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文档简介

1/17,MiNaMaterialandMachiningLab創新的玻璃輔助二氧化碳雷射對矽的加工技術指導教授:鍾震桂副教授報告人:蕭恩柔作者:林士隆、蕭恩柔、吳孟諭國立成功大學機械學系暨研究所研究生GraduateStudent,DeptofMechanicalEngineering,NCKUTel:06-2757575ext.62159-10,E-mail:.tw,2/17,SiliconhavebeenwidelyusedintheapplicationofICChip,solarenergyopto-electronics,etc,ICChip,SiIndustryandProducts,SolarCell,SiliconWafer,3/17,Application:wafercodename,batchnumber,thetypeoftheproducts,trademark,madedate.,SiIndustryandProducts,4/17,ApplicationinourLife,3CProducts,5/17,Wear,TraditionalSiliconCuttingandMarking,Disadvantage:1.Fractureedgeatrandom2.Powderandchip3.Apttoinjurehands4.Noteasytocontrol,6/17,CommercialSiliconCuttingbyDiamondWheel,Disadvantage:1.Fractureedgeatrandom2.Powderandchip3.Unabletocutspecialform4.Diamondwheelwear5.Needusingwaterandtape,7/17,Nd:YAGLaserExcimerLaserFemtosecondLaserDisadvantage:1.Expensive2.Needmask,Cuttingofthinsiliconwafer,CommercialSiliconCuttingbyShortWavelengthLaser,NoCO2laserforSietching/drilling/cutting,8/17,專利名稱:避免產生潑濺碎片之晶圓標號製作方法專利公告號:359885專利公告日期:2005.5.27申請人名稱:台灣積體電路製造股份有限公司,PatentMethodofSiWaferMarking,9/17,OurNovelApproachforSiMicromachining,LaserDrilling,LaserEtching,Patentpending,10passes,40passes,10/17,HeartSharpCutting,“Heart”typecutting,11/17,CuttingofSiWafer,4”Siliconwafercutting,Patentpending,12/17,SiMarkingbyCO2Laser,“NCKU”marking,(a),(b),Patentpending,13/17,創意歷程,創意歷程:作者創意源起於CO2雷射對矽晶圓與玻璃的接合技術。優缺點:優點:快速、便宜、低成本、低能量功率、不需光罩輔助,就可完成矽晶圓切割、加工與刻印等目的。沒有傳統鑽石輪刀刀具磨損和晶片易破裂問題,也不需昂貴的短波長Nd:YAG或UV-laser等設備。缺點:接合的密緊度與加工的品質有很大的關係。切割與鑽孔的解析度在100um左右,若要更小必須更換雷射鏡組。,14/17,Hightechnologyindustry:IC,Microelectronics,Package,Solarenergyopto-electronics,OptoelectronicandMEMSdevices.InterestofIndustry:台積電、日月光、力晶、茂迪、旗勝、益通、聯電、茂德、南科、華邦電、飛信、景碩等。,ApplicationMarket,15/17,ThewavelengthofCO2laseris10.64umandnotabsorbedbysiliconmaterial.weputasilicononthetopoftheglassmaterialormetal-coatedsubstrate,CO2lasercancutormarkthesiliconwafer.2.IncomparisonwithconventionalNd:YAGorexcimerlaserordiamondwheelforsiliconcutting,CO2lasermachinedSitechnologyisaeasy,fast,lowcost,lowpower,nopowderandchip,nonecessaryphotolithographyandmaskSicutting/drilling:OtherCO2LaserProcessingCuta4”Siwaferhasbeensuccessfuldemonstrated.EtchthroughSiwafertobeaholepatternandaheart-shapedhollow.4.Wecouldmarkontoporbacksideofsiliconwafer.,Summary,16/17,LaserRelatedPatentList,鍾震桂、林育全,“切割脆性材料之方法及裝置”,台灣發明第250911號,2006/03-2024/12。CKChung,andYCLin,“Methodandapparatusformachiningabrittlematerial”,TW250911,2006/03-2024/12.鍾震桂、吳孟諭、蕭恩柔,“加工硬脆材料之方法”審查中CKChung,MYWuandEJHsiao,“Methodformachiningabrittlematerial”,patentfiled.鍾震桂、吳孟諭、宋雲傑,“矽晶圓之切割和加工方法”審查中CKChung,MYWuandYCSung,“Methodofcuttingandprocessingasiliconwafer”,patentfiled.鍾震桂、吳孟諭、蕭恩柔,“表面上具有標記之矽材料及其形成方法”審查中CKChung,MYWuandEJ

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