硅微工艺湿法刻蚀常见材料刻蚀剂和刻蚀速率.doc

各种材料的腐蚀剂和腐蚀速率材料腐蚀剂腐蚀速率SiHF+HNO3+H2O最大490um/minSiO2NH4F 150gHF(40%) 70mLH2O 150mL23时0.1m/minSi3N449% HF 2385% H3PO4 15585% H3PO4 180LPCVDPECVD8.0nm/min1.5nm/min12.0nm/min150.0-300.0nm/min10.0-20.0nm/min60.0-100.0nm/min多晶硅HF 6mLHNO3 100mLH2O 40mL800nm/min，边缘平整HF 1mLHNO3 26mLCH3COOH 33mL150nm/min铝HCl 1mLH2O 2mL80，细线H3PO4 4mLHNO3 1mLCH3COOH 4mLH2O 1mL35nm/min，细线，腐蚀GaAsK2Br4O7 0.1MKOH 0.51MK3Fe(CN)6 0.6M1um/min，腐蚀时无气体溢出H3PO4 16-19mLHNO3 1mLH2O 0-4mL150.0-250.0nm/min，腐蚀GaAs金HCl 3mLHNO3 1mL25-50um/minKI 4gI2 1gH2O 40mL0.5-1um/min银NH4OH 1mLH2O2 1mLCH3OH 4mL360.0nm/min，腐蚀后快速清洗铜H2O 70mL+FeCl3 30g，507um/min铬HCl 1mL甘油 1mL80.0nm/minHCl 1mL饱和CeSO4 9mL80.0nm/min(NaOH 1g+H2O 2mL) 1mL(K3Fe(CN)6 1g+H2O 3mL) 3mL25.0-100.0nm/min钼H3PO4 5mLHNO3 3mLH2O 2mL抛光腐蚀K3Fe(CN)6 11gKOH 10gH2O 150mL1um/min钨KH2PO4 34gKOH 13.4gK3Fe(CN)6 33g用水稀释至1L160.0nm/min铂HCl 3mLHNO3 1mL20um/min，腐蚀之前在HF中浸泡30SHCl 7mLHNO3 1mLH2O 8mL40.0-50.0nm/min, 85钯HCl 1mLHNO3 10mLCH3COOH 10mLKI 4gI2 1gH2O 40mL100.0nm/min硅常见各向异性刻蚀刻蚀剂/稀释剂/添加剂/温度刻蚀速率（100）/mm/min刻蚀速率比（100）/（111）掩膜材料刻蚀速率刻蚀终止特性备注KOH/水/异丙醇/851.4400，（110）/（111）是60Si3N4几乎不刻蚀SiO2 28/min掺杂浓度1020cm-3时，刻蚀速率降低到1/20与IC不兼容，对氧化层腐蚀过快，大量H2气泡邻苯二酚，乙二胺，水（EDP）/Pyrazine/1151.2535Si3N41 /minSiO2 2-5/min掺杂浓度5X1010cm-3时，刻蚀速率降低到1/50有毒性，易失效，需与氧气隔离，很少氢气，硅酸盐沉淀四甲基氢氧化氨（TMAH）/水/901.012.5-50S