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电子基础第一节 电路图图解方法一、看图纸、看标题电器产品电路的特点，是以元器件图形符号代替实物，以实线来表示导线电气连接，接电路的原理进行绘制的。通常，在看到图纸时，我们应该已经知道面对的是什么产品，或者哪部分电路了。如果并不清楚所看的电路的概况，应该首先看图标的标题，做到心中有数。根据标题内容和电路知识，便可以对产品电路功能、结构、原理建立大致轮廓的印象，为进了步解读电路打下了基础。方法技巧：在知道是什么产品电路，而不知道从哪部分下手时，我们可以先找到表示电路结构的方框图，对照分析后得出结论，也可以从主元件入手，或者有代表性的集成电路型号，一般就能知道它是中放电路、功放电路还是控制电路。二、看元件、看构成看电路结构，我们必须要对一些元件的原理图符号要十分的清楚，不然的话便会无从下手！另外，我们还要知道每一个元件是什么用，比如：三极管，它是工作在哪个状态，是放在，是截止，还是饱和呢？我们还要知道每个模块相互连接的关系。三、看电路、看结构解读电路原理需要用到很多电路的专业知识，而在绘制电路原理图的时候，也必须要根据电路的工作原理，科学简捷地安排元器件。所以，我们看电路的时候，也可以根据这样技巧来看电路。做到有的放矢。另外，我们看一个基本电路的连接时，我们必须要找出来它的信号输入和信号输出在哪里。对于多级放大电路，不要了解它们的耦合方式和耦合元件。四、解读全电路功能了解各单元电路和连接方式后，就能进一步分析电路细节，进而完全解读全电路。电路整体功能的解读，需要较全面的单元电路知识，也需要对整机电路原理有深入的了解。第二节 电子元器件知识一、电阻特性：在电路中用作负载电阻、分流器、分压器，与电容配合作滤波器；在电源中作去耦电阻；确定晶体管工作点的偏置电阻；稳压电源中的取样电阻。在电路中用字母“R”加数字表示，如：R52表示编号为52的电阻。1-1、电阻的分类（以安装方式分）：(1)插件电阻 立式电阻 卧式电阻注意事项：电阻无极性，但立式电阻有方向性,装插时应注意可调电阻 金属皮膜电阻碳膜电阻 排阻（2）贴片电阻： 以尺寸大小分为：0402，0603，0805，1206等。0402 = 英制单位术语 , 意即 长度(L) 0.4英吋 * 宽度(W) 0.2英吋（“”表示英寸）0603=0.6*0.30805=0.8*0.51206=1.2*0.6但近年全球使用公制单位的国家,越来越多,也因此开始有了以下之公制1005=1.0mm *0.5mm=0.4* 0.21608=1.6mm *0.8mm=0.6* 0.32125=2mm*1.25mm=0.8*0.53216=3.2mm*1.6mm=1.2* 0.61-2、电阻的分类（以元件性能分）：（1）热敏电阻（THERMISTOR） 热敏电阻属于安规零件，作用是吸收浪涌电流，起到保护作用。本体一般都有：系列、电流、阻值等标示，以为勤热敏电阻为例： 误差：15%（L等级）；20%（M等级）热敏电阻分类：负温度系数热敏电阻（NTC）和正温度系数热敏电阻（PTC），SPS电源中一般使用负温度系数热敏电阻（NTC）。负温度系数热敏电阻（NTC）特性：温度越高，阻值越小。正温度系数热敏电阻（PTC）特性： 温度越高，阻值越大。制造商有：（TKS）为勤；（CNR/CENTRA）舜全。(2)压敏电阻（VARISTOR） 压敏电阻本体都有系列本体尺寸电压直接标于本体，以为勤为例子： （3）固定电阻 在电子线路中对电流起阻碍作用的电子组件，代号为 “R”，是RESISTOR之第一个字母。通常所说的电阻指固定电阻，它是电子线路中使用最多的电子组件。特性：阻碍电流作用：分压，限流R R符号：或标示：阻值：色环标示（请参考 3、阻值的标示方法）外被颜色 功率表示法（在电路中）： 尺寸：（功率俞大，尺寸俞大） 实际应用：1M=1000K=1000000在电路中的作用是分压，限流.连接方式与计算公式：R=U/I 按用途分类：分为光敏电阻，热敏电阻，压敏电阻，可变电阻（VR）(4)其它电阻类：除了固定电阻外还有以下电阻：涂装绝缘型绕线电阻（KNP）、涂装绝缘型绕无感电阻（NKNP）、耐冲击电压电阻（SCF）、水泥电阻、电力型法郎绕线电阻、厚膜排阻电阻器欧。 (5)芯片电阻 英文：CHIP RESISTOR标示：本体上只有标示电阻值：0/000=0；121=120；472=4700。误差：J=5%；F=1%型号/功率/耐压对照表： 2、参数识别：电阻的单位为欧姆（），倍率单位有：千欧（K），兆欧（M）等。换算方法是1兆欧=1000千欧=1000000欧功率单位:瓦特，千瓦；定义：功率=电压*电流分类：1/8W, 1/4W,1/2W,1W,2W,3W,5W,7W,10W等。3、阻值的标示方法零件标示(Marking)三码换算法 :将阻值以科学记号表示,并将10的次方数加在阻值的第三位数(必须加上原来的第三位数),即得三码代号 .例：200K=200*103 取3加上原来200的第三位0 (算1次方),即得 200K=204 200=200*100取0加上原来200的第三位0 (算1次方),即得200=201 20=20*100取0,但原来20无第三位0 (故次方不成立),即得20=200 2=2.0 (小数点以R或8表示),故可表示为2R0,但若以8表示时,8必须放在第三位数,即表示为208 注： 此三码换算法只适用于误差值为5%( J )之电阻色码标示法：色码标识法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。色环电阻（色标电阻）器可分为三环、四环、五环三种标识方法。其含义如图1和图2所示。三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为20%）。例如，色环为红黑橙，表示为20103=20 K20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙银，表示15103=15 K10%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿橙棕表示275103=275 K1%的电阻器。一般来说，四色环和五色环电阻器均有一专门表示允许误差的色环，其特点是该色环距离其他色环较远。比较标准的表示应是：表示允许误差的色环的宽度是其他色环的1.5-2倍。 对应颜色第一位有效数字第二位有效数字倍 率允许偏差黑00 -棕11 -红22 -橙33 -黄44 -绿55 -蓝66 -紫77 -灰88 -白99 -20%+50%金- 5%银- 10%无色-20%图1 两位有效数字阻值的色环表示法 对应颜色第一位有效数字第二位有效数字第三位有效数字倍率允许偏差黑000 -棕111 1%红222 2%橙333 -黄444 -绿555 0.5%蓝666 0.1%紫777 0.25%灰888 -白999 -金- -银- - 图2 三位有效数字阻值的色环表示法4、电阻检测（1）固定电阻器的检测将两表笔（不分正负）分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于奥姆档刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指标指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的2080弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有5、10或20的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。注意：测试时，特别是在测几十K以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开组件任一脚，以免电路中的其它组件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。（2）水泥电阻的检测检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 （3）熔断电阻器的检测在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R1档来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。 二、电容1、电容标识及定义、作用电容器是由两个金属电极，中间夹一层电介质构成的电子组件。电容量在数值上等于一各岛电极板上的电荷量与两极板之间的电位差之比值。电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25表示编号为25的电容）。电容的主要特性就是隔直流、通交流。电容器在电路中，可用于隔电流、滤波、旁路或与电感线圈组成震荡回路。电容容量的大小就是表示能储存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗（XC），它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2fc（f表交流电的频率，c表示电容的容量）。符号：公式： 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种，电容的基本单位用法拉（F）标识，其他单位还有：豪法（mF）、微法（F）、纳法（nF）、皮法（pF）。换算等式为1法拉= 豪法= 微法= 纳法= 皮法容量大的电容，其容量值在电容上直接标明，如10F /16V容量小的电容其容量值在电容上字母表示或数字表示，如下：字母表示法：1m=1000F 1P2=1.2PF 1n=1000nF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10 PF=1000PF 224表示22 PF=0.22F3、电容电量误差表符号FGJKLM允许误差1%2%5%10%15%20%例如：一磁片电容为104G表示容量为0.1uF、误差为5%4-1、电容分类：总表类别技术参数贴片电容（封装尺寸/额定电压/材质/容值）0603/50V/NPO、X7R、Y5V/10PF、100PF、1000PF、1UF0805/50V/ NPO、X7R、Y5V、FILM/10PF、100PF、1000PF、1UF1206/10V、16V、25V、50V / NPO、X7R、Y5V、FILM/1000PF、3900PF、8200PF、0.01UF、1UF、10UF2010/ NPO、Y5V、FILM/0.015UF、1UF、10UF贴片钽电解电容（封装尺寸/额定电压/ /容值/极性）2512/16V /22UF /有极性3216/6.3V、16V/ 10UF/有极性3528/10V、16V/ 3.3UF、10UF、22UF、33UF/有极性D型/6V/220UF/有极性铝电解电容（封装/额定电压/ /容值/极性）SMD/16V、35V /100UF、330UF/有极性DIP/10V、16V、25V、35V、50V、200V/1UF、10UF、100UF、1000UF、3300UF/有极性高频低阻插件瓷介电容（脚间距/额定电压/ /容值）5mm、7.5mm、10mm/1KV、2KV、3KV、50V、250V、400V、500V/10PF、100PF、1000PF、2220PF插件有机介质电容器（脚间距/额定电压/ /容值）3.5mm、4.5mm、5mm、7.5mm、10mm、15mm/100V、250V、275V、400V、630V/1000PF、0.047UF、0.47UF4-2、电容分类：分类介绍（1）电解电容：C/E-ELECTROLYTIC CAPACITOR 电解电容-有正负极性之分（本体有两个引脚，其中短脚的那一边为负极），其本体一般都印有容值，误差，耐压，制造商品牌（厂商标志）等MARKING，SPS通常使用容量为0.1uF4700uF，误差为20%（M等级），容值越大，体积越大。单位换算：1F（法拉）=1000mF（毫法）=1000 000uF（微法）=1000 000 000（纳法）=1000 000 000 000pF（皮法）。电压范围有：6.3V，10V，16V，25V，35V，50V，100V，200V，400V，450V。耐温：85，105，工作温度在：40105。制造商有：（RUBYCON）馨昌，（CHEMICON）佳美工，（JAMICON）凯美，（ELITE）金日，（YIHCON）亿泓，（PANASONIC）松下。（2）陶瓷电容：C/C-CERAMIC CAPACITOR 陶瓷电容有高频瓷介电容和低频瓷介电容之分，Y电容也属于陶瓷电容，亦为安规电容。本体印有容值，误差，耐压等标示。例如容值标示：103=10 000pF，224=22 0000pF电压标示：a50V（50V容值下面划有一横线“一”）。 b500V（本体不做标示） c1KV，2KV（直接标示于容值下面）误差：J（5%），K（10%），M（20%），Z（+80%-20%）耐温：Y级（-2585）和Z级（1085）制造商有：（TDK）东电化，（OZOK）名家，（PAN OVERSEAS）汇乔。（3）积层电容：（俗名叫“小黄豆”或“独石电容”） 积层电容：C/MLCMULTIPLE LAYER CAPACITOR，多层电极电容表面光滑。本体呈黄色，考虑其本体细小，一般只标示容值于本体，容值标示类似于陶瓷电容，如223（表示22000pf）， 471（表示470pF）误差：J（5%），K（10%），M（20%），Z（+80%-20%），S（+50%-20%），P（100%/-0）.耐压：SPS常用25V，50V，100V制造商有：（TDK）东电化，（OZOK）名家，（JYH CHUNG）智中。（4）麦拉电容：（亦属于塑料电容系列） 英文标示：C/MYLAR，本体颜色为GREEN，其容值，误差，电压直接标示于本体上，字体一般为白色。误差：J（5%），K（10%），M（20%）电压表示：1H（50V） ，1J（63V） ，2A（100VDC） ，2J（63V），1A（10V），1C（16V），0J（6.3V），3（1000V） 制造商有：（SUNTRONIC）上稳，（EUROPTRONIC GROUP）优普。（5）金属聚脂薄膜电容：（即MINI-BOX电容） 英文标示为：C/POLYESTER， 金属聚脂薄膜电容有安规要求，外表通常为黄色，灰色，紫色.作用：跨电源线，无线电干扰抑制器，天线耦合。金属聚脂薄膜电容容值，误差，电压直接标于本体，有些制造商还在本体上印有制造商品牌。容值误差有：10%（K级）和20%（M级）耐温：-40100容值范围通常在0.01uF2.2uF。（6）安规电容Y电容 属于安规电容，本体呈扁圆形，蓝色，有Y1和Y2电容之分，在SPS中主要跨接于初次级中间.其本体都有容值误差安规MARKING电压类型（Y1或Y2）等标示.容值误差为20%（M等级），耐压为250VAC，PIN脚成型方式有直脚和KINK两种方式.制造商有：（TDK）东电化（MURATA）村田（PAN OVERSEAS）汇乔X电容 属于安规电容，本体呈方型，黄色，有X1和X2之分别，在SPS中主要应用于EMI部分（即交流输入部分）。本体都有容值误差电压类型电容系列安规MARK制造商品牌等标示。容值误差有10%（K等级），20%（M等级）耐压：250VAC制造商有：（UTX）昱电，（CARLI）凯利，（HJC）华容，OKAYA（7）SMD电容 SMD电容包含贴片电解电容（C/E；SMD），其本体无任何标示型号有0402，0805，1206，1210，1812，2220等几种。电压有6.3VDC，10VDC，16VDC，25VDC，50VDC，100VDC温度特性有：X5R（-5585）；X7R（-55125）；Y5V（-3085）。5、电容检测方法（1）固定电容器的检测：、检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R10K档，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指标向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。、检测10PF0.01F固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R1K档。两只三极管的值均为100以上，且穿透电流要校可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A.B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。、对于0.01F以上的固定电容，可用万用表的R10K档直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。（2）电解电容器的检测：、因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，147F间的电容，可用R1K档测量，大于47F的电容可用R100档测量。、将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻档，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百K以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向。反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。2、识别方法： 二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。3、二极管检测方法检测小功率晶体二极管方法以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R1K电阻档测量，一般正向电阻值为5K10K，反向电阻值为无穷大。检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R1K档检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大。瞬态电压抑制二极管（TVS）的检测用万用表R1K档测量管子的好坏：A、对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4K左右，反向电阻为无穷大。B、对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大。否则，说明管子性能不良或已经损坏。高频变阻二极管的检测识别正、负极：高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。测量正、反向电阻来判断其好坏，具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R1K档测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5K55K，反向电阻为无穷大。变容二极管的检测将万用表置于R10K档，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指标向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。必要时，可用替换法进行检查判断。测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负 极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。4、常用的1N4000系列二极管耐压比较如下：型号1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007耐压（V）501002004006008001000电流（A）1111111稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。1、稳压二极管的稳压原理： 稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压 管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号1N47281N47291N47301N47321N47331N4734稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V型号1N47351N47441N47501N47511N4761稳压值6.2V15V27V30V75V3、各种二极管在电路图中的符号标识如下图： 四、晶体三极管晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。常用的PNP型三极管有：A92、9015等型号；NPN型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012等型号。2、作用：晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称共发射极电路共集电极电路共基极电路输入阻抗中（几百欧几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧几十欧）电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1并接近于1）功率放大倍数大（约3040分贝）小（约10分贝）中（约1520分贝）频率特性高频差好好应用多级放大器中间级低频放大输入级、输出级或做阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路3、分类及测量方法： 晶体管大致可以分为三极体和场效应管两种。(1)三极体三极体：代号TRANSISTOR（Q），电流控制器件，有三个电极（基极B； 集电极C； 发射极E）。符号：PNP型NPN型 分类：晶体管可以分为两类，即NPN型和PNP型，如上图所示。作用：检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。判别基极和管子的类型选用奥姆檔的R*100（或R*1K）檔，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设一个集电极，用奥姆檔连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指标摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。电流放大系数的估算选用奥姆檔的R*100（或R*1K）檔，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指标摆动的大小，摆动越大，值越高。 (2)场效应管场效应管：代号FET（Field Effect Transistor），电压控制器件；分类：可以分为结型场效应管（J-FET）和金属氧化物半导体（简称MOS管）；MOS管又可以分为N沟道MOS管（N-CH）和P沟道MOS管（P-CH）两种，SPS常用P-CH；管脚：有三个引脚，漏极D（DRAIN）；源极S（SOURCE）；栅极G（GRID）特性：输入阻抗高，噪音低，热稳定性好，寿命长。作用：场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，必使用电解电容器。场效应管可以用作电子开关。场效应管检测方法：用指针式万用表对场效应管进行判别(A)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法将万用表拨在R1K檔上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千奥姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是结的反向，即都是反向电阻，可以判定是沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向结，即是正向电阻，判定为沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。(B)用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极1与栅极2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法-首先将万用表置于或100档，测量源极与漏极之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于檔，再测栅极1与2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用组件代换法进行检测。基极B端没有高电平时，C/E不导通，测量C/E间的电阻，若短路或阻值很小就说明三极管损坏。五、IGBT 绝缘栅双极晶体管（Iusulated gate bipolar transistor）俗称IGBT，本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 IGBT的结构剖面图如图2所示。它在结构上类似于MOSFET ，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET 的N+基板（漏极）上增加了一个P+ 基板（IGBT 的集电极），形成PN结j1，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似 由图2可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ，其简化等效电路如图3所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。 N沟道IGBT的图形符号有两种，如图4所示。实际应用时，常使用图25所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图4所示。 IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET 内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N一区进行电导调制，减少N一区的电阻 Rdr值，使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET 内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT 即关断。 正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板，形成了四层结构，由PNPNPN晶体管构成 IGBT 。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说， IGBT 的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。 采取这样的结构可在 N一层作电导率调制，提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 N一层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNPNPN 晶体管的连接形成晶闸管。IGBT模块的术语及其特性术语说明术语符号定义及说明（测定条件参改说明书）集电极、发射极间电压 VCES 栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压 栅极发极间电压 VGES 集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压 集电极电流 IC 集电极所允许的最大直流电流 耗散功率PC 单个IGBT所允许的最大耗散功率 结温 Tj 元件连续工作时芯片温厦 关断电流 ICES 栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。漏电流 IGES 集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流 饱和压降V CE(sat) 在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。输入电容 Clss 集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容 IGBT模块使用上的注意事项在使用IGBT模块的场合，选择何种电压，电流规格的IGBT模块，需要做周密的考虑。A、电流规格IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-)上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗，开关损耗所产生的热量，控制器件结温（Tj）在 150以下（通常为安全起见，以125以下为宜），请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。一般来说，要将集电极电流的最大值控制在直流额定电流以下使用，从经济角度这是值得推荐的。B、电压规格 IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧密相关。其相互关系列于表1。根据使用目的，并参考本表，请选择相应的元件。 元器件电压规格600V1200V1400V电源电压200V；220V；230V；240V346V；350V；380V；400V；415V；440V575V防止静电IGBT的VGE的耐压值为20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。 在使用装置的场合，如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时（珊极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止这类损坏情况发生，应在栅极一发射极之间接一只10k左左的电阻为宜。此外，由于IGBT模块为MOS结构，对于静电就要十分注意。因此，请注意下面几点：1)在使用模块时，手持分装件时，请勿触摸驱动端子部份。2)在用导电材料连接驱动端子的模块时，在配线未布好之前，请先不要接上模块。3)尽量在底板良好接地的情况下操作。4)当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电放电后，再触摸。 5)在焊接作业时，焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生，为了防止静电的产生，请先将焊机处于良好的接地状态下。6)装部件的容器，请选用不带静电的容器。并联问题用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。 为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。IGBT的测量方法：1、用数字万用表的欧姆档分别正反两次测量（不带内置二极管）IGBT的C、E之间阻值大小，阻值非常大，则IGBT正常，如果二者之间阻值很小，则IGBT击穿损坏。2、用数字万用表的欧姆档测量（带有内置二极管）IGBT的C（红表笔）、E（黑表笔）之间阻值大小，阻值非常大，则IGBT正常；测量C（黑表笔）、E（红表笔）之间阻值大小，有一定的阻值（内置二极管的阻值），IGBT正常。若测量任意两脚间的阻值很小，则说明IGBT击穿损坏。各种型号IGBT的性能简介：（1）SGW25N120西门子公司出品，耐压1200V，电流容量25时46A，100时25A，内部不带阻尼二极管，所以应用时必须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管使用，该IGBT配套10A/1200/1500V以上的快速恢复二极管后可代用SKW25N120其他注意事项1)保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为535，常湿的规定为4575左右。2)开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。六、LM339集成电路LM339集成块内部装有四个独立的电压比较器，该电压比较器的特点是：1）失调电压小，典型值为2mV；2）电源电压范围宽，单电源为2-36V，双电源电压为1V-18V；3）对比较信号源的内阻限制较宽；4）共模范围很大，为0（Ucc-1.5V）Vo；5）差动输入电压范围较大，大到可以等于电源电压；6）输出端电位可灵活方便地选用。1、LM339的封装及通用性LM339集成块采用C-14型封装，图1为外型及管脚排列图。由于LM339使用灵活，应用广泛，所以世界上各大IC生产厂、公司竟相推出自己的四比较器，如IR2339、ANI339、SF339等，它们的参数基本一致，可互换使用。 2、LM339的原理及作用LM339类似于增益不可调的运算放大器。每个比较器有两个输入端和一个输出端。两个输入端一个称为同相输入端，用“+”表示，另一个称为反相输入端，用“-”表示。用作比较两个电压时，任意一个输入端加一个固定电压做参考电压（也称为门限电平，它可选择LM339输入共模范围的任何一点），另一端加一个待比较的信号电压。当“+”端电压高于“-”端时，输出管截止，相当于输出端开路。当“-”端电压高于“+”端时，输出管饱和，相当于输出端接低电位。两个输入端电压差别大于10mV就能确保输出能从一种状态可靠地转换到另一种状态。因此，把LM339用在弱信号检测等场合是比较理想的。LM339的输出端相当于一只不接集电极电阻的晶体三极管，在使用时输出端到正电源一般须接一只电阻（称为上拉电阻，选3-15K）。选不同阻值的上拉电阻会影响输出端高电位的值。因为当输出晶体三极管截止时，它的集电极电压基本上取决于上拉电阻与负载的值。另外，各比较器的输出端允许连接在一起使用。 七、电感电感器是用漆包线在绝缘管或铁芯，磁芯上的一种电子组件，电感器大体上有带磁芯（包括各种磁体）和不带磁芯的2大类.主要范围是指电感线圈和变压器，它们的工作原理基本上是相同的。1、电感的原理及作用2、电感线圈是根据电磁感应原理制成的，它是由导线一圈一圈地缠绕在绝缘管上，导线彼此相互绝缘，这种组件称为电感线圈，也叫电感器或电感。直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6表示编号为6的电感。2、电感的识别电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。3、电感的分类常用的电感组件有固定电感器，阻流圈，电视机用行线性线圈和行，场振荡线圈，偏转线圈以及收音机，录音机上用的各种电感线圈，还有延迟线和磁关等.它们在电路中起着不同的作用，但都具有在磁场中储存能量的本领.电感器种类很多，分类方法也不统一，比较常见的方法是按工作性质， 绕线结构，导磁体性质和电感形式进行分类.根据其结构和其不同的特点，在各种电器设备中常见的有：单层线圈、多层线蜂圈、蜂房线圈、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈、铜芯线圈、色码电感器、阻流圈（扼流圈）、偏转线圈、行偏转线圈、振荡线圈。八、变压器变压器的基本原理变压器是利用线圈互感特性构成的一种元器件，几乎在所有的电子产品中都要用到。它原理简单，但根据不同的使用场合（不同的用途），变压器的绕制工艺会有所不同。变压器的功能主要有：电压变换；阻抗变换；隔离；稳压（磁饱和变压器）等。它是由一个初级线圈（线圈圈数n1）及一个次级线圈（线圈圈数n2）环绕著一个核心。常用的铁心形状一般有E型和C型。E1是初级电压，次级电压E2是 E2 = E1（n2/n1）上图是变压器的原理简体图，当一个正弦交流电压U1加在初级线圈两端时，导线中就有交变电流I1并产生交变磁通1，它沿着铁心穿过初级线圈和次级线圈形成闭合的磁路。在次级线圈中感应出互感电势U2，同时1也会在初级线圈上感应出一个自感电势E1，E1的方向与所加电压U1方向相反而幅