第1章课后习题参考题答案.doc

. . . .第一章 半导体器件基础1试求图所示电路的输出电压Uo，忽略二极管的正向压降和正向电阻。解：（a）图分析：1）若D1导通，忽略D1的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则UO=1V，UD2=1-4=-3V。即D1导通，D2截止。 2）若D2导通，忽略D2的正向压降和正向电阻，得等效电路如图所示，则UO=4V，在这种情况下，D1两端电压为UD1=4-1=3V，远超过二极管的导通电压，D1将因电流过大而烧毁，所以正常情况下，不因出现这种情况。综上分析，正确的答案是 UO= 1V。 （b）图分析：1.由于输出端开路，所以D1、D2均受反向电压而截止，等效电路如图所示，所以UO=UI=10V。2图所示电路中，EuI。二极管为理想元件，试确定电路的电压传输特性(uo-uI曲线)。解：由于E0，UBC=0.1-6= 5.9V0，T1工作在放大状态。（b）图中，若发射结正偏，则UB=UE+UBE=3.6+0.7=4.3V，UBC=UB-UC=4.3-1.4=2.9V，集电结将烧毁；所以三极管集电结正偏，发射结反偏，T2工作在倒置放大状态。（c）图中，0.7V的电压不能使两个PN结导通，所以T3截止。 (d) 图 由于IBIBS，所以T4饱和。19分别标出如图电路中电压VDD的极性，并指出管子类型。解：（a）是N沟道结型场效应管 （b）图是P沟道结型场效应管 （c）是N沟道耗尽型场效应管 （d）是N沟道增强型场效应管（e）是P沟道耗尽型场效应管 （f）是P沟道增强型场效应管 电源VDD的极性如图所示。20某MOS场效应管的漏极特性如图所示，试分别画出UDS=9V、6V、3V时的转移特性曲线。解：21 由上题图的MOS管组成的电路如图下图所示，试分析当u i =4V、8V、l2V时，这个管子分别处于什么状态。解：由题1-20图可得：Ugs(th)=4V，ID0=ID|Ugs=2Ugs(th)=1.2mA作交流负载线：负载线方程为：，令，得 ；令，得过点（12V，0）和点（0，3.08mA）可得交流负载线如图所示：1）u i =4V时，ugs= Ugs(th)=4V，场效应管处于微导通状态，ID0.3mA(查图)Uds=VDD-IDRD=12-3.90.3=10.83V由于Uds Ugs- Ugs(th)=4-4=0所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态）2）u i =8V时，ugs= 8V Ugs(th)=4V，查得ID=1.2mAUds=VDD-IdRD=12-1.23.9=7.32V由于Uds Ugs- Ugs(th)=8-4=4V，所以场效应管工作在恒流区（即线性放大状态）。3）u i =12V时 即ugs= 12V Ugs(th)=4V，查得ID=2.2mAUds=VDD-IdRD=12-2.23.9=3.42V由于Uds0，UBC0，UBC0；C. UBE0，UBC0；D. UBE =0，UBC =0。（3）用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 B 。A.夹断区；B.恒流区；C.可变电阻区。(4)晶体管电流由 C1 (A1.多子；B1.少子；C1两种载流子)组成；而场效应管的电流由 A2 (A2.多子；B2.少子；C2两种载流子)组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 A3 。(A3.大；B3.小；C3.差不多)1. 若不给自己设限，则人生中就没有限制你发挥的藩篱。2. 若不是心宽似海，哪有人生风平浪静。在纷杂的尘世里，为自己留下一片纯静的心灵空间，不管是潮起潮落，也不管是阴晴圆缺，你都可以免去浮躁，义无反顾，勇往直前，轻松自如地走好人生路上的每一步3. 花一些时间，总会看清一些事。用一些事情，总会看清一些人。有时候觉得自己像个神经病。既纠结了自己，又打扰了别人。努力过后，才知道许多事情，坚持坚持，就过来了。4. 岁月是无情的，假如你丢给它的是一片空白，它还给你的也是一片空白。岁月是有情的，假如你奉献给她的是一