SHZBG2007 上半年晋升铨叙考试【真空镀膜加工】试题库B.pdf

SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 1 9 一 選擇題 75 題 理論 1 氣體分子通過與高速旋轉的渦輪葉片的碰撞作用 而被排向出氣口 再由前級泵抽除的泵 是 C A 旋片真空泵 B 滑閥泵 C 分子泵 D 擴散泵 安全 2 保養清潔真空系統時通常使用 爲佳 A 香蕉水 B 甲醇 C 酒精 D 乙二醇 安全 3 防護板清潔要點下列 A 是錯誤的 A 敲擊除膜層 B 清水洗淨 C 酒精擦拭 D 噴砂除膜層 理論 4 蒸發鍍膜與濺射鍍膜相比 其附著力 B A 更好 B 要差一些 C 差不多 D 完全相同 理論 5 在濺射鍍膜中常用來作入射離子的是 D A 銅離子 B 鋁離子 C 氫離子 D 氬離子 理論 6 離子清洗 A 提高濺射薄膜的附著力 A 有助於 B 無助於 C 無法 D 只能降低而不能 理論 7 對膜材的 C 是離子鍍膜的兩個不可缺少的環節 A 濺射和離化 B 蒸發和濺射 C 蒸發和離化 D 烘乾和離化 理論 8 質流控制器的作用是控制 A A 制程氣體流量 B 膜厚 C 膜的透光率 D 膜的硬度 理論 9 濺射粒子入射角爲 C 時濺射率最大 A 20 30 B 40 50 C 60 80 D 80 100 理論 10 DLC 的漢語名稱叫 B 它即可作工模具硬質塗層 也可作透明保護膜 A 金剛石膜 B 類金剛石膜 C 石墨 D 仿金膜 理論 11 離子鍍膜的膜層密度 B A 低 B 高 C 比蒸發鍍低 D 是真空鍍膜中最低的 設備 12 質流控制器的作用是用來控制制程氣體的 A A 流量 B 重量 C 壓力 D 溫度 理論 13 蒸發高熔點金屬 如鉭 鎢 可採用 B 蒸發源 A 電阻式 B 電子束 C 分子束 D 以上答案都不對 理論 14 靶中毒現象最容易發生在 B 中 A 中頻反應濺射鍍膜 B 直流反應濺射鍍膜 C 射頻反應濺射鍍膜 D 以上答案都不對 理論 15 爲防止靶元件被濺射 靶元件必須 C A 與靶導通 B 接上電壓表 C 接地遮罩 D 接上電流錶 設備 16 冰水機用之外部冷卻水塔 其散熱之風向應爲 A A 由下而上 B 由上而下 C 由左至右 D 以上皆非 理論 17 常用 RF 濺射所用電源頻率爲 B MHz A 1 B 13 56 C 8 5 D 19 56 理論 18 高於臨界溫度的氣態物質爲 C A 蒸氣 B 固體 C 氣體 D 液體 SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 2 9 理論 19 物理氣相沉積的英文簡稱是 B A CVD B PVD C SPT D DVD 理論 20 靶材中雜質和表面氧化物對薄膜 B A 無污染 B 有污染 C 可提高純度 D 可改善質量 理論 21 一般濺鍍使用真空度約在 B Torr 較佳 A 101 B 10 3 C 10 6 D 10 7 理論 22 ABC 屬於常見的真空計 A 熱阻真空計 B 熱偶真空計 C 熱陰極電離真空計 D 熱膠真空計 安全 23 更換靶材或維修時 須在機台停止濺射後 實施 A 5 分鐘 B 10 分鐘 C 60 分鐘 理論 24 一般濺射鍍膜的沉積速率比蒸發鍍膜要 B A 高 B 低 C 差不多 D 完全相同 理論 25 真空鍍薄膜附著力不好時其薄膜 D A 刮不掉 B 粘附力更強 C 不會脫落 D 會脫落或被刮掉 理論 26 離子鍍膜的繞射性 D A 後面的答案都不對 B 很差 C 不好 D 較好 理論 27 CVD 的反應産物除沉積物爲固態薄膜外 其餘産物必須是 D A 固體 B 液體 C 不易揮發的 D 易揮發的 設備 28 質流控制器的作用是控制 A A 制程氣體流量 B 膜厚 C 膜的透光率 D 膜的硬度 理論 29 常用 RF 濺射所用電源頻率爲 B MHz A 1 B 13 56 C 8 5 D 19 56 理論 30 常用的簡易氣瓶檢漏方法是將 B 滴於接頭或開關閥處 液體冒泡漲大 視爲漏氣 A 食鹽水 B 肥皂水 C 純水 D 稀鹽酸 設備 31 偏壓濺射是在濺射過程中 將偏壓施加於 B 的濺射方式 A 擋板 B 基片 C 真空計 D 窗口 理論 32 工件連續從大氣壓經減壓段進入到一個或數個鍍膜室鍍膜 再經相應的壓力梯段增壓至 大氣壓而離開設備的方式被稱爲 A 不連續鍍膜 B 連續鍍膜 C 階梯鍍膜 D 單體式鍍膜 理論 33 氣體分子之間有碰撞 且受周圍氣體分子的限制 存有磨擦力 氣流的方向與分子運動方向一 致 這種氣流型態是 A 過渡流 B 黏滯流 C 分子流 D 氣流 理論 34 物理氣相沉積的英文簡稱是 A CVD B PVD C SPT D DVD 設備 35 真空中之傳動機構 如軸承 必要時可添加 C 作爲潤滑 A 溶劑 B 酒精 C 真空油脂 D 中性清潔劑 理論 36 RF 電極與接地間絕緣電阻一般應在 C 以上爲佳 A 3 B 3K C 1M D 100M SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 3 9 理論 37 如果將氣體加熱至極高溫或任其與高能量粒子相撞擊 電子可由原分子中釋出 形成一帶正負電 離子的集合體 稱爲等離子體或 C A 電弧 B 電暈 C 電漿 D 電流 理論 38 離子清洗 A 提高濺射薄膜的附著力 A 有助於 B 無助於 C 無法 D 只能降低而不能 理論 39 DLC 的漢語名稱叫 B 它既可作工模具硬質塗層 也可作透明保護膜 A 金剛石膜 B 類金剛石膜 C 石墨 D 仿金膜 理論 40 D 可以被離子轟擊濺射後在基體表面凝結成較均勻的薄膜 A 水溶液 B 岩石 C 氧氣 D 金屬 理論 41 一般濺鍍使用制程氣體爲 Ar 下列原因 B 是錯誤的 A 價格合理 B 易發生反應 C 容易取得 D 撞擊能量大 安全 42 四層警示燈號中綠色所代表的動作是 B A 手動模式 B 自動模式 C 系統異常故障發生 D 離子清潔 鍍膜中 設備 43 Cryo Pump 冷凍泵浦 正常使用的溫度是 A 20K 以下 B 20K 以上 C 30K 以上 D 40K 以上 理論 44 真空區域一般劃分爲 個區域 A 2 或 3 B 4 或 5 C 6 或 7 D 8 或 9 理論 45 總的來說蒸發出來的原子能量與濺射出來的原子能量相比 B A 要高 B 要低 C 差不多 D 完全相同 安全 46 要求比較高的真空鍍膜件的鍍膜最好 B 無塵室中進行 A 不在 B 在 C 不需要在 D 前面的答案都是錯誤的 設備 47 真空泵浦最重要的性能參數是抽氣速率與 D A 儲氣速率 B 抽氣速率 C 初始壓力 D 極限壓力 理論 48 總體上說 氣體分子的溫度越高 氣體運動的速度 A A 越快 B 越慢 C 越恒定 D 爲零 理論 49 在濺射鍍膜中常用來作入射離子的是 D A 銅離子 B 鋁離子 C 氫離子 D 氬離子 設備 50 CVD 有 A A 開口體系和封閉式沉積法 B 只有開口體系 C 只有封閉式沉積法 D 前面的答案均不對 材料 51 TiN 的顔色是 A A 金黃色 B 銀白色 C 藍色 D 灰色 設備 52 濺射裝置中由濺射材料所組成的電極是 B A 治具 B 靶材 C 擋板 D 工件 理論 53 在給定時間間隔內 沉積在基片上的材料量除以該時間間隔和基片面積來表徵 C 值 A 濺射速率 B 抽氣速率 C 沉積速率 D 放氣速率 安全 54 對人體有一定程度傷害的電源是 B A 直流電源 B 射頻電源 C 中頻電源 D 偏壓電源 設備 55 真空設備維修後應該確認其 A 壓力變化速度 B 極限壓力 C 抽氣速率 D 以上皆是 SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 4 9 理論 56 有關濺鍍之描述 D 是錯誤的 A 環保制程 B 附著性佳 C 勤加保養 D 污染嚴重 設備 57 羅茨泵轉子與泵體 轉子與轉子之間保持約 C mm 間隙 不需油潤滑和密封 無摩擦 A 0 01 B 0 05 C 0 1 D 0 50 設備 58 冷泵的結構分葉片 冷凝面 B 材料三層 它是利用對氣體的低溫凝結和低溫吸附實現抽氣目 的 A 銅 B 活性碳吸附性 C 陶瓷 D 不銹鋼 理論 59 磁控二極濺射與射頻二極濺射相比 具有 A 兩大特點 A 低溫 高速 B 高溫 低速 C 低溫 低速 D 高溫 高速 理論 60 我們把表面硬度 Hv D GPa 的耐磨沉積層叫硬質膜 Hv 40GPa 叫超硬膜 A 1 B 5 C 10 D 18 設備 61 所有濺射鍍膜設備使用的電源中 B A 只有直流電源 B 包括直流和交流電源 C 沒有直流電源 D 直流和交流電源都沒有 理論 62 離子鍍膜的繞射性 D A 後面的答案都不對 B 很差 C 不好 D 較好 設備 63 旋片泵是利用 A 的原理 通過吸氣 壓縮 排氣的不斷迴圈實現抽氣目的 A 旋轉變容 B 動量傳輸作用 C 擴散 D 低溫吸附 設備 64 調壓閥的作用是調節泵的 C 和保持制程壓力的穩定 A 內部壓力 B 溫度 C 抽氣速率 D 抗污染能力 理論 65 直流濺射可用於 A 工件 A 金屬 B 塑膠 C 陶瓷 D 任何材料 設備 66 防護板清潔要點下列 A 是錯誤的 A 敲擊除膜層 B 清水洗淨 C 酒精擦拭 D 噴砂除膜層 設備 67 有關 MFC 下列描述 B 是錯誤的 A 質流控制器 B 單位爲 cc C 制程氣體流量控制 D 單位爲 sccm 理論 68 氣體分子之間有碰撞 且受周圍氣體分子的限制 存有磨擦力 氣流的方向與分子運動方向一 致 這種氣流型態是 A 過渡流 B 黏滯流 C 分子流 D 氣流 設備 69 冷泵的結構分葉片 冷凝面 B 材料三層 它是利用對氣體的低溫凝結和低溫吸附實現抽 氣目的 A 銅 B 活性碳吸附性 C 陶瓷 D 不銹鋼 設備 70 擴散泵是靠被加熱的 D 的高速運動向出口方向碰撞被抽氣體 使其被前級泵抽走的 A 水蒸氣分子 B 離子 C 氬氣分子 D 油蒸氣分子 理論 71 Cryo pump 冷凍泵浦 最不容易捕捉之氣體分子爲 D A Ar B N2 C H2O D He 安全 72 四層警示燈號中紅色所代表的動作是 C 手動模式 自動模式 系統異常故障發生 粒子清洗及鍍膜中 SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 5 9 理論 73 以下 不屬於氣壓單位 A Pa B Torr C mmHg D Newton 理論 74 蒸發鍍膜與濺射鍍膜相比 其附著力 B A 更好 B 要差一些 C 差不多 D 完全相同 設備 75 冰水機保養要點下列 B 是錯誤的 A 純水換新 B Y 型篩檢程式不可拆卸 C 檢查有無漏水 D 外部冷卻水塔清潔 二 是非題 75 題 理論 1 進濺鍍機前之素材必須充分干燥爲佳 V 理論 2 1Torr 133 3 Pa V 設備 3 機械泵浦屬儲氣式幫浦 X 理論 4 定期保養檢修是維持真空系統穩定的重要法則 V 設備 5 Cryo pump 冷凍泵浦 之壓縮機是以 R22 做爲冷媒 X 理論 6 真空度越高 分子的平均自由程越短 X 理論 7 一般來說蒸發鍍膜的工藝重復性比濺射鍍膜要好些 X 設備 8 濺射裝置中由濺射材料所組成的電極是工件 X 理論 9 有害空間 的存在決定了旋片泵只能達到某一極限真空度值 V 理論 10 偏壓濺射可提高薄膜純度 增加薄膜附著力 改變薄膜結構 理論 11 反應氣體的分壓大小不可能改變薄膜的性質 理論 12 當活性炭吸附量達飽和及活性炭效能喪失會造成 Cryo Pump 回溫 理論 13 磁控靶産生不均勻刻蝕的現象是由於磁場造成粒子的特殊軌迹所致 理論 14 素材進入真空系統以前必須充分乾燥 不得含有水氣 但溶劑則無妨礙 理論 15 超高真空之氣流型態爲分子流 理論 16 針孔是真空鍍膜的缺陷之一 理論 17 真空系統最忌諱油污 也怕水氣 V 理論 18 氣體分子單位時間內與其他分子的平均碰撞次數稱爲平均自由程 X 設備 19 濺鍍機設備使用之冷凍泵浦是屬於儲氣式幫浦 V 設備 20 更換靶材或維修時 DC 及 RF 電源需保持開啓之狀態 X SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 6 9 理論 21 在地球表面人類還無法實現絕對真空 V 理論 22 一標準大氣壓其壓力是 760 Torr V 設備 23 Cryo pump 冷凍泵浦 屬吸附式泵浦 V 物料 24 冷凍泵浦之壓縮機使用高純度氦氣 He2 爲冷媒 V 設備 25 Cryo pump 冷凍泵浦 工作溫度約爲 10 15K V 理論 26 電腦的裝飾性外觀件的一般金屬化鍍膜可用蒸發鍍鋁來實現 V 理論 27 等離子體起源於電子 離子和射線等對氣體的碰撞 V 理論 28 等離子體化學氣相沉積可以提高化學反應的溫度 X 設備 29 擴散泵停止鍍膜作業後 無需將油降溫 可以直接關機 物料 30 冷泵再生時一般通入高純氮氣作清洗氣體 理論 31 Cryo pump 冷凍幫浦 內裝有活性炭可以捕捉氣體分子 V 物料 32 鍍膜設備之破真空的氣體只能使用氮氣 不可使用壓縮空氣 安全 33 濺射鍍膜作業前 冷卻水一定要打開 理論 34 由於磁控濺射鍍膜技術的工作溫度較高 故不適合塑件鍍膜 理論 35 粗真空之氣流型態爲黏滯流 物料 36 真空設備維護所拆卸下來的防護板應拿專用的筐子裝運 安全 37 製成氣體氣瓶必須定點放置在通風陰涼處 設備 38 真空系統 O Ring 沾有毛屑時 有增進氣密之效果 X 設備 39 濺鍍系統更換氣體鋼瓶後濺鍍機必須執行排空氣體管路動作才可進行量産 V 理論 40 真空度愈高 真空室中氣體的平均自由程就愈小 X 理論 41 濺射時 入射粒子的大部分能量交給了濺射出來的原子 X 理論 42 真空系統漏氣是絕對的 不漏氣是相對的 物料 43 靶材按製作方法的不同可分爲真空熔煉鑄造靶和粉末冶金靶 安全 44 進真空室之機件 不可用裸手接觸 理論 45 中度真空之氣流型態爲黏滯流 設備 46 捲繞式鍍膜機適合對很薄的柔性薄膜類産品進行鍍膜 V SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 7 9 理論 47 容器處於真空狀態是指該容器內沒有任何氣體物質 X 理論 48 高真空之氣流型態爲分子流 設備 49 冷泵是無油泵 設備 50 離子源可用於鍍膜過程 也可用於基材的活化清洗 V 理論 51 在真空技術中 真空 不是指真正地的沒有空氣 V 理論 52 一標準大氣壓其壓力是 760 mmHg V 設備 53 機械泵浦適用於粗真空範圍 V 物料 54 Cryo pump 冷凍泵浦 必須定期通入 O2 做再生之用 X 設備 55 渦輪分子泵浦 Turbo pump 必須配置前級泵浦 所以爲儲氣式 X 設備 56 蒸發鍍膜設備沒有加熱裝置 X 理論 57 Cryo pump 冷凍泵浦 以抽真空中之氬氣效果最佳 X 安全 58 靶材換好後 可立刻直接對産品進行 PVD X 理論 59 大氣中含量最高的是 N2 V 理論 60 真空度愈高 真空室中氣體的平均自由程愈大 設備 61 分子泵啓動速度快 噪音小 運行平穩 抽速大 不需要任何工作液體 V 物料 62 靶材爲消耗性材料 使用到一定程度後必須更換 物料 63 真空冷卻系統需以純水作爲迴圈媒介 設備 64 機台保養時發現膜層太厚 直接以尖銳物刮除即可 X 環保 65 Cryo pump 冷凍泵浦 必須定期通入 N2做再生之用 V 理論 66 PVD 是指化學氣相沉積 X 理論 67 真空系統最忌諱油污 但不怕水氣 X 理論 68 氣體分子間每二次碰撞運動的平均距離稱爲平均自由程 V 理論 69 大氣中含量最高的是氧氣 O2 X 設備 70 更換靶材或維修時 DC 及 RF 電源需保持關閉狀態 V 理論 71 在真空技術中 真空 的含義是指真正的沒有空氣 X SHZBG 2007 上半上半年年晉升銓敘考試晉升銓敘考試 真空鍍膜加工真空鍍膜加工 試題庫 試題庫 B 頁碼 8 9 理論 72 高真空之氣流型態爲分子流 設備 73 鍍膜設備需要定期維護 安全 74 靶材換好後 可立刻直接對産品進行 PVD X 理論 75 絕對溫度 1K 273 C V 三 問答題 75 題 設備 1 蒸發鍍膜的蒸發源主要分爲那幾類 至少答兩種 10 分 答 蒸發鍍膜的蒸發源主要分電阻蒸發源 電子束蒸發源 高頻感應蒸發源 還有一些特殊蒸 發源 如電弧 熱壁 鐳射等蒸發源 理論 2 簡述濺鍍過程 5 點以上 10 分 答 濺鍍原理答案要點 1 在真空環境中 2 制程氣體 Ar 通入 3 電極 Cathode 通入電流使其放電 4 Ar 解離形成電漿 5 Ar 離子撞擊靶材表面釋出原子 6 靶材原子落在基材上 形成薄膜 設備 3 真空系統主要由哪幾部分組成 10 分 答 真空系統主要由真空室 真空泵 或抽氣系統 真空計 或真空規 真空鍍測量系統 等組 成 安全 4 更換氣體鋼瓶時注意哪些事項 3 項以上 10 分 答 更換氣體鋼瓶時應注意下列事項 1 擦拭瓶口使無灰塵 2 適當鎖緊使