UFM也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者trr为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到2030ns。,2.4二极管的主要类型,2)快恢复二极管（FastRecoveryDiodeFRD）,1-24,肖特基二极管的弱点反向耐压提高时正向压降会提高，多用于200V以下。反向稳态损耗不能忽略，必须严格地限制其工作温度。肖特基二极管的优点反向恢复时间很短（1040ns）。正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲。反向耐压较低时其正向压降明显低于快恢复二极管。效率高，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还小。,2.4电力二极管的主要类型,3.肖特基二极管以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiodeSBD）。,1-25,第三节晶闸管,3.1晶闸管的结构与工作原理3.2晶闸管的基本特性3.3晶闸管的主要参数3.4晶闸管的派生器件,1-26,半控器件晶闸管引言,1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。1958年商业化。开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位。,晶闸管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（SiliconControlledRectifierSCR）,1-27,图9.3-1晶闸管的外形、结构和电气图形符号a)外形b)结构c)电气图形符号,3.1晶闸管的结构与工作原理,外形有螺栓型和平板型两种封装。有三个联接端。螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。,1-28,3.1晶闸管的结构与工作原理,常用晶闸管的结构,螺栓型晶闸管,晶闸管模块,平板型晶闸管外形及结构,1-29,3.1晶闸管的结构与工作原理,式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。由以上式可得：,图9.3-3晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a)双晶体管模型b)工作原理,按晶体管的工作原理，得：,（1-5）,1-30,3.1晶闸管的结构与工作原理,在低发射极电流下是很小的，而当发射极电流建立起来之后，迅速增大。阻断状态：IG=0，1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和。开通状态：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA，将趋近于无穷大，实现饱和导通。IA实际由外电路决定。,1-31,3.1晶闸管的结构与工作原理,阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，称为光控晶闸管（LightTriggeredThyristorLTT）。只有门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。,其他几种可能导通的情况：,1-32,3.2晶闸管的基本特性,承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。,晶闸管正常工作时的特性总结如下：,1-33,3.2晶闸管的基本特性,（1）正向特性IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。晶闸管本身的压降很小，在1V左右。,1）静态特性,图9.3-4晶闸管的伏安特性IG2IG1IG,1-34,3.2晶闸管的基本特性,反向特性类似二极管的反向特性。反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压达到反向击穿电压后，可能导致晶闸管发热损坏。,图9.3-4晶闸管的伏安特性IG2IG1IG,（2）反向特性,1-35,3.2晶闸管的基本特性,2）动态特性,图9.3-5晶闸管的开通和关断过程波形,开通过程,延迟时间td阳极电流从零上升到稳态值10%的时间上升时间tr阳极电流从10%上到稳态值的90%所需的时间开通时间tgttgt=td+tr（1-6）普通晶闸管的延迟时间为0.5ms，上升时间为0.53ms。其延迟时间随门极电流的增大而减小；,1-36,3.2晶闸管的基本特性,2）动态特性,图9.3-5晶闸管的开通和关断过程波形,开通过程,关断过程,反向阻断恢复时间trr正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近零的时间正向阻断恢复时间tgr晶体管恢复载流子复合过程对正向电压的阻断的时间关断时间tqtq=trr+tgr（1-7）普通晶闸管的时间约为几百微秒,延迟时间td(0.51.5s)上升时间tr(0.53s)开通时间tgttgt=td+tr(1-6),1-37,3.3晶闸管的主要参数,断态重复峰值电压UDRM在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。反向重复峰值电压URRM在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。通态（峰值）电压UTM晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。,通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压。选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍。,使用注意：,1）电压定额,1-38,3.3晶闸管的主要参数,通态平均电流ITa在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。维持电流IH使晶闸管维持导通所必需的最小电流。擎住电流IL晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的24倍。浪涌电流ITSM指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。,2）电流定额,1-39,3.3晶闸管的主要参数,除开通时间tgt和关断时间tq外，还有：断态电压临界上升率du/dt指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。通态电流临界上升率di/dt指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。,3）动态参数,1-40,五、特殊晶闸管,有快速晶闸管和高频晶闸管。开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10s左右。高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。由于工作频率较高，不能忽略其开关损耗的发热效应。,（一）快速晶闸管（FastSwitchingThyristorFST),1-41,（二）双向晶闸管（TriodeACSwitchTRIAC或Bidirectionaltriodethyristor）,图9.3-11双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)电气图形符号b)伏安特性,可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。有两个主电极T1和T2，一个门极G。在第和第III象限有对称的伏安特性。不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。,门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通。,1-42,（三）逆导晶闸管（ReverseConductingThyristorRCT）,a),K,G,A,图9.3-12逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)电气图形符号b)伏安特性,将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。正向特性同晶闸管一样，具有可控性；反向特性是整流二极管的正向特性。,1-43,（三）逆导晶闸管（ReverseConductingThyristorRCT）,a),K,G,A,图9.3-12逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a)电气图形符号b)伏安特性,不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。,1-44,结构：与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。和普通晶闸管的不同点：GTO是一种内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元的多元的功率集成器件。GTO元的阴极和门极在器件内部并联在一起。,图9.3-13GTO的内部结构和电气图形符号a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形b)并联单元结构断面示意图c)电气图形符号,1）GTO的结构和工作原理,（四）门极可关断晶闸管,1-45,工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图9.3-14所示的双晶体管模型来分析。,图9.3-14晶闸管的双晶体管模型及其工作原理,1+2=1是器件临界导通的条件。,由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益1和2。,（四）门极可关断晶闸管,1-46,GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：,设计2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO。导通时1+2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。,图9.3-14晶闸管的工作原理,（四）门极可关断晶闸管,1-47,GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强。,由上述分析我们可以得到以下结论：,（四）门极可关断晶闸管,1-48,开通过程：与普通晶闸管相同关断过程：与普通晶闸管有所不同储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。下降时间tf尾部时间tt残存载流子复合。通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。门极负脉冲电流幅值越大，ts越短。,图9.3-15GTO的开通和关断过程电流波形,GTO的动态特性,（四）门极可关断晶闸管,1-49,GTO的主要参数,延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约12s，上升时间则随通态阳极电流的增大而增大。,一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。下降时间一般小于2s。,（2）关断时间toff,（1）开通时间ton,不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联。,许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数。,（四）门极可关断晶闸管,1-50,（四）门极可关断晶闸管,（3）最大可关断阳极电流IATO,（4）电流关断增益off,off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A。,GTO额定电流。,最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。,1-51,第四节功率晶体管,20世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。典型代表门极可关断晶闸管、功率（电力）晶体管、功率（电力）场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。,1-52,第四节功率晶体管,常用的典型全控型器件,功率MOSFET,绝缘栅双极晶体管（IGBT）单管及模块,1-53,第四节功率晶体管,功率晶体管（GiantTransistorGTR，直译为巨型晶体管）。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistorBJT），英文有时候也称为PowerBJT。应用20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和功率MOSFET取代。,术语用法：,1-54,与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。,第四节功率晶体管,1）GTR的结构和工作原理,图9.4-2GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动a)内部结构断面示意图b)电气图形符号c)内部载流子的流动,1-55,第四节功率晶体管,在应用中，GTR一般采用共发射极接法。集电极电流ic与基极电流ib之比为GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为ic=ib+Iceo单管GTR的值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。,1）GTR的结构和工作原理,1-56,第四节功率晶体管,(1)静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。在电力电子电路中GTR工作在开关状态。在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。,图9.4-4共发射极接法时GTR的输出特性,2）GTR的基本特性,1-57,第四节功率晶体管,开通过程延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。加快开通过程的办法。关断过程储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff。加快关断速度的办法。GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多。,图9.4-5GTR的开通和关断过程电流波形,(2)动态特性,1-58,第四节功率晶体管,前已述及：电流放大倍数、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff(此外还有)：1)最高工作电压GTR上电压超过规定值时会发生击穿。击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。BUcboBUcexBUcesBUcerBuceo。实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。,3）GTR的主要参数,1-59,第四节功率晶体管,通常规定为hFE下降到规定值的1/21/3时所对应的Ic。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。3)集电极最大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率。产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度。,2)集电极最大允许电流IcM,1-60,第四节功率晶体管,一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变。,安全工作区（SafeOperatingAreaSOA）最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。,GTR的安全工作区,GTR的二次击穿现象与安全工作区,1-61,第五节功率场效应晶体管,分为结型和绝缘栅型通常主要指绝缘栅型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）简称功率MOSFET（PowerMOSFET）结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（StaticInductionTransistorSIT）,特点用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。,功率场效应晶体管,1-62,第五节功率场效应晶体管,功率MOSFET的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道。耗尽型当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。增强型对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道。功率MOSFET主要是N沟道增强型。,一、功率MOSFET的结构和工作原理,1-63,第五节功率场效应晶体管,功率MOSFET的结构,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别。采用多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计。,图9.5-1功率MOSFET的结构和电气图形符号,1-64,第五节功率场效应晶体管,小功率MOS管是横向导电器件。功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（VerticalMOSFET）。按垂直导电结构的差异，分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（VerticalDouble-diffusedMOSFET）。这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。,功率MOSFET的结构,1-65,第五节功率场效应晶体管,截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。导电：在栅源极间加正电压UGS当UGS大于UT时，P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。,图9.5-1功率MOSFET的结构和电气图形符号,功率MOSFET的工作原理,1-66,第五节功率场效应晶体管,(1)静态特性漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。,图9.5-2功率MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性,2）功率MOSFET的基本特性,1-67,第五节功率场效应晶体管,截止区（对应于GTR的截止区）饱和区（对应于GTR的放大区）非饱和区（对应GTR的饱和区）工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。,图9.5-2功率MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性,MOSFET的漏极伏安特性：,漏源电压增加时漏极电流不再增加,饱和,非饱和,漏源电压增加时漏极电流相应增加,1-68,第五节功率场效应晶体管,图9.5-2功率MOSFET的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性,MOSFET的漏极伏安特性：,MOSFET在漏极和源极之间形成一个反向并联的寄生二极管，与MOSFET构成整体，使得在漏、源极间加反向电压时器件导通。,需要保持Vgs的值，以使电流通过，门电流为零，除了开关作用期间的充放电过程。开关时间短（几个ns-几百ns）。源漏极之间的导通电阻为阻断电压的函数。BVDSS（BlockingVoltage）缺点是导通电阻较大。Rds（on）=kBVss，k取决于器件的几何尺寸，正的温度特性。,1-69,第五节功率场效应晶体管,开通过程开通延迟时间td(on):从uP前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的这段时间上升时间tr:uGS从开启电压上升到MOSFET进入非饱和区的栅压uGSP的时间开通时间ton开通延迟时间与上升时间之和,a,）,b,),图9.5-5功率MOSFET的开关过程a)测试电路b)开关过程波形up脉冲信号源，Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流,(2)动态特性,ton=td(on)+tr,1-70,第五节功率场效应晶体管,关断过程关断延迟时间td(off):从脉冲电压up下降到零时，栅极输入电容Cin通过信号源内阻RG(RS)和栅极电阻开始放电，栅极电压uGS按指数曲线下降，下降到uGSP时，漏极电流iD开始减小的这段时间.下降时间tf:Cin继续放电，uGS从继续下降，iD减小，到uSG20V将导致绝缘层击穿。,除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：,(4)极间电容,极间电容CGS、CGD和CDS,1-74,第六节绝缘栅双极晶体管,两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolarTransistorIGBT或IGT）GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。,GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。,1-75,第六节绝缘栅双极晶体管,1)IGBT的结构和工作原理三端器件：栅极G、集电极C和发射极E,图9.6-1IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号,1-76,第六节绝缘栅双极晶体管,图aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。RN为晶体管基区内的调制电阻。,图9.6-1IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a)内部结构断面示意图b)简化等效电路c)电气图形符号,IGBT的结构,1-77,第六节绝缘栅双极晶体管,驱动原理与功率MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。,IGBT的原理,1-78,a,),b,),第六节绝缘栅双极晶体管,2)IGBT的基本特性(1)IGBT的静态特性,图9.6-2IGBT的转移特性和输出特性a)转移特性b)输出特性,转移特性IC与UGE间的关系(开启电压UGE(th),输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。,1-79,第六节绝缘栅双极晶体管,图9.6-4IGBT的开关过程,IGBT的开通过程与MOSFET的相似开通延迟时间td(on):驱动电压uGE前沿上升至幅值的10%到集电极电流iC上升至幅值的10%的时间电流上升时间tr:集电极电流iC从10%ICM上升90%ICM的时间开通时间ton:ton=td(on)+tr,(2)IGBT的动态特性,1-80,第六节绝缘栅双极晶体管,图9.6-4IGBT的开关过程,IGBT的开通过程与MOSFET的相似uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。,(2)IGBT的动态特性,1-81,第六节绝缘栅双极晶体管,图9.6-4IGBT的开关过程,关断延迟时间td(off）:驱动电压uGE后沿下降至幅值的90%到集电极电流iC下降至幅值的90%的时间电流下降时间:集电极电流iC从90%ICM下降至10%ICM的时间关断时间toff:toff=td(off)+tf,IGBT的关断过程,1-82,第六节绝缘栅双极晶体管,图9.6-4IGBT的开关过程,电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。tfi2IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。,IGBT的关断过程,1-83,第六节绝缘栅双极晶体管,图9.6-4IGBT的开关过程,IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电力MOSFET。IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数。高压器件的N基区必须有足够宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长。,1-84,第六节绝缘栅双极晶体管,3)IGBT的主要参数,正常工作温度下允许的最大功耗。,(3)最大集电极功耗PCM,包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。,(2)最大集电极电流,由内部PNP晶体管的击穿电压确定。,(1)最大集射极间电压UCES,1-85,第六节绝缘栅双极晶体管,IGBT的特性和参数特点可以总结如下：,开关速度高，开关损耗小。相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。通态压降比VDMOSFET低。输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。,86,擎住效应（自锁效应）NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。,IGBT的结构a)内部结构断面示意图,第六节绝缘栅双极晶体管,图IGBT的结构a)内部结构断面示意图,正向偏置安全工作区最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定IGBT在导通工作状态的参数极限范围。反向偏置安全工作区最大集电极电流、最大集射极间电压和最大最大允许电压上升率确定IGBT在阻断工作状态的参数极限范围。IGBT与反并联快速二极管封装在一起制成模块，成为逆导器件。,第六节绝缘栅双极晶体管,1-87,1-88,第七节几种新型场控器件,7.1静电感应晶体管SIT7.2静电感应晶闸管SITH7.3MOS控制晶闸管MCT,1-89,7.1静电感应晶体管SIT,多子导电的器件，工作频率与功率MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放