电子电力技术20套题目(含答案).doc

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括_信息电子技术_和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关_状态。当器件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。 3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_载波比_，当它为常数时的调制方式称为_同步_调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_分段同步_调制。 4、面积等效原理指的是，_冲量_相等而_形状_不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。5、在gtr、gto、igbt与mosfet中，开关速度最快的是_mosfet_，单管输出功率最大的是_gto_，应用最为广泛的是_igbt_。 6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。(1) 0t1时间段内，电流的通路为_；(2) t1t2时间段内，电流的通路为_；(3) t2t3时间段内，电流的通路为_；(4) t3t4时间段内，电流的通路为_；(5) t4t5时间段内，电流的通路为_；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ）a、v1与v4导通，v2与v3关断b、v1常通，v2常断，v3与v4交替通断c、v1与v4关断，v2与v3导通d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ）a、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶 闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度d、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1t2时间段内，有（ ）晶闸管导通。a、1个 b、2个 c、3个 d、4个 4、对于单相交交变频电路如下图，在t1t2时间段内，p组晶闸管变流装置与n组晶闸管变流装置的工作状态是（ ）a、p组阻断，n组整流 b、p组阻断，n组逆变c、n组阻断，p组整流 d、n组阻断，p组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ）a、30150 b、0120 c、15125 d、0150 6、桓流驱动电路中加速电容c的作用是（ ）a、加快功率晶体管的开通 b、延缓功率晶体管的关断 c、加深功率晶体管的饱和深度 d、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。a、ac/ac b、dc/ac c、dc/dc d、ac/dc 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）a、du/dt抑制电路 b、抗饱和电路 c、di/dt抑制电路 d、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）a、减小至维持电流以下 b、减小至擎住电流以下c、减小至门极触发电流以下 d、减小至5a以下 10、igbt是一个复合型的器件，它是（ ）a、gtr驱动的mosfet b、mosfet驱动的gtr c、mosfet驱动的晶闸管 d、mosfet驱动的gto三、简答题（共3小题，22分）1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。（7分） 2、电压型逆变电路的主要特点是什么？（8分）3、简述实现有源逆变的基本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因（7分）四、作图题（共 2 小题，每题12分，共24分）1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是d,y5，采用npn管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经r-c滤波器滤波后（滞后角为30）接到触发电路。同步变压器的的接法为y/y-10，4接法，如下图所示，选择晶闸管的同步电压。（要给出分析过程，分析依据）晶 闸 管vt1vt2vt3vt4vt5vt6主电路电压+uu-uw+uv-uu+uw-uv同 步 电 压 2、电路与波形如图所示。（1）若在t1时刻合上k，在t2时刻断开k，画出负载电阻r上的电压波形；（2）若在t1时刻合上k，在t3时刻断开k，画出负载电阻r上的电压波形。（ug宽度大于3600）。（a）电路图 （b）输入电压u2的波形图五、计算题（共 1 小题，共20分）1、电路如图所示，单相全控桥式整流电路接大电感负载，r=4，u2=220v。（1）触发角为60时，(a) 试求ud、id、晶闸管电流平均值idvt、晶闸管电流有效值ivt、变压器副边电流有效值i2；（b）作出ud、id、ivt2、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。（2）当负载两端接有续流二极管时，（a）试求ud、id、idvt、ivt、ivd、idvd 、i2；（b）作出ud、id、ivt2、ivd、i2 的波形图（图标清楚，比例适当）。20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关 3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状 5、空1 mosfet；空2 gto；空3 igbt6、空1 ；空2 7、空1 有源；空2 无源8、空1 vd1；空2 v1；空3 vd2；空4 v2；空5 vd1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（b） 2、（d） 3、（c） 4、（c） 5、（d）6、（a） 7、（c） 8、（b） 9、（a） 10、（b）三、简答题（共 3 小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流以上。导通后的晶闸管管压降很小。（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值维持电流以下。其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。（2分）2、（8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于rd，按大电感负载情况计算，三相全控桥式整流电路，相当于最小控制角min=0计算.整流变压器次级相电压u2（3分） ud=2.34u2,，则u2=2202.3494(v) (2).计算晶闸管电压、电流值，如果电压、电流按裕量系数2计算，选择晶闸管（8分）晶闸管承受的最大峰电压为(v)按裕量系数2计算，则u=230.252=460.5(v)，选额定电压500v晶闸管。（2分）（a） (a)（3分）(a)则（3分）按裕量系数2计算，则20.22=40.4(a),选额定通态平均电流为50a的晶闸管。(3). 计算变压器次级电流有效值i2（4分）(a)(4).计算整流变压器次级容量s2（3分）s2=3u2i2=39444.9=12661.8(va)12.66(kva) 考试试卷( 5 )卷一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分）1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 与 。2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 。3、晶闸管的导通条件是 。4、晶闸管的断态不重复峰值电压udsm与转折电压ubo在数值大小上应为udsm ubo。5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有 的特性。6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 。7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是 触发方法。8、 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角 时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。10、三相桥式整流电路中，当控制角300时，则在对