变频器.无功补偿.doc

变频器的基本原理 现在大多数采用的是“交直交”变频图 变频器的基本结构图变频器工作可以分成两个部分：1. 将三相（或单相）交流电整流成直流电，整流过程通过整流桥完成。2. 再把直流电逆变成，频率任意可调的三相交流电变频器整流部分已经很完善啦，而逆变过程还有待研究！单相逆变，由四个开关器件（V1V4）形成桥式电路，两端加直流电压Ud，负载Zl接至两桥臂的中点a和b。首先，（前半周期）令V1和V2导通，V3和V4截止，则这时Zl上的电压位置正。 （后半周期）令V1和V2截止，V3和V4导通，则这时Zl上的电压方向与前半周期相反，所以电压为负。上述的状态能够反复的进行，这样负载Zl上就得到交变的电压，这就是把直流电逆变成交流电的过程。三相逆变桥与单相逆变桥相同，就是三相之间互隔T/3（T是周期）。意思就是V相比U相向滞后T/3，W相比V相滞后T/3，顺序如下：第一个T/6周期：V1,V6,V5导通，V4,V3,V2截止 。第二个T/6周期：V1,V6,V2导通，V4,V3,V5截止。第三个T/6周期：V1,V3,V2导通，V4,V6,V5截止。第四个T/6周期：V4,V3,V2导通，V1,V6,V5截止。第五个T/6周期：V4,V3,V5导通，V1,V6,V2截止。第六个T/6周期：V4,V6,V5导通，V1,V3,V2截止。逆变电路图：其实，“逆变”的过程就是若干个开关器件长时间的开关与关断，持续的提供可变的交流电。简单的介绍一下IGBT。IGBT称为，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动电压驱动式功率半导体器件。IGBT的工作原理： 若在IBGT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻态而使晶体管导通，若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP 晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。 IGBT安全可靠与否取决于：1.IGBT栅极与发射极之间的电压 2.IGBT集电极与发射极之间的电压 3.流过IGBT集电极发射极的电流 4.IGBT的结温 通用变频器的构造1.主回路：包括整流过程，直流过程，逆变部分，制动或回馈环节等部分。无功补偿PWM（脉冲宽度调制）原理：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。冲量：指窄脉冲的面积SVG功能：1，提高线路输电稳定性。2，提高系统电压稳定性。3，补偿系统无功功率，提高功率因数。4，谐波动态补偿，改善电能质量。5，抑制电压波动和闪变。6，抑制三相不平衡技术优势：1，响应速度更快。2，电压波动抑制能力强。3，运行范围更宽。4补偿功能多样化。5，谐波含量极低。6，独特的防爆结构设计，体积小。SVG并联到电网上相当于一个无功电流源，其无功电流随负荷的无功电流变化而变化，自动补偿系统所需要的无功。响应时间：从系统负载电流发生变化到静止无功发生器输出电流跟踪上这种变化、补偿效果满足设计要求之间的时间。补偿电流 ：发生器工作时流过主回路的电