AVR学习笔记十一、AVR内部EEPROM的读写实验.doc

AVR学习笔记十一、AVR内部EEPROM的读写实验 -基于LT_Mini_M1611.1 基于ATmega16内部EEPROM的读写实验11.1.1、实例功能AVR单片机的多数型号都有芯片内置的EEPROM，这些EEPROM可以用来保护芯片掉电后要保存的数据。对于ATmega16来说，芯片内置的EEPROM的容量是2K位（即512字节），可以重复擦写的次数是10万次。AVR单片机中的EEPROM是数据型EEPROM，即只能保存数据，在AVR单片机正常工作的情况下，可以用WINAVR中自带的函数读/写这些数据。本实例就利用WINAVR中自带的EEPROM的读写函数来对ATmega16的内部EEPROM进行读写。本实例有两个功能模块： 了解WINAVR自带的EEPROM读写函数。 编写程序，实现对ATmwga16内部EEPROM的读写。通过本实例的学习，掌握以下知识点： 如何利用WINAVR自带的EEPROM读写函数实现对ATmega16的内部EEPROM的读写。11.1.2 WINAVR中自带EEPROM读写函数的说明WINAVR中自带了EEPROM读写函数，利用这些函数可以很轻松的实现对AVR单片机内部EEPROM的读写。如果要使用WINAVR中自带的EEPROM读写函数，首先要在程序中包含EEPROM函数的头文件,使用如下语句即可：#include 同我们前面学习过的AT24C16一样，在对EEPROM进行读写之前，应当确认EEPROM已经准备好被操作；否则，如果在EEPROM处于写周期时对其进行读写操作的话，可能会导致非常大的读写延迟。因此，在对EEPROM进行读写前，应用eeprom_is_ready()查询EEPROM的工作状态，在准备好的情况下，再进行操作，从而确保程序的实时性。下面我们来了解一下EEPROM的读写函数。 测试EEPROM是否准备好，如果准备好，宏函数返回1，否则返回0#define eeprom_is_ready() bit_is_clear(EECR,EEWE) 读取指定地址处的一个字节uint8_t eeprom_read_byte(const uint8_t *addr) 读取指定地址处的一个字（即两个字节） uint16_t eeprom_read_word(const uint16_t *addr) 成块读取指定地址处的成块数据（多个字节） void eeprom_read_block (void *pointer_ram ,const void *pointer_eeprom,size_t n)其中各参数分别是指：pointer_ram读取的数据在RAM区存放的位置pointer_eeprom 读取的数据在EEPROM区存放的位置n 读取的字节长度 向指定地址写入一个字节数据 void eeprom_write_byte(uint8_t *addr, uint8_t value) 向指定地址写入一个字的数据（两个字节）void eeprom_write_word(uint16_t *addr, uint16_t value) 向指定地址写入成块的数据（多个字节）void eeprom_write_block(const void *pointer_ram , void *pointer_eeprom , size_t n)其中各参数分别是指：pointer_ram将要写入的数据在RAM区存放的位置pointer_eeprom 将要写入的数据在EEPROM区存放的位置n 写入的字节长度 等待EEPROM读写空闲，发生空闲时返回 #define eeprom_busy_wait do while (!eeprom_is_ready()11.1.3 电路和连接本实例只是对AVR单片机内部EEPROM的读写。没有用到任何外部电路（当然电源电路、复位电路、下载电路等构成单片机工作的最基本电路还是需要的。_）。11.1.4 程序设计1、程序功能程序的功能是对ATmega16单片机的内部EEPROM进行读写操作，通过控制8个LED显示读取的数据是否正确，程序比较简单，直接看程序就能明白原理了。2函数说明本程序主要使用的是WINAVR自带的EEPROM读写函数，前面已经介绍过，在此不再说明。 3、使用WINAVR开发环境，使用的是外部12M的晶振，所以需要将makefile文件中的时钟频率修改为12M。另外在程序烧录到单片机的时候，熔丝位也要选择为外部12M晶振（注意是晶振，不是外部振荡器，一定不要选择错了，否则会导致单片机不能再烧写程序）。4、程序代码#include /io端口寄存器配置文件，必须包含#include #include /WINAVR自带的EEPROM读写函数头文件/变量声明/EEMEM unsigned char const eeprom12 = 1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12;/函数声明void Delayus(unsigned int lus); /us延时函数void Delayms(unsigned int lms); /ms延时函数int main(void) /GCC中main文件必须为返回整形值的函数，没有参数unsigned char i;unsigned char Read_Buff8 = 0; /读取数据缓冲区unsigned char Write_Buff8 = 0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07,0x08; /写入数据缓冲区PORTB = 0x00; DDRB = 0xFF; /端口PortB设为输出口，通过相应位LED的变化指示程序运行结果 /下面这段程序演示对内部EEPROM进行单字节读写eeprom_busy_wait(); /等待EEPROM读/写空闲eeprom_write_byte(0x00,0x01); /向地址第0个字节0写入字节数据1/如果要检测掉电后EEPROM中数据是否保存，可先将该程序写入单片机，然后屏蔽/上面这两句话，再编译程序，随后将单片机掉电，过一会再上电，再将不含写操作命令./的程序写入单片机，也就是只执行读操作，观察LED显示是否正确。不过需要特别注意/的是：在做这个实验的时候，熔丝位需要正确设置，应当选择熔丝位为“执行芯片擦除时/保留EEPROM的内容”即EESAVE=0。eeprom_busy_wait(); /等待EEPROM读/写空闲i = eeprom_read_byte(0x00); /从地址第0个字节0读出1字节数据PORTB = i; /用8个LED显示读出的数据Delayms(2000); PORTB = 0x00; /熄灭所有LEDDelayms(500);/下面这段程序演示对内部EEPROM进行多字节读写eeprom_busy_wait(); /eeprom_write_block (Write_Buff,0x05,8); /从地址第5个字节开始写入8字节数据eeprom_busy_wait(); /eeprom_read_block(Read_Buff,0x05,8); /从地址第5个字节开始读出8字节数据if(Read_Buff0 = 0x01) /判断读出的8个数据是否正确PORTB = 0x01; /第一个字节正确，LED1亮Delayms(500);if(Read_Buff1 = 0x02)PORTB |= 0x02; /第2个字节正确，LED2亮Delayms(500);if(Read_Buff2 = 0x03)PORTB |= 0x04; /第3个字节正确，LED3亮Delayms(500);if(Read_Buff3 = 0x04)PORTB |= 0x08; /第4个字节正确，LED4亮Delayms(500);if(Read_Buff4 = 0x05)PORTB |= 0x10; /第5个字节正确，LED5亮Delayms(500);if(Read_Buff5 = 0x06)PORTB |= 0x20; /第6个字节正确，LED6亮Delayms(500);if(Read_Buff6 = 0x07)PORTB |= 0x40; /第7个字节正确，LED7亮Delayms(500);if(Read_Buff7 = 0x08)PORTB |= 0x80; /第8个字节正确，LED8亮Delayms(500);while(1) /us级别的延时函数void Delayus(unsig