ITO电极腐蚀现象及防护的研究.docx

ito 电极腐蚀现象及防护的研究王 芳，杨长勇 ，王晓燕 ，孙力骞（河北冀雅电子有限公司 ，石家庄 050071）技 术 交 流摘 要 ：ito 电 极 腐 蚀 是 lcd 行业中普遍存在的难题 。 本文对腐蚀的机理进行阐述 ， 并 对 涂top 层的防护措施做分析 ，为生产过程中腐蚀的控制和防护做理论参考 。关键词 ：lcd；lcm；ito 电极腐蚀 ；top 层对 ito 电极腐蚀的防护中图分类号 ：tn141文献标识码 ：adiscussion of ito corrosion phenomenon and protectionwang fang,yang chang-yong ,wang xiao-yan,sun li-qian（hebei jiya electronics co.,ltd，shijiazhuang 050071，china）abstract: ito corrosion is a difficult problem in the lcd production. the principles of itocorrosion are discussed in this article, and top layer is analyzed as a protection method. it provided a theories reference to control and prevent ito corrosion in the process.keywords: lcd;lcm;ito corrosion; protection of ito corrosion by top layer前 言只有数小 时 ，有的可达数月之久 ，主要取决于腐蚀产 生的条件的强弱 。 腐蚀的现象如图 1 所示。ito 电极腐蚀的失效曲线如图 2 所示。当今显示领域中 lcd（ 液晶显示器件） 被广泛应用，ito 电极腐蚀问题是 lcd 制造和 lcm （ 液晶 显 示模块） 加工质量控制中面临的难题 。 许多工厂都有控制的 方 法 ，有的实现了很好的效果 ，但 很 多 工 厂 对 此还没有足够的认识 ， 在生 产 过 程 中 ito 电 极 腐 蚀 的问题仍是困扰产品可靠性 的 难 题 。 本 文 对 ito 腐 蚀问题进行探讨 ，希望能为解决问题提供参考 。腐蚀的步骤步骤 1：形成反应基团 。阳极：cl- cl o + e -（ cl- 来源于污染 。 ）oh- oho +e-（ oh- 来源于污染和环境。 ）阴极：1.2h2o + 2e 1/2 h2+ oh-1ito 电极腐蚀的现象和机理步骤 2：失去电子破坏氧化键 。in2o3 + clo in2o3* + cl- in2o3 + oho in2o3* + oh- 步骤 3：替代反应 。高 ph 值：in2o3* + cl- + oh- in(oh)2cl1.1腐蚀现象分析ito 电极腐蚀大都是在存储条件或外加电场促 进的条件下以电化学反应的方式产生的 ， 周 期 有 的收稿日期：2008-07-3150现代显示 advaanced displaydec.，2008，总第 95 期图 1ito 电极腐蚀 现象图 2ito 电极腐蚀 的失效曲线低 ph 值：in2o3 * + h + cl- incl3+hclo电极腐蚀受 ph 值影响强烈，高 ph 值时速度更快。王芳等：ito 电极腐蚀现象及防护的研究lcd 产 品 中 使 用 的 top 涂 层 是 一种非常致密的材 料，多用钛硅材料 ，大量 lcd 厂家在使用 。 其主要由 二氧化硅 sio2 和二氧化钛 tio2 两种成份组成 ，这两种物质化学性质稳定 ， 硬度高 ， 用 来 保 护 ito 外 电极 ，防止电极轻度划伤或异物腐蚀 ，可 提 高 lcd 的 可靠性 。 涂 top 层后的 lcd 增加了防护性能 ，但是仍存在腐蚀的可能性 。 对于 top 层的腐蚀条件这里 进行一下分析 ，以便在防护过程中加以考虑 。二 氧 化 硅 膜 sio2 的 化 学 性 质 ：有极高的化学稳 定 性 ，不 溶 于 水 ，除 氢 氟 酸 外 ，其 他酸与其不发生反 应。 反应方程如下 ： sio2+4hf=sif4+2h2o sif4+2hf= h2si f6二 氧 化 硅 膜 sio2 也可以被强碱腐蚀 ，反 应 方 程 为：2naoh+sio2=na2sio3+h2o因为反应生成的 na2sio3 是 一 种 粘 合 剂 ， 可 以 覆盖在表面防止腐蚀 ，具有对表层的保护作用 。二 氧 化 钛 tio2 的 化 学 性 质 ：不 溶 于 水 ， 溶 于 氢 氟酸、浓硫酸 ，反应方程如下 ：tio26hfh2tif62h2o tio2h2so4tioso4h2otio22h2so4ti(so4)22h2o tio2h2so4tioso4h2o由以上分析可知保证涂 top 层 的 lcd 电 极 腐 蚀首要的问题是保证 top 层 不 被 腐 蚀 的 问 题 ，即 不可 在 top 层上引入氢氟酸 、硫酸和强碱物质 ，如 果 产生腐蚀也要先从这方面进行分析 。术流腐蚀的产生条件分析a.杂质或污染 ：材料、设施和环境 。b.电荷：电子移动 、过压或过流 。c.水分：吸潮、水渗透或材料界面残留水分 。所以要对 ito 电极腐蚀进行防护先要从过程中 避免腐蚀条件的建立和产生 ，本文中不加论述 。1.3参考文献1 华南理工大学无机 化 学 教 研 室 . 无 机 化 学 m. 北 京：化学工业出版社 ，2001.2关鲁雄.高等无机化学m.北京：化学工业出 版 社 ，2004.作 者 简 介 ：王 芳（ 1973） ，女 ，河 北 辛 集 人 ，工 程 师 ，大 学 学 历 ，一 直 从 事 lcd 行业质量管理工作 ，获 得 美 国 认 证 协 会（ aci） 认 证 委 员 会 国际注册质量总 监 证 书 ，曾 参 与 编 写 lcd 技 能 培 训 教 材 ，e-mail：wfdd163.c