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文档简介
第二章 半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管,一个=200,ICEO=200A;另一个=50,ICEO=10A其余参数大致相同。你认为应选用哪个管子较稳定?解: 选=50,ICEO=10A的管子较稳定。题1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X、Y、Z对地电压分别为:甲管VX=9V,VY=6V,VZ=6.7V;乙管VX=9V,VY=6V,VZ=6.2V。试分析三个电极中,哪个是发射极、基极、集电极?它们分别是NPN型还是PNP型,是锗管还是硅管?解: 甲管为NPN型硅管,其中X为C极,Y为E极,Z为B极; 乙管为PNP型锗管,其中X为C极,Y为E极,Z为B极。题1.2.3 共射电路如图题1.2.3所示。现有下列各组参数:(1) VCC=15V,Rb=390k,Rc=3.1k,=100(2) VCC=18V,Rb=310k,Rc=4.7k,=100(3) VCC=12V,Rb=370k,Rc=3.9k,=80(4) VCC=6V,Rb=210k,Rc=3 k,=50判定电路中三极管T的工作状态(放大、饱和、截止)。 图题1.2.3解:(1)工作在放大状态(工作在放大区);(2)工作在饱和状态(工作在饱和区);(3)工作在放大状态(工作在放大区);(4)工作在放大状态(工作在放大区)。题1.2.4 从图题1.2.4所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。(1) 是锗管还是硅管?(2) 是NPN型还是PNP型?(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)提示:注意在放大区,硅管,锗管,且0.7V;而处于饱和区时,。图题1.2.4解: (a) NPN硅管,工作在饱和状态;(b) PNP锗管,工作在放大状态;(c) PNP锗管,管子的b-e结已开路;(d) NPN硅管,工作在放大状态;(e) PNP锗管,工作在截止状态;(f) PNP锗管,工作在放大状态;(g) NPN硅管,工作在放大状态;(h) PNP硅管,工作在临界饱和状态。题1.2.5 图题1.2.5所示电路中,设晶体管的 =50,VBE=0.7V。(1) 试估算开关S分别接通A、B、C时的IB、IC、VCE,并说明管子处于什么工作状态。(2) 当开关S置于B时,若用内阻为10k的直流电压表分别测量VBE和VCE,能否测得实际的数值?试画出测量时的等效电路,并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比,是偏大还是偏小?(3) 在开关置于A时,为使管子工作在饱和状态(设临界饱和时的VCE=0.7V),Rc值不应小于多少? 图题1.2.5解: (1) S接A点;IB0.14mA,IC3mA,VCE0.3V,管子饱和。S接B点:I28.6mA,IC1.43mA,VCE7.85V,放大状态。S接C点:IB0,IC0,VCE=15V,管子截止。图1.2.5(2) 不能够测得实际数值。测VBE时由于,会引起三极管截止;测VCE时集电极的等效电源为,等效电阻为,由图解法可知所测电压值偏小。(3) RC不应小于2k。题1.2.6 共射放大电路及三极管的伏安特性如图题1.2.6所示。(1) 用图解法求出电路的静态工作点,并分析这个工作点选得是否合适?(2) 在VCC和三极管参数不变的情况下,为了把三极管的集电极电压VCEQ提高到5V左右,可以改变哪些电路参数?如何改变?(3) 在VCC和三极管参数不变的情况下,为了使ICQ=2mA,VCEQ=2V,应改变哪些电路参数,改变到什么数值?图题1.2.6解:(1) ,由图1.2.6可知静态工作点不合适;图1.2.6(2) 为了把三极管的集电极电压VCEQ提高到5V左右,可以有多种Rc、Rb组合。如图1.2.6中将静态工作点设置在Q点,则Rc保持不变,取Rb100k,使IB90mA。(3) 应将静态工作点设置在Q点,可得:Rc=4K,Rb250K。题1.2.7 在图题1.2.7所示电路中,已知R1=3k,R2=12k,Rc=1.5k,Re=500,VCC=20V,3DG4的=30。(1) 试计算ICQ、IBQ和VCEQ ;(2) 如果换上一只=60的同类型管子,估算放大电路是否能工作在放大状态;(3) 如果温度由10升至50,试说明VC(对地)将如何变化(增加、不变或减少)?(4) 如果换上PNP型的三极管,试说明应做出哪些改动(包括电容的极性),才能保证正常工作。若仍为30,你认为各静态值将有多大的变化?图题1.2.7 图1.2.7解:(1) ICQ6.39mA,IBQ0.21mA,VCEQ7.23V;(2) 能工作在放大状态;(3) VC将减小。(4) 改动如图1.2.7所示。ICQ6.39mA,IBQ0.21mA,VCEQ-7.23V。题1.2.8 放大电路如图题1.2.8(a)所示。试按照给定参数,在图题1.2.8(b)中:(1) 画出直流负载线;(2) 定出Q点(设VBEQ=0.7V);(3) 画出交流负载线;(4) 画出对应于iB 由0100A变化时,vCE的变化范围,并由此计算不失真输出电压Vo(正弦电压有效值)。图题1.2.8解: (1) 直流负载线方程:VCE=VCC-IC(RC+Re),VCE=15-3IC,作在输出特性上。(2) 先求IBQ:所以Q点如图所示,可得:ICQ2.6mA,VCEQ7.5V;(3) 交流等效负载为RL=RC/RL=1k,所以过Q点作一条斜率为的直线,即为交流负载线。(4) 当iB 由0100A变化时,vCE的变化范围如图所示。不失真输出电压Vo有效值5V/3.5V。图1.2.8题1.2.9 在图题1.2.9(a)所示的共发射极放大电路中,三极管的输出和输入特性曲线如图(b)、(c)所示。(1) 用图解法分析静态工作点Q(IBQ、VBEQ、ICQ、VCEQ);(2) 设vi =0.2sint(V),画出iB、vBE、iC 和vCE 的波形,并从图中估算电压放大倍数。提示:为方便分析,可将图(a)中的输入回路用戴维斯宁定理化简。图题1.2.9解:输入回路的等效电压源为 等效电阻为 图1.2.9(1) 图解法如图1.2.9所示。从图中可得: IBQ29mA,VBEQ0.7V,ICQ2mA,VCEQ6V。(2) iB、vBE、iC 和vCE 的波形如图1.2.9所示,电压放大倍数为 题1.2.10 图题1.2.10所示电路中,设各三极管均为硅管,VBE0.7V,=50,VCES0.3V,ICEO可忽略不计。试估算IB、IC、VCE。图题1.2.10解:(a) IB47.7A,IC=2.38mA,VCE10.2V;(b) IB0.243mA,IC7.35mA,VCE0.3V;(c) IB0,IC0,VCE15V;(d) IB97A,IC4.85mA,VCE10.6V;(e) ID0,IC0,VCE6V;(f) IB195A,IC1.425mA,VCE0.3V。题1.2.11 在图题1.2.11所示的放大电路中,输入信号的波形与幅值如图中所示。三极管的输入、输出特性曲线分别如图1.2.11(b)和(c)所示,试用图解法分析:(1) 静态工作点:IBQ、VBEQ、ICQ、VCEQ;(2) 画出iB、vBE、iC和vCE的波形,并在波形上注明它们的幅值(要求各波形的时间轴对齐)。(3) 为得到最大的不失真输出电压幅度,重新选择静态工作点(IBQ、ICQ、VCEQ),并重选Rb的阻值。图题1.2.11解:(1) 图解法如图1.2.11所示。写出输入回路负载线方程,VBE=VBB-IBRb,在输入特性上作出该负载线,与输入特性交于Q点,求得IBQ、VBEQ,写出输出回路负载线方程,VCE=VCC-ICRC,在输出特性上作该负载线,交于IBQ对应输出特性上的Q点,求得ICQ、VCEQ。由图可得Q点为: IBQ13mA,VBEQ0.7V,ICQ0.7mA,VCEQ7.8V。(2) 在Q点的基础上,作出相应的iB、BE、iC和CE的变化范围,如图1.2.11所示。由图得:Ibm9mA,Vbem0.05V,Iem0.4mA,Vcem2.5V。(3) 为得到最大的不失真输出电压幅度,应将静态工作点置于负载线的中间位置,如图1.2.11中的Q所示。此时IBQ20mA,ICQ1mA,VCEQ6V,所以Rb65k。图1.2.11题1.2.12 按照放大电路的组成原则,仔细审阅图题1.2.12,分析各种放大电路的静态偏置和动态工作条件是否符合要求。如发现问题,应指出原因,并重画正确的电路(注意输入信号源的内阻RS一般很小;分析静态偏置时,应将vS短接)。图题1.2.12解: 图(a):静态工作点IB不对,应把Rb接地;图(b):无静态基极电流IB;图(c):无基极偏置电流,Rb一端应接地;图(d):无基极电路,动态时发射极和集电极都接地了。正确的电路如图1.2.12所示。图1.2.12题1.2.13 试用三只电容量足够大的电容器C1、C2、C3将图题1.2.13所示放大电路分别组成CE、CC和CB组态,并在图中标明各偏置电源和电解电容上的极性,以及信号的输入、输出端子。(在电源前加正、负号,在电介电容正极性端加正号)。图题1.2.13解: 连接成CE时:C1作信号输入耦合电容,C3一头接VEE,C2作信号输出耦合电容;连接成CC时:C2一端接+VCC,C1一端作输入,C2作输出耦合电容;连接成CB时:C1一端接VBB,C3一端作输入耦合电容,C2作输出耦合电容。CE、CC、CB放大电路分别如图1.2.13所示。图1.2.13题1.2.14 设图题1.2.14(a)(b)所示电路中的三极管均为硅管,VCES0.3V,=50,试计算标明在各电路中的电压和电流的大小。图题1.2.14解: (a) 当电源为5V时,三极管已处于饱和状态,VCE0.3V;当电源为0V时,三极管处于截止状态,VCE5.7V(b) 三极管已处于饱和状态,IC5.7mA(c) VCE-4.8V(d) VC-10.8V题1.2.15 图题1.2.15(a)(c)所示均为基本放大电路,设各三极管的rbb=200,=50,VBE=0.7V。(1) 计算各电路的静态工作点;(2) 画出交流通路;说明各种放大电路的组态。图题1.2.15解: (1) 计算静态工作点:图(a):IBQ18.5A,ICQ0.93mA,VCEQ8.2V;图(b):IBQ73A,ICQ3.67mA,VCEQ-5.7V;图(c):IBQ18A,ICQ0.9mA,VCEQ9.5V。(2) 交流通路如图1.2.15所示。图(a)、图(b)为CE组态,图(c)为CB组态。图1.2.15题1.2.16 在图题1.2.16所示的电路中,已知三极管的VBE=0.7V,=50,其余参数如图中所示。(1) 分别计算vI=0 V和vI=6 V时的vO值。(2) 画出vI在06V之间变化时的电压传输特性曲线。图题1.2.16解: (1) 当vI=0
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