ArF准分子激光合成石英玻璃基板的研究及制作方法.doc

ArF准分子激光合成石英玻璃基板的研究及制作方法摘要：本发明涉及的合成石英玻璃基板可以使用准分子激光传输，特别是ArF准分子激光。通过控制玻璃基板中影响激光传输的羟基和氢分子的浓度等因素，使得准分子激光在该合成石英玻璃基板中的传输具有高传输，传输均匀性，低双折射，最小化的变化或面内均匀透光。这种合成玻璃基板特别适合用作光罩、ArF浸入式光刻或类似的光掩膜。一、 背景介绍曝光是芯片制造中最关键的制造工艺，为了提高分辨率，光学曝光机使用的光辐射波长不断缩小，从436nm、365nm的近紫外(NUV)进入到248mm、193nm的深紫外(DUV)。248nm的KrF准分子激光，目前的极限只可解决0.13m曝光。而193nm的ArF准分子激光光刻可将特征线宽推进到0.10m。据报道，193nm光刻机系统中需要80片左右的光学镜片，若每个镜片的透过率为98，则整个系统的最后输出能量为输入能量的1986。由此可知系统中光学元器件表面所镀光学薄膜的好坏将直接影响整个光刻的质量。薄膜元件对光学系统的效率起着重大的或者决定性的作用，高性能、高质量的光学镀膜技术及相应的检测技术成为光刻机项目首先需要解决的关键技术之一1。在VLSI电路中更高的集成度使得曝光模式有越来越小线宽。这造就了，在半导体晶片电路图上，需要一个曝光光源较短的波长在平版印刷系统或步进机上用来书写。以前光刻步进机的选择光源是i线（波长365nm），已经在很大程度上被KrF准分子激光（248nm）取代，并且现在的ArF准分子激光器（193nm）已经开始应用到工业。同时可以提供更高的NA，浸没式光刻技术正在测试阶段。 同步发展更短的光源波长和增加NA的镜头，存在着不仅需要在曝光工具中使用的有更高精度的光学组件（例如镜片，窗口，棱镜），而且在光掩模形成合成石英玻璃子状态，如光罩，集成电路。至于ArF准分子激光，仍有许多重要问题未得到解决，包括在作为光学元件的情况下高紫外线光传输和高传输均匀性，以及准分子激光辐射传输的稳定性和一致性，并决定未来的曝光系统的小的平面双折射，例如使用偏光照明2。 制造合成石英玻璃基板首先要得到合成石英玻璃锭，而制造合成石英玻璃锭有两个常用的工序。在直接的工序中，形成二氧化硅的原料是通过火焰水解的，通过融化和沉积影响生长来形成二氧化硅细颗粒。在烟尘工序中，形成二氧化硅的原料也是火焰水解，通过沉积效应影响生长来形成二氧化硅细颗粒，后来得到透明玻璃。在这些工序中，通常采取措施以避免金属杂质的掺入，这可能会导致紫外吸收。在直接的工序中，例如高纯度的硅烷或有机硅化合物的蒸气，通常四氯化硅是直接引入到氢氧焰的。它是受到火焰水解形成二氧化硅细颗粒，直接存放在一个旋转的热石英玻璃或类似容器里，在这里融化并且玻璃化成透明的合成石英玻璃。用这种方式制备的透明合成石英玻璃，即使在短波区域下降到约190nm，仍具有良好的传输。因此，被作为紫外激光辐射的透射材料来使用，特别是i线，准分子激光光束，如KRF（248nm），XeCl（308nm），XeBr（282nm），XEF（351nm，353nm）和ArF（193nm），和4倍谐波的YAG（250nm）。 最重要的紫外线传输是波长193.4nm的ArF准分子激光的光传输。石英玻璃的透射光波长区域随杂质含量上升而减小。典型的杂质，包括碱金属如Na，和其他金属元素如Cu和Fe。如果用来生产合成石英玻璃的最初原料硅烷或硅氧烷具有很高的纯度，这些金属杂质在石英玻璃中的浓度可以降低到低于高灵敏度探测器的检测水平（1ppb）。然而，由于钠和铜在合成石英玻璃中扩散系数比较高，来自外部的这些杂质往往能在热处理过程中扩散和混合。必须特别注意采取措施，以避免在这些处理操作过程中的污染。除了上面讨论的杂质，已知的合成石英玻璃中存在的固有缺陷，也对传输有影响。固有缺陷的特点是合成石英玻璃Si - O - Si结构中过多或过少的氧气。我们熟知的例子包括氧气不足的缺陷（Si - Si，在245nm的吸收）和氧气盈余缺陷的（Si - O - O -Si，在177nm的吸收）。然而，这样的缺陷，至少可以用分光光度法测量到，一开始就排除这样的合成石英玻璃在紫外线中应用。令人关注的是更加微小的缺陷，如过度拉伸或压缩的Si - O - Si键的Si - O - Si键角的变化超出稳定的范围。这种微小的缺陷造成的波长200nm或者更短的紫外线地区分钟吸收。有人认为，这些缺陷是由合成石英玻璃制造过程中涉及的一些因素导致。例如上面所描述的，在直接的工序中，从生长平面的垂直方向上分析，合成石英玻璃锭中心和外围部分之间的传输有细微的差别，通常是差别约为波长193.4nm的ArF准分子激光的0.5。这种传输差异被认为是由于在二氧化硅增长/融合面的温度分布不同引起的。有人认为，由于外围部分比在中央部分有较低的表面温度，外围部分假设存在一种微小的不稳定结构，就会导致具有较低的紫外线传输。为了消除这种不稳定的结构，JP-A7-61823公开了一种方法，在直接工序中以每小时2mm或低于2mm的增长速度进行石英玻璃产生。这种方法虽然能够行得通，但其生长速度很慢，带来昂贵的生产力和经济问题。 日本专利2762188披露，提高合成石英玻璃锭的紫外线传输的有效方法，是由于在热处理过程中合成石英玻璃锭的污染而导致对波长200nm或者更短的光的吸收，可以通过紫外线辐射照射消除，其中紫外线波长在150300nm，波长在180255nm更好。和紫外透射一样，合成石英玻璃的稳定性对准分子激光照射也很重要。稳定是一个非常重要的因素，特别是在ArF准分子激光，因为据报道，ArF准分子激光是KrF准分子激光造成的损伤5倍以上。 当合成石英玻璃被ArF准分子激光照射时，会产生一个现象是在非常强烈的激光能量作用下Si - O - Si键进行裂解，形成吸收215nm光、俗称色心的顺磁缺陷现象。这会对合成石英玻璃带来波长193.4nm光的传输损失。还有另一种众所周知现象，俗称为“激光压缩”，出现石英玻璃网络结构的重排，增加了玻璃的密度3。据悉，降低石英玻璃的固有缺陷和在一定水平以上稳定氢分子的浓度都能很有效的提高合成石英玻璃激光照射的稳定性。事实上，自从在JP-A1-212247发表以后，氢分子在石英玻璃抑制准分子激光照射对玻璃的破坏是众所周知的艺术，并一直受到积极研究。 关于氢分子，在JP-A7-43891中披露，特别是在高脉冲能量水平为100mJ/cm2ArF准分子激光加速辐照试验时，如果存在更多的氢分子，在最初的照射阶段对波长为193.4nm的吸收增加，但随着持续较长期的照射就会减少。相反，如果存在较少的氢分子，在最初的照射阶段在193.4nm处的吸收是弱，但随着持续较长期的照射就会增加。因此，有必要适当控制合成石英玻璃中氢分子的浓度。然而直接工序的目的是追求生产力或用于提高产量，就避免不了一些制备的合成石英玻璃锭含有更多的氢分子。这是因为相对于氧气的化学计量存在过量氢的工艺条件。这些锭从而容易增加ArF准分子激光辐射照射的初始吸收。 有两种方式可以使氢分子在合成石英玻璃中保持的适当水平。一种方法是通过适当调整氢气、丙烷和在石英玻璃锭的增长过程中用作助燃气体的氧气的比例，从而在不断增加的锭中引入氢分子。这种方法允许合成石英玻璃锭中的氢分子浓度在ll0172l019 分子/cm3范围内调整4。另一种方法是在氢气气氛中对合成石英玻璃体进行热处理，使热扩散的氢分子进入玻璃体内。这种方法的优点是可以严格控制的氢分子的浓度。同时，它也有一些重大缺陷。具体来说，需要有一个安全措施，避免灾难性的爆炸，因为它使用的是氢气。热处理可以使杂质扩散到石英玻璃体中。这些问题可以通过使用普通的安全措施解决，如高纯度碳材料等。关于当前关注用光学成员的ArF准分子激光，是因为它能通过由密度和双折射的变化而引起折射率的变化，能压缩和稀疏玻璃，和它在进行激光照射时实际的能量水平和实际拍摄数目。这些现象被认为取决于玻璃中羟基（OH）的浓度。限制或避免这些现象的解决办法，是减少玻璃中羟基的浓度。众所周知，在制造的烟尘过程中很容易减少羟基浓度。出于这个原因，烟尘的过程是另加的过程而不是直接的过程。 当前在实际使用ArF准分子激光中最关注的，例如，初始吸收的抑制和结构性因素，包括在激光照射后合成石英玻璃基板的内表面双折射的均匀性5。二、本发明披露本发明的目的是提供一种人工合成的石英玻璃基板，它有着高水准、均匀的紫外线传输，其在准分子激光照射下保持稳定性与均匀性，和高的光学均匀性。在准分子激光光刻技术中适合使用准分子激光器传输，特别是作为合成石英玻璃基板来形成光掩模，也被称作光罩。另一个目的是提供一个制备的方法。 人们已经发现，一个通过烟尘过程的气相沉积法合成石英玻璃锭，在17001900热塑成型，形成想要的形状块；然后在10001300下退火；切成预定厚度的合成石英玻璃基板；并进行抛光；在大气压或者高于大气压下；把基板置于氢气氛中，并200500下保温一段时间进行热处理，然后进行切割，其质量会有所提高。具体来说，所产生的合成石英玻璃基板满足下文提出的（1）到（3）的性质，并且适合使用准分子激光，特别是ArF准分子激光光刻，作为一种由合成石英玻璃基质形成的光罩，它具有优良的传输。 因此，本发明提供了一种可以使用准分子激光的合成石英玻璃基板以及制备的方法。 一方面，本发明提供可以使用准分子激光的合成石英玻璃基板有(1) 羟基的浓度为 1100ppm和氢分子的浓度ll016l019个分子/cm3；（2）在波长为193.4nm的内部传输变化，最高达0.2；（3）在优选的措施下，ArF准分子激光以每个脉冲10mJ/cm2的能量密度以及2106脉冲的冲击辐射到基板表面，基板经历了一个最高达0.5的传输速度的改变。在另一优选措施下，基板有一个最大可以达到2nm/cm的平面内双折射。 另一个方面，本发明提供了一种制备可以使用准分子激光的合成石英玻璃基板的方法，包括步骤（1）在17001900C温度范围中，通过烟尘工序的VAD型生产热成型合成石英玻璃锭得到想要的形状；（2）在10001300进行退火；（3）按预定厚度切成合成石英玻璃基板；（4）基板的热处理是在氢气氛，高于大气压力，温度范围为200500C条件下进行的。在优选的实施，基板切片的厚度可达20mm。基板热处理的时间，最好在10200小时。三、发明的优点本发明的合成石英玻璃基板具有很高的传输和均匀的平面分布传输。它们在准分子激光照射作用下不会受到恶化，密度也不变化。它们适合使用准分子激光，特别是ArF准分子激光，甚至合成石英玻璃基板可以做光掩膜，ArF浸入式光刻中的光罩等7。四、首选实施例说明 发明的合成石英玻璃基板满足的功能，包括：（一）羟基（OH）的浓度为1100ppm和氢气分子的浓度为1l0161l019分子/cm3 ；（二）在波长为193.4nm的内部传输，其平面内的变化，最高只达0.2；（三）波长为193.4nm时至少有99.6的内部传输。具体来说，本发明可以使用准分子激光的合成石英玻璃基板应该具备氢分子浓度的1101611019分子/ cm3，最好是5101651017 分子/cm3。当合成石英玻璃基板的氢分子浓度低于11016分子/cm3 时，可以有效地抑制ArF准分子激光照射后的初始吸收的发生，但允许在长期照射过程吸收的增加。当氢分子浓度超过11019分子/cm3时，不利于生产和成本。在传输波长为193.4nm的激光时，合成石英玻璃基板应该会有内部传输等于或小于0.2的平面内变化，最好等于或小于0.1。如果一个基板具有大量传输分配使用，为一个光罩光学中的一个步进设计的高集成化等问题，曝光的晶片可能不平衡。这是真实的，特别是使用偏光照明的先进ArF浸入式步进机。因此，在基板表面有一个尽可能统一的传输分配是首选。同样，合成石英玻璃基板应该有一个至少99.6的内部传输，最好至少为波长193.4nm的99.7。例如，如果用一个具有较低的内部传输的石英玻璃基板作光罩时，当基板传播ArF准分子激光时就会吸收光能量。随着光能量转换成热能，就会使合成石英玻璃的密度发生变化，甚至折射率也会变。内部传输低于99的合成石英玻璃基板作为在使用ArF准分子激光作为光源曝光系统中光罩的例子中，光罩的折射率的变化会引起平面图像失真这样的失败。在一个合成石英玻璃基板中，当ArF准分子激光以每脉冲10mJ/cm2的能量密度和2l06脉冲，发出辐射到合成石英玻璃基板的面时，合成石英玻璃基板经历了一个传播等于或小于0.5%范围的变化，最好等于或小于0.3，更最好等于或小于0.2的变化。这种传输变化是由ArF准分子激光辐射，以每脉冲10mJ/cm2的能量密度和2l06脉冲数，照射到合成石英玻璃基板上,决定波长为215nm光的吸收变化，由此计算在波长为193.4nm传输的变化。当合成石英玻璃基板的氢分子浓度调整达到稳定的上述指定范围内时，能够大幅抑制准分子激光照射对传输的改变。 在另一个首选的体现，合成石英玻璃基板的平面双折射分布，外围部分比中央部分更高，并提供的共面双折射率有最大值等于或小于2nm/cm，尤其是等于或小于1nm/cm。 对热成型后的合成石英玻璃块进行退火，消除任何遗留的热应变，然后冷却，在冷却过程中合成石英玻璃基板的双折射，在中心和外围部分之间存在不同的冷却速率。由于外围部分的冷却速度比中心部分的高，基板的双折射分布中，外围部分的较高。本发明的合成石英玻璃基板的羟基含量应该1100ppm，最好是1050ppm。如果羟基含量小于1ppm，沉积粉尘的玻璃化变成成透明玻璃，需要用氦气或类似的气体进行前脱水处理，从运作和成本的角度，这是不受欢迎的。如果羟基含量超过100ppm，基板可能会失去对准分子激光辐射的抵抗。对于限制基板的密度变化和实现基板平面内密度均匀，基材平面内最大和最小的羟基含量之间的差异，最好应尽可能小，并最好约等于或小于40ppm。 本发明的合成石英玻璃基板可以按照其应用选择适当的形状。最经常使用的基板是长方形的板形。基板的尺寸不是有特别限制的，虽然是典型的尺寸6英寸见方，厚度为6.35mm。下一步，本发明合成石英玻璃基板的制备方法通过把形成二氧化硅的原料供应到氢氧火焰来初步生产合成石英玻璃锭，使它在火焰中气相水解或氧化分解形成二氧化硅微粒，然后沉积二氧化硅微粒形成烧结灰体，在高温炉里加热烟尘体使其熔化和玻璃化为锭。这个过程一般称为烟尘过程，特别是气相轴向沉积（VAD）过程。在这个过程中所使用的二氧化硅形成原料，包括有机硅化合物。以下首选的例子包括硅烷化合物的一般公式（1）和（2）和硅氧烷化合物的一般公式（3）和（4）， RnSiX4-n （1）其中，R是氢或单价脂肪烃组，X为卤素原子或烷氧基，n是0到4的整数。 (R1)n Si(OR2)4-n （2）其中，R1和R2是每个独立的单价脂肪烃组，n是一个整数，0到3。 (3) (4)在这里，R3是氢或单价脂肪烃组，M是一个至少为1的整数，特别等于1或2，p是一个3至5的整数。 举例说明单价脂肪族烃R，R1，R2和R3代表的群体包括C1 - 4烷基，如甲基，乙基，丙基，N -丁基，叔丁基； C3 - 6环烷基，如环己组；和C2如乙烯基和烯丙基-4烯组。 适合公式（1）和（2）硅烷化合物的例子包括SiCl4，CH3SiCl3，Si(OCH3)4， Si(OCH2CH3)4和CH3Si(OCH3)3。适合公式（3）或（4）硅氧烷化合物的例子包括六甲基二硅氧烷，六甲基环三硅氧烷，八甲基环四硅氧烷和十甲基环五硅氧烷。一个形成氢氧焰的石英燃烧器提供与硅烷或硅氧烷化合物的起始原料，可燃气体如氢气，一氧化碳，甲烷或丙烷，和助燃气体如氧气。因为通常情况下，所接收的填料包括硅烷化合物，可燃气体（例如氢），和助燃气体（例如氧气）的燃烧器可能是多个同心管燃烧器，通常四或六管燃烧器。生产二氧化硅烟灰体具有密度尽量均匀，燃烧器最好应多管式建筑，能够形成一个使硅烟尘沉积面全面加热、大的氢氧焰。该仪器用于生产合成石英粉尘体可能有一个纵向或横向施工建设。为了均匀减少玻璃OH含量，硅石烟尘身体最好有容重范围在0.30.7g/cm3，最好是0.40.6 g/cm3，体积密度指数为烧结程度的二氧化硅烟灰体。需要指出的是玻璃中的OH含量很大程度上取决于对的二氧化硅烟灰体的玻璃化处理。玻璃化处理，可以从区域熔炼炉和真空熔炼炉选一个使用，这些炉通常用于玻璃化光纤预制。在首选的实施，旨在减少OH含量，该炉疏散到等于或小于约1Pa的真空，温度应保持在10001200C至少10小时，最好是1030小时，然后用至少5小时，最好是520小时，提高到13001600C温度范围，并在该温度保持约15小时。这样就得到了一个理想的透明石英玻璃。 从如上所述的生产合成石英玻璃锭可以看出，合成石英玻璃基板是通过产生的步骤（1）在17001900C温度范围锭块热成型，（2）在10001300C温度范围退火，（3）把块按预定厚度切成合成石英玻璃基板，和（5）把作衬底的切片抛光。本发明的方法还包括以下步骤：（4）在氢气氛或高于大气压力，温度范围在200500C之间作衬底的切片进行热处理，据此，生产所需的合成石英玻璃基板。 具体来说，以上合成石英玻璃锭的准备工作是用外圆磨床之类去除就此沉积的杂质和亚表面气泡，在氢氟酸水溶液中浸泡腐蚀掉表面上的污染物，然后用水彻底冲洗离子，在一个干净的容器里干燥。然后通过热成型得到所需的形状。大多数情况下，把合成石英玻璃锭放置在高纯度碳材料的模具里或在充满惰性气体（如氩气）的真空熔炼炉中进行，有轻微负压，温度范围在17001900C，时间30120分钟。这样，圆柱锭被转换成一个棱柱形的合成石英玻璃块。消除热应力应变，对热成型块进行退火。具体来说，在常压炉里，空气或惰性气体气氛中，块在10001300C温度范围至少保持5个小时，然后用几个小时或更多慢慢冷却，特别是约10200小时，约为应变点温度。退火可以有效的把合成石英玻璃块内的双折射抑制至20nm/cm或以下。例如，通过调整最高温度，冷却速度，直到应变点共识，和温度的电源关闭。退火后的合成石英玻璃块通过磨床把每个表面磨平整，其中每一对对应的表面平行。然后切成块基板和沿每边倒角。在把合成石英玻璃切为基板时，基板最好厚度等于或小于20mm。如果基板厚度不是特别必要设置下限的，通常至少2mm。如果基板片的厚度超过20mm，它可能需要一些时间来氢分子作涂料底物。例如，目前主要的合成石英玻璃基板作为IC光罩使用通常有6平方英寸大小、厚度为6.35mm。这种规模的合成石英玻璃基板的尺寸是一般厚度至少100mm。如果氢分子的浓度进行了调整，在合成石英玻璃的热形块，在氢气氛或高于大气压力和温度500C至少0.5个月将仍不足以达到理想的氢分子的浓度范围。从生产力的角度来看，这是一个很大的缺点。这是因为氢分子的扩散和迁移是一个合成石英玻璃块尺寸。合成石英基片的氢处理通常是在一个具有衬净化保温材料的炉内进行的，放置其中的叠片均有一个可达20mm基板厚度，炉内气氛的温度设置范围为200500C，最好是300400C，用氮气吹扫炉膛，设置炉内氢气浓度为20100%，内部的压力等于或大于大气压力，特别是0.20.9 MPa，基板在这些条件下保持10200小时，从而形成氢分子引入的基板。这些参数可以选择根据所需的氢分子在基板的浓度进行调整。 可以理解的是，处理温度低于200C导致氢扩散到石英玻璃的效率很低。肯定需要一个较长的处理时间，直到达到所需的氢分子的浓度。从生产力的角度来看，这是不利的。如果处理温度高于500C就会引起一些问题，包括增加ArF准分子激光照射后的初始吸收和引起切片的基材双折射增加。使用普通高温炉有一个炉杂质扩散到玻璃的危险。特别是，当想要得到合成石英玻璃基板的理想最大双折射率小于或等于1nn/cm，把合成石英玻璃块放置在一个已处理和清洗过的圆柱形石英管在常压炉进行退火，用合成石英盖封闭圆柱形石英管的顶部和底部，温度范围设置为11001300C，时间524小时，最好是512小时，然后以135C/小时的冷却速度，冷却到温度为200600C。 基板经过氢化处理，然后再经过一个传统的加工工艺，包括研磨，抛光和抛光，最终获得我们要的使用准分子激光技术合成石英玻璃基板。这样完成的合成石英玻璃基板是很有用的，例如，作为合成石英玻璃基板上形成光掩膜，称为光罩，用在IC电路基板制造的光刻机中。五、实例与比较实例合成石英玻璃是通过向石英炉加入3000 g/hr的甲基三氯硅烷产生的，这种炉子产生的火焰是由10 Nm3/hr的氧和8 Nm3/hr的氢所形成的，以使硅烷氧化或使其燃烧分解而成细晶二氧化硅，然后使硅烷微粒在一个旋转的石英靶材上沉淀形成粉末状的沉淀物。粉末状沉淀物在电熔炉中融化进而转变形成透明玻璃。在粉体沉淀中，原料（或者甲基三氯硅烷）以恒定的小时流速供给，同时炉子环境及氧氢气体通过炉子喷嘴流速比平衡的调整都是为了保证硅烷沉淀/增长面的形状不变。然后把硅烷粉末体15放在电炉16中，以使其在真空或氩气或其他惰性气体中在1000C. 到 1600C温度范围内热处理，形成透明的合成石英玻璃块，直径150 mm，长600 mm。合成石英玻璃块的表面在一个圆柱研磨机上研磨。为使表面清洁，把铸锭浸泡在含50 wt %氢氟酸的溶液中浸泡5小时，用去离子水清洗，然后在干净的密闭容器里干燥。如同表面洁净处理一样把合成石英玻璃块放在处于真空熔炉中有预定形状的碳模里，将它在氩气中以1780C保温加热40 分钟，热变形为合成石英玻璃砖。将玻璃砖在1200C退火2小时，在1000C以2C./hr的速率冷却。此时，该棱柱形玻璃砖的外形尺寸为160 mmxl60 mmx200 mm，该砖的氢分子聚集上限为lxlO16 分子/cm3。在表面研磨处理后，该合成石英玻璃砖被斜切成约7mm厚的层片。将25个斜切下来的石英玻璃层堆垛放置在一个直径为240mm的圆柱形的石英管中，该石英管已在原子炉中经过净化热处理，其底部和顶部是用合成石英盖来密封的。合成石英玻璃层是再表1所示的条件下进行的处理的，以使他们能覆盖上氢。之后，合成石英玻璃以普通方式浸泡并磨光，形成有代表性尺寸的合成石英玻璃层，面积6英尺厚度6.35mm。从合成石英玻璃层中切出一个10 mmx6.35 mmx90 mm的样品。样品的四个表面（两个10x90 mm面和两个6.35x90 mm面）被抛光。针对氢聚和波长为215 nm时通过著名技术ArF分子激光照射的吸光率对该样品进行了测量。另外从玻璃块中切下一个边长为30mm的正方形样品，测试波长在193.4 nm 到30 mm之间的光在边长为30mm的正方形表面的传播。同时，测量在层面里的散射。表1为氢化处理条件和ArF分子激光性能。包括供参考的日本专利申请2006-242535号。以上的讲解可能还要做许多修改和变动，尽管一些更好的实施方案已经被提出。因此可以这么理解：这个发明可能投入实施否则就如同没有违背了附属声明的详细描述。发明的声明如下：制作合成石英玻璃层以供受激准分子激光器使用的方法包括以下步骤：获得合成石英玻璃锭，该玻璃是使用VAD粉末工艺制成的，合成温度在1000C到1200C保持至少10个小时，然后把温度升高到1300C到1600C范围持续至少5小时，使铸锭在该温度下保温1到5小时；使铸锭在1700C到1900C范围内热成型为预设的形状的块状；使铸锭在1000C到1300C范围内退火；把合成石英玻璃斜切成预设的厚度；对切好的层块在氢气中热处理语段时间，压力为大气压或高于大气压，温度在200C到500C范围；按照1中的方法所得层块的厚度为20mm。按照1中的方法对层块的热处理时间为10到200小时。按照1中的步骤（1）的方法气压控制在1 Pa或者低于1 Pa。制作合成石英玻璃层以供受激准分子激光器使用的方法包括以下步骤：（1）获得合成石英玻璃锭，该玻璃是使用VAD粉末工艺制成的，合成温度在1000C到1200C保持至少10个小时，然后把温度升