直板型手机PROE结构设计方案.doc

直板型手机PRO/E结构设计方案设计过程与步骤1.绘制手机盖 1.1绘制手机上盖 1、单击“草绘“按钮，选择基准平面DTM1作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。1-01在草绘平面内绘制如图1-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。2、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移 XX，如图所示3、单击“草绘“按钮，选择基准平面TOP作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。1-02在草绘平面内绘制如图1-02所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。4、单击“边界混合”按钮，选取图1-01中弧形线，按住CTRL再选取图1-02中的直线，最后创建的边界曲面如下图所示：点击完成。5、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM1作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-036、在草绘平面内绘制如图1-03所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为4X，然后点击完成。7、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为4mm，方向向上。1-04如图1-04所示，在设计图板点击去除材料，完成后则如下图所示： 8、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。 1-05 在草绘平面内绘制如图1-05所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为60，选取然后点击完成。如下图1-06所示。1-069、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面TOP作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-07在草绘平面内绘制如图1-07所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为60，然后点击完成。如下图1-08所示。1-0810、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM1作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。1-09在草绘平面内绘制如图1-09所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为60，然后点击完成。如下图1-10所示。1-1111、选取“到圆角”按钮，设计图标板倒圆角值为0.75，选取所有面，点击完成，如下图1-12所示。1.2绘制手机下盖1、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移30。2、单击“草绘“按钮，选择基准平面DTM2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-01在草绘平面内绘制如图2-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。3、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM2作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-02在草绘平面内绘制如图2-02所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为54，然后点击完成。如下图2-03所示。4、单击“草绘“按钮，选择基准平面RIGHT作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-03在草绘平面内绘制如图2-03所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。5、单击“草绘“按钮，选择基准平面FRONT1作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-04在草绘平面内绘制如图2-04所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。6、单击“草绘“按钮，选择基准平面FRONT2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。2-05在草绘平面内绘制如图2-05所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。7、单击“边界混合”按钮，按住CTRL选取图2-03、2-04、2-05中的曲线，最后创建的边界曲面如下图所示：点击完成。8、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM2，偏距平移70.9、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-06在草绘平面内绘制如图2-06所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为11，然后点击完成。如下图2-07所示。2-0710、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为15mm，方向向上。如图所示：在设计图板点击去除材料，如下图所示：11、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-08在草绘平面内绘制如图2-08所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图2-09所示。图2-0912、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式。2-10在草绘平面内绘制如图2-10所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点取“去除材料”，点击，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为50，然后点击完成。如下图2-11所示。2-1113、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM3作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 2-12在草绘平面内绘制如图2-12所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点取“去除材料”，点击，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为30，然后点击完成。如下图2-13所示2-13下图2-14为效果图：2.绘制手机壳2.1绘制手机前壳1、单击“草绘“按钮，选择基准平面TOP作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-01在草绘平面内绘制如图3-01所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。2、单击“草绘“按钮，选择下图中的基准平面作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。在草绘平面内绘制如图3-03所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。3-033、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移95.4、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM2，偏距平移5. 5、单击“草绘“按钮，选取基准平面DTM2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-04在草绘平面内绘制如图3-04所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。6、单击“边界混合”按钮，选取图3-05中的两条草绘线，最后创建的边界曲面如图所示：3-057、选取上一步所完成的边界混合面，点击“编辑”菜单中“加厚”，厚度为0.75mm，方向向Y。8、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面DTM2作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-06在草绘平面内绘制如图3-06所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XXX，然后点击完成。如下图3-07所示。3-079、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-08在草绘平面内绘制如图3-08所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图3-09所示。3-0910、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-10在草绘平面内绘制如图3-10所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下图3-11所示。3-1111、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-12在草绘平面内绘制如图3-12所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图3-13所示。3-1312、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面作为RIGHT草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-14在草绘平面内绘制如图3-14所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如下图3-15所示。 3-1513、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取3-16中彩色部分基准平面作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-163-17在草绘平面内绘制如图3-17所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下图3-18所示。3-1814、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取3-16中彩色部分基准平面作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-19在草绘平面内绘制如图3-19所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为XX，然后点击完成。如下图3-20所示。3-2015、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-21在草绘平面内绘制如图3-21所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为20，然后点击完成。如图3-22：3-2216、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式. 3-23在草绘平面内绘制如图3-23所示草绘剖面图，点击，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为0.3，然后点击完成。如图3-24：3-2417、单击“草绘“按钮，选择基准平面FRONT作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-25在草绘平面内绘制如图3-25所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。18、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面FRONT作为草绘平面，随后进入进入二维草绘模式.3-26在草绘平面内绘制如图3-23所示草绘剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为3，然后点击完成。如图3-273-27整体效果图如下：2.2绘制手机后壳1、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择DTM1，偏距平移7，方向向下。2、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN2作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-28在草绘平面内绘制如图3-25所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：3、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN2，偏距平移20，方向向下。4、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN3作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-29在草绘平面内绘制如图3-26所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：5、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN3，偏距平移18，方向向下。6、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN4作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-30在草绘平面内绘制如图3-26所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：7、单击“边界混合”按钮，选取图3-31中的三条曲线，最后创建的边界曲面如下图所示：3-31点击完成得到效果图：8、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN4，偏距平移10，方向向下。9、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN5作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-32在草绘平面内绘制如图3-32所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：10、点击基准平面工具按钮，出现基准平面窗口，选择ADTN5，偏距平移25，方向向下。11、单击“草绘“按钮，选择基准平面ADTN5作为草绘平面，接受系统缺省参照设置后单击“草绘”按钮进入二维草绘模式。3-33在草绘平面内绘制如图3-23所示，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。得到如下效果图：12、选取下图中的曲面部分，点击“编辑”菜单中的偏移，出现设计图标板，方向向内，偏移距离0.1。之后得到效果图为：13、点击，出现设计图标板，选取曲面，点击，选择该曲面，完成后得到下图：14、单击“边界混合”按钮，选取图3-31中的三条曲线，最后创建的边界曲面如下图：3-34最终得到效果图：15、点击，出现设计图标板，按住CTRL选取两个曲面，如下图3-35所示，点击完成后效果图如3-36所示。3-353-3616、选取编辑菜单中的“加厚”选项，出现设计图标板，方向向外，加厚值0.75，如下图3-37所示，点击完成后效果图如3-38所示。3-373-383.绘制手机键盘3.1绘制手机键盘1、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-01在草绘平面内绘制如图4-01剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-02所示：4-022单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-03在草绘平面内绘制如图4-03面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-04示：4-043、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-05在草绘平面内绘制如图4-05图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-06：4-06 4、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-07在草绘平面内绘制如图4-07，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-084-08 5、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-09在草绘平面内绘制如图4-09，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-10：4-106、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取基准平面RIGHT，随后进入进入二维草绘模式。4-11在草绘平面内绘制如图4-01剖面图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。点击去除材料，在拉伸设计图标板输入拉伸长度为1，方向向内，完成后如图4-12：4-12 7、点击倒圆角按钮，选取键盘所有面，半径倒圆角值为0.1，点击完成，得到如图4-13所示：4-13 8、效果图： 9、单击“拉伸“按钮打开设计标板，单击“放置”按钮弹出草绘参数面板，单击“定义”按钮打开【草绘】对话框，选取下图中橙色部分为基准平面，随后进入进入二维草绘模式。 4-14在草绘平面内绘制如图4-14图，完成后在右工具箱中单击完成按钮退出二维草绘模式。在拉伸设计图标板输入拉伸长度为0.5方向内，完成后如图4-15：手机装配图： 51结论此次毕业设计的产品设计是在Pro/E环境下实现的，由于我们知识有限，实际经验不足，因此我的设计还存在一些不足之处。通过本次毕业设计，不仅对大学三年所学知识的回顾和总结，而且使我学到了很多知识也有很多感受，从开始对Pro/E只有一个初步的了解，到可以根据一个实物独立完成一个产品的设计。也让我对产品及模具的设计有了更深一步的理解，为今后的工作奠定了一定的基础。这次做论文的经历也会使我终身受益，我感觉到做论文是要真真正正用心去做的一件事情，是真正的自己学习的过程和研究的过程，没有学习就不可能有研究的能力，没有自己的研究，就不会有所突破，那也就不叫论文了。希望这次的经历能让我在以后激励我继续进步。参 考 文 献1 姚诗斌著. 数据库系统基础. 计算机工程与应用，1981年第8期.2 Robertson T，Perkins A. Physical and Mathematical Modeling of Liquid Steel Temperature in Continuous Casting，Ironmaking and Steelmaking，1986，13（6）：301310.（1）连续出版物中析出的文献：例：1 亚洲地质图编图组. 亚洲地层与地质历史概述，地质学报，1978，3：194208.2 赵均宇. 略论辛亥革命前后的章太炎，光明日报，1977324（4）3 Herbert A, Jmson C, Norton G K, etc. Experience with Powder and Wire Injection at British Steel Corporation, Lackenby Works, Basic Oxygen Steelmaking Plant, Ironmaking and Steelmaking, 1987，14（1）：1016.（2）专著：例：4 熊光愣，肖田元，张燕云编著. 连续系统仿真与离散事件系统仿真. 北京：清华大学出版社，1991.5 中国科学学院南京土壤研究所西沙群岛考察组. 我国西沙群岛的土壤和鸟粪矿. 北京：科学出版社，19776 Borko H, Bernier C L. Indexing concepts and methods, New York：Academic Pr., 1978.7 International Federation of Library Association and Institutions. Names of persons：national usages for entry in catalogues. 3rd ed . London：IFLA International Office for UBC, 1977.（3）学位论文：例：8 李顶宜. 钢包热循环过程传热物理数学模型的研究及应用研究：学位论文. 北京：清华大学热能系，1994.9 Cairns R B. Infared spectroscopic studies on solid oxygen：Dissertation. Berkeley：Univ. of California, 1965.（4）专著中析出的文献：例：10 傅承义，陈运泰，祁贵中. 地球物理学基础. 北京：科学出版社，1985. 44711 黄蕴慧. 国际矿物学研究的动向. 见：程裕淇等编. 世界地质科技发展动向，北京：地质出版社，1982. 383912 Buseck P R, Nord G L, Veblen D R. Subsolidus phenomena in pyroxenes. In：Prewitt C T，edReviews in mineralogy, pyroxenes v.7.s.l.：Mineralogical Society of America , 1980. 117211（5）会议文献：例：13 Rosenthall E M，edProceedings of the fifth Canadian，Mathematical Congress, Univ. of Montreal, 1961. Toronto：Univ . of Toronto Pr. ,1963.14 吴晓东，刘青，徐安军等. 炼钢厂过程温度时间优化控制模型的建立，第八届全国冶金反应工程学术会议论文集，全国冶金反应工程学术委员会， 2000. 北京：北京科技大学，2000.（6）报告：例：15 World Health Organization . Factors regulating the immune response：report of WHO Scientific Group. Geneva : WHO,1970.16 连铸技术国家工程研究中心，首都钢铁公司. 首钢第三炼钢厂高效连铸技术攻关报告：连铸技术国家工程研究中心，首都钢铁公司. 北京：首都钢铁公司，1998.17 Le Maitre R.W. Numercal petrology：statistical interpretation of geochemical data . Amsterdam：Elsevier, 1982. 210附 录Pro/E提供了一个三维与二维沟通的桥梁-工程图模块，用户只需要建立三维的实体零件，以此零件为模型，在工程图模块中就自动生成二维平面图。由于Pro/E系统采用单一数据库管理，因此工程图与对应的实体模型是相互关联的，如果在工程图中修改了尺寸，