电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案.doc

试卷二系别 学号 姓名 成绩 考试课程 模拟电子技术基础 考试日期 2002 年 月日题号一二三四五六七八九总分分数得分核分人阅卷人1单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分)(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A掺杂浓度 B工艺 C.温度 D晶体缺陷(2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。-2V-8V-2.2V A正向导通状态 B反向电击穿状态 C反向截止状态 D反向热击穿状态(3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示，A型硅管 B型锗管 C型锗管 D型硅管(4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A和增大，下降 B和增大，减小 C减小，和增大 D、和均增大 (图1)(5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，与相位相反、1的只可能是( )。 A共集电极放大电路 B共基极放大电路 C共漏极放大电路 D共射极放大电路(6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A电压并联负反馈 B电压串联负反馈 C电流并联负反馈 D电流串联负反馈(7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 AA等于各级电压放大倍数之积 BR等于输入级的输入电阻 CR。等于输出级的输出电阻 D等于各级电压放大倍数之和 （8） 用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻，可以提高电路的( )。AA B A C D(9)电路如图2所示，其中U20V，C100F。变压器内阻及各二极管正向导通时的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U( )。+u1+u2D1D4D3D2C+ A24V B28V C28V D18V (图2) (10)在下列四种比较器中抗干扰能力强的是( )。 A迟滞比较器 B零比较器 C三态比较器 D窗口比较器2填充题(每格分，共20分)(11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。(12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。(13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。(14)集成运放内部电路实际上是一个、放大电路。(15)直流稳压电源由、四个部分组成。(16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤波器、滤波器及滤波器等五种。 3分析计算题（共60分）（17）电路如图所示已知150K, 210K, 6K, 750,信号源内阻 5K,负载电阻10K,电源电压12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的=99、1 K、U 0.7V。试求：（a）电压放大倍数（）及（）;（b）输入电阻和输出电阻。T1T2C+ +=12C1 +=C2 + +=+ +=T (图3) (图4)（18）电路如图4所示。已知：40V，8，输入电压2010t（V）,电容器C的电容量足够大。试求、输出功率、电源消耗功率及能量转换效率。w+w+w+w+R2R1R3R4R5R6A2A1A3A41221ab（19）电路如图5所示。其中R1R2，R3R4R5R6，各集成运放的性能均理想。试求u01、u02及u0的表达式。 (图5)（20）电路如图所示。已知：R1R2R31 K，提供的基准电压6V，变压器付边电压有效值（U2）为25V，C1000u F。试求、最大输出电压U0及最小输出电压,并指出等于U0或时，滑动端各应调在什么位置。+u1+u2D1D4D3D2 +C+U1TR3R1R2+v + +A加26某放大电路中V的对数幅频特性如图3所示。（1）试求该电路的中频电压增益 ，上限频率，下限频率；（2）当输入信号的频率或时，该电路实际的电压增益是多少分贝？(5分) 20已知某放大电路电压增益的频率特性表达式为（试中f的单位为）试求：该电路的上、下限频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。（4分）试卷二答案1单项选择题 (1)C (2)B (3)C (4)A (5)D (6)B (7)D (8)D (9)B (10)A 2填充题 (11)幅频 相频 频率 线性 (12)电流 电压 (13)结 绝缘栅 (14)高增益 直接耦合 多级 (15)变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路 (16)低通 高通 带通 带阻 全通 3分析计算题 (17) (a) (b) 7.5 k 6 k (18)